材料測(cè)試技術(shù)課后題答案-預(yù)覽頁
【正文】 間何為特征X射線譜？特征X射線的波長與（管電壓）、（管電流）無關(guān)，只與（陽極材料）有關(guān)。不同元素的陽極材料發(fā)出不同波長的X射線。Kα譜線又可分為Kα1和Kα2， Kα1的強(qiáng)度是Kα2強(qiáng)度的2倍，且Kα1和Kα2射線的波長非常接近，通常無法分辨，因此，一般用Kα來表示。不相干散射線由于波長各不相同，因此不會(huì)互相干涉形成衍射，所以它們散布于各個(gè)方向，強(qiáng)度一般很低，它們?cè)谘苌涔ぷ髦兄恍纬蛇B續(xù)的背景。但從X射線管發(fā)出的X射線中，當(dāng)有Kα線時(shí)，必定伴有Kβ譜線及連續(xù)光譜，這對(duì)衍射工作是不利的，必須設(shè)法除去或減弱之，通常使用濾波片來達(dá)到這一目的。畫圖說明何為衍射峰的積分強(qiáng)度、峰值強(qiáng)度、背景及半高寬。（3） 樣品不能太粗也不能太細(xì)，太粗時(shí)被射線照射體積內(nèi)晶粒數(shù)減少，會(huì)使衍射線呈不連續(xù)狀，由一些小斑點(diǎn)組成；太細(xì)時(shí)會(huì)使衍射線寬化，不便于后續(xù)測(cè)量。 說說物相定性分析的程序及注意事項(xiàng)。⑥要確定樣品中含量較少的物相時(shí)，可用物理或化學(xué)方法進(jìn)行富集濃縮。
④樣品有擇優(yōu)取向時(shí)，必須說明。解釋名詞：分辨本領(lǐng)、磁透鏡、場(chǎng)深、焦深。把產(chǎn)生這種旋轉(zhuǎn)對(duì)稱磁場(chǎng)的線圈裝置叫磁透鏡。
④焦深：焦深是指在不影響成像分辨率的前提下，像平面可沿透鏡軸移動(dòng)的距離。分點(diǎn)分辨率和線分辨率。 TEM以（聚焦電子束）為照明源，使用對(duì)電子束透明的（薄膜試樣，幾十到幾百nm）樣品，以（透射電子）為成像信號(hào)。
③只能是固態(tài)樣品，且樣品不能含有水分和其它易揮發(fā)物以及酸堿等有害物質(zhì)。②離子雙噴減薄法：雖然樣品很薄，除進(jìn)行樣品表面形貌分析還可以通過電子衍射進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)分析。0176。②明場(chǎng)像：用物鏡光闌選用直射電子形成的像叫明場(chǎng)像。
SEM相對(duì)于TEM有哪些特點(diǎn)？
答：①可觀察Φ＝10～30mm的大塊試樣，制樣方法簡單。
⑤可通過電子學(xué)方法控制和改善圖像質(zhì)量。SEM經(jīng)常用于研究斷口的形貌觀察，在斷口的形貌觀察中主要研究哪三個(gè)方面的內(nèi)容？用SEM進(jìn)行斷口分析時(shí),對(duì)樣品有哪些注意事項(xiàng)?
答：（1）三個(gè)方面內(nèi)容：①找裂紋源；②裂紋擴(kuò)展路徑；③斷裂方式（2）樣品注意事項(xiàng)：①斷口污染時(shí)要在確保斷口形貌不被破壞的前提下清洗；②新斷口要及時(shí)清洗；③斷口清洗不能污染斷面；④切記斷口不能對(duì)接；⑤要在保證不被破壞斷口形貌的條件下加工。后者得到的是試樣中的平均成分也叫宏觀成分，分析結(jié)果與微觀組織不存在對(duì)應(yīng)關(guān)系。常用的參比物為α－Al2O3。 影響差熱曲線的因素有哪些？
答：（1）內(nèi)因的影響：①晶體結(jié)構(gòu)的影響；②陽離子電負(fù)性、離子半徑及電價(jià)的影響；③氫氧離子濃度的影響。
答：（1）實(shí)驗(yàn)程序：試樣先磨細(xì)，過100～300目篩，再干燥。
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