【摘要】MOSFET的直流參數(shù)與溫度特性MOSFET的直流參數(shù)1、閾電壓VT2、飽和漏極電流IDSS只適用于耗盡型MOSFET,表示當VGS=0,VDSVDsat且恒定時的IDsat,即??22DSSGSTT22IVVV????
2025-08-05 19:44
【摘要】高頻小信號電流電壓方程與等效電路高頻小信號電流電壓方程與等效電路推導步驟首先利用電荷控制方程得到“i~q”關系,然后再推導出“q~v”關系,兩者結(jié)合即可得到“i~v”方程。本節(jié)以均勻基區(qū)NPN管為例。(并推廣到高頻小信號)先列出一些推導中要用到的關系式:
2025-01-01 04:40
【摘要】電流放大系數(shù)與頻率的關系電流放大系數(shù)與頻率的關系對高頻信號進行放大時,首先用被稱為“偏置”或“工作點”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當信號電壓的振幅遠小于(kT/q)時,稱為小信號。這時晶體管內(nèi)與信號有關的各電壓、電流和電荷量,
【摘要】常用電力電子器件介紹一、晶閘管(Thyristor)的結(jié)構及工作原理二、門極可關斷晶閘管(GTO)三、大功率晶體管(GTR)四、功率場效應晶體管(MOSFET)五、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)復習提問?1、什么是直流
2025-01-01 04:10
【摘要】PN結(jié)的擊穿雪崩倍增隧道效應熱擊穿擊穿現(xiàn)象擊穿機理:電擊穿BV?VI0I碰撞電離率和雪崩倍增因子在耗盡區(qū)中,反向電壓
2025-07-25 07:03
【摘要】電流放大系數(shù)與頻率的關系對高頻信號進行放大時,首先用被稱為“偏置”或“工作點”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當信號電壓的振幅遠小于(kT/q)時,稱為小信號。這時晶體管內(nèi)與信號有關的各電壓、電流和電荷量,都由直流偏
2025-08-04 15:48
【摘要】PN結(jié)在正向電壓下電流很大,在反向電壓下電流很小,這說明PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?,可作為二極管使用。PN結(jié)的直流電流電壓方程結(jié)的直流電流電壓方程PN結(jié)二極管的直流電流電壓特性曲線,及二極管在電路中的符號為本節(jié)的重點本節(jié)的重點1、中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界處的少子濃度與外加電壓
2024-12-27 19:38
【摘要】電力電子器件的驅(qū)動電路1)、驅(qū)動電路功能:是主電路與控制電路之間的接口使電力電子器件工作在較理想的開關狀態(tài),縮短開關時間,減小開關損耗,提高運行效率、對裝置的可靠性和安全性都有重要的意義。2)、驅(qū)動電路的基本任務:–將信息電子電路傳來的信號,轉(zhuǎn)換為電力電子器件所要求的開通或關斷的信號,及必要的隔離電路。–對
2024-12-29 06:38
【摘要】第1章電力電子器件??電力電子器件概述電力電子器件概述??不可控器件不可控器件————二極管二極管??半控型器件半控型器件————晶閘管晶閘管??典型全控型器件典型全控型器件??其他新型電力電子器件其他新型電力電子器件??電力電子
2025-01-17 18:13
【摘要】MOSFET的亞閾區(qū)導電本節(jié)以前的漏極電流公式只適用于VGSVT,并假設當VGS=VT時ID=0。但實際上當VGSVT時,MOSFET仍能微弱導電,這稱為亞閾區(qū)導電。這時的漏極電流稱為亞閾電流,記為IDsub。定義:使硅表面處于本征狀態(tài)
2024-12-28 23:00
【摘要】1.光輻射的度量2.光電探測器的響應特性3.光電子器件的探測率4.光吸收光電器件的基本特性1.光輻射的度量光輻射的度量方法有兩種:一種是客觀的度量方法,研究各種電磁輻射的傳播和量度,稱為輻射度學參量.適用于整個電磁譜區(qū).另一種是主觀的計量方法,以人眼見到的光對大腦的刺激程度來對光進行
2025-03-04 11:02
【摘要】微電子器件可靠性習題第一、二章數(shù)學基礎1.微電子器件的可靠性是指產(chǎn)品在 規(guī)定條件下和規(guī)定時間內(nèi);完成 規(guī)定功能的能力。2.產(chǎn)品的可靠度為R(t)、失效概率為F(t),則二者之間的關系式為R(t)+F(t)=1。3.描述微電子器件失效率和時間之間關系的曲線通常為一“浴盆”,該曲線明顯分為三個區(qū)域,分別是早期失效期、偶然失效期和耗損失效期
2025-03-25 01:56
【摘要】庫侖堵塞與單電子器件當體系尺度進到納米級(金屬粒子為幾個納米,半導體粒子為幾十納米),體系電荷“量子化”,即充電放電過程是不連續(xù)的,前一個電子對后一個電子的庫侖排斥能EC(庫侖堵塞能)極大,導致一個一個單電子的傳輸,電子不能集體傳輸,這種單電子輸運行為稱為庫侖堵塞效應。庫侖排斥能EC???充一個電子作功:對于孤立導體
2025-01-01 05:14
【摘要】微電子器件工藝學序言趙岳聯(lián)系電話:13817882241,56336339Email:地址:電子材料系319室或210室微電子科技的重要性?微電子技術已經(jīng)滲透到社會的各個領域,影響面極廣,發(fā)展微電子技術是當今高科技發(fā)展的關鍵問題?微電子科學是固體物理,微電子器件工藝和電子學基礎上發(fā)展起來的一門新科學微電子工業(yè)是戰(zhàn)略性
【摘要】基極電阻把基極電流IB從基極引線經(jīng)非工作基區(qū)流到工作基區(qū)所產(chǎn)生的電壓降,當作是由一個電阻產(chǎn)生的,稱這個電阻為基極電阻,用rbb’表示。由于基區(qū)很薄,rbb’的截面積很小,使rbb’的數(shù)值相當可觀,對晶體管的特性會產(chǎn)生明顯的影響。以下的分析以NPN管為例。(1