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畢業(yè)設(shè)計(jì)29采用sle4520集成電路的三相spwm異步電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速系統(tǒng)設(shè)計(jì)-預(yù)覽頁(yè)

 

【正文】 (單極性) 我們所用 PWM脈寬調(diào)制信號(hào)是采用調(diào)制波(正弦波 Ur)與載波(三角波 Uc)相比較的方法產(chǎn)生,常用的載波是三角波,常用的調(diào)制波是正弦波,這種調(diào)制波為正弦波的脈寬調(diào)制稱為正弦脈寬調(diào)制( SPWM),產(chǎn)生的調(diào)制波是正弦等幅、等距而不等寬的脈沖列,有兩 種調(diào)制方法: (1).單極性 SPWM法 調(diào)制波和載波如圖 4- 1(a)所示,曲線 1是正弦調(diào)制波 Ur,其周期決定于所需要的調(diào)頻比 Kf,振幅值決定于 Ku,曲線 2是采用等腰三角形的載波,其周期決定于載波頻率,振幅不變,等于 Ku= 1,正弦調(diào)制波的振幅值,每半周期內(nèi)所有三角形的極性相同(即單極性)。 (2).雙極性 調(diào)制波仍為正弦波,其周期決定于 Kf,振幅決定于 Ku,如圖 4- 2( a)中的曲線 1, 載波為雙極性的等腰三角波,其周期決定于載波頻率,振幅不變,當(dāng) Ku= 1時(shí) ,正 弦波的振幅值相等,調(diào)制波與載波的交點(diǎn),決定了逆變橋輸出相電壓的脈沖系列,此脈沖系列也是雙極性的,自由相電壓合成的線電壓是單極性的。 當(dāng)調(diào)制信號(hào)頻率較低時(shí),載比 N較大,半周期內(nèi)的脈沖數(shù)較多,正負(fù)半周期脈沖不對(duì)稱和半周期內(nèi)前后 1/4周期脈沖不對(duì)稱的影響都較小輸出波形接近正弦波,當(dāng)調(diào)制信號(hào)頻率增設(shè)時(shí),載波比 N就減小,半周期內(nèi)的脈沖數(shù)減小,輸出脈沖的不對(duì)稱性影響就變大,這會(huì)出現(xiàn)脈沖的跳動(dòng),同時(shí),輸出波形的正弦波之間的差異也變大,電路輸出特性變壞,對(duì)于三相 SPWM 型逆變電路來(lái)說(shuō),三相輸出的對(duì)稱性也變差,因此,在 采用異步調(diào)制方式時(shí),希望盡力提高載波頻率,以使在調(diào)制信號(hào)頻率較高時(shí),仍能有較大的載波比,改善輸出特性。 我們采用分段同步控 制,它相當(dāng)于在低頻時(shí)采用異步調(diào)制方式而高頻時(shí)切換到同步調(diào)制方式所具備的優(yōu)點(diǎn)。 (2).規(guī)則采樣法 自然采樣法是基本的 SPWM控制的基本原理為出發(fā)點(diǎn),所以準(zhǔn)確地計(jì)算出功能開(kāi)關(guān)器件的通斷時(shí)刻,所得的波形很接近正弦波,但是這種方法計(jì)算量過(guò)大,因而在工程實(shí)際使用并不多,規(guī)則采樣法是一種應(yīng)用較廣的工程實(shí)用方法,它的效果接近自然采樣法,但計(jì)算量卻比自然采樣法小得多。從圖可得如下關(guān)系式: (1+α sinω rtD )/δ /2=2/Tc/2 因此可得 δ= Tc/2(1+α sinω rtD ) (41) 在三角波一周其內(nèi),脈沖兩邊間隙寬度δ為 δ= 1/2(Tcδ )= Tc/4(1α sinω rtD ) (42) 10 δ /2 δ /2δ ' δ '圖4- 3  采用三角波的規(guī)則采樣法 對(duì)于三相橋式逆變電路來(lái)說(shuō),應(yīng)該形成三相 SPWM波形,通常三相的三角載波是公用的,三相正弦調(diào)制波集資相差 120186。 (三)三相 SPWM異步電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速系統(tǒng)方案的確定 一. 采用變頻調(diào)速要達(dá)到的目標(biāo): ( 1) 節(jié)約電能; ( 2) 提高生產(chǎn)力; ( 3) 提高產(chǎn)品質(zhì)量; ( 4) 降低設(shè)備的制造費(fèi)用; ( 5) 提高環(huán)境性。因此,在調(diào)節(jié)電源頻率的同時(shí),要調(diào)節(jié)電壓的大小,以維持磁通的恒定,使最大轉(zhuǎn)矩不變。然而,由于電動(dòng)機(jī)的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì) E1難以測(cè)得和控制,故實(shí)際應(yīng)用中采用一種近似的恒磁通控制方式,即當(dāng)頻率較高時(shí),采用恒比例控制方式,當(dāng)頻率較低時(shí),引入低頻補(bǔ)償,也就是通過(guò)控制環(huán)節(jié),適當(dāng)提高變頻電源輸出電壓,以補(bǔ)償?shù)皖l時(shí)定子電阻上的壓降,維持磁通不變,實(shí)現(xiàn)恒轉(zhuǎn)矩控制。 若要準(zhǔn)確的維持恒功率的調(diào)速,必須按 U1/{F1}=cost的原則,進(jìn)行電壓頻率的協(xié)調(diào)控制。這種系統(tǒng) 不僅安全可靠,而且具有良好的特性。 ( 2) 每極磁通不應(yīng)超過(guò)額定值,一面磁路飽和。 以上( 1)、( 2)、( 3)是技術(shù)條件,( 4)、( 5)是經(jīng)濟(jì)條件。恒磁通控制 時(shí),磁通不變,由于負(fù)載轉(zhuǎn)矩和轉(zhuǎn)速平方成正比,因此電動(dòng)機(jī)電流也和轉(zhuǎn)速的平方成正比,隨著轉(zhuǎn)速的下降,電流急劇減小,使銅耗大大減小,故轉(zhuǎn)速平方型負(fù)載在負(fù)載重、電流大、銅耗大的場(chǎng)合,采用這種控制方式較合適,但對(duì)于輕載的場(chǎng)合,不宜采用這種控制方式,這是因?yàn)楹愦磐刂?,磁通不變,鐵耗較大,對(duì)降低輕載時(shí)的損耗不利。在決定這類負(fù)載的電動(dòng)機(jī)容量時(shí),電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)矩應(yīng)有最低速時(shí)的負(fù)載轉(zhuǎn)矩來(lái)決定,轉(zhuǎn)速則由最高速?zèng)Q定。若調(diào)速范圍為 D,則在額定轉(zhuǎn)速時(shí)的電流為額定電流的 1/D,因而有利于銅耗的減小。 (3)恒轉(zhuǎn)矩型負(fù)載 在電動(dòng)機(jī)滿載的條件下,恒轉(zhuǎn)矩負(fù)載只有一種控制方式,即恒磁通控制方式。恒壓 控制方式在保持電壓不變的條件下,輸出轉(zhuǎn)矩近似和轉(zhuǎn)速成反比。 圖4- 5 帶 低頻補(bǔ)償?shù)暮銐侯l比轉(zhuǎn)速開(kāi)環(huán)控制系統(tǒng)框圖PWM脈寬調(diào)制信號(hào)生成器/D轉(zhuǎn)換器給定積分器恒磁通補(bǔ)償器光電隔離電路驅(qū)動(dòng)電路保護(hù)電路 (2)轉(zhuǎn)差頻率控制 它屬于轉(zhuǎn)速閉環(huán)控制,在恒磁通的條件下,通過(guò)控制轉(zhuǎn)差頻率,就可以實(shí)現(xiàn)對(duì) 轉(zhuǎn)矩的動(dòng)態(tài)控制。 2. 按計(jì)算機(jī)參與控制的情況分類 ( 1) 單片機(jī)控制 ( 2) 多微機(jī)控制 ( 3) 單片機(jī) + SPWM器件控制結(jié)構(gòu) 為了獲得較為理想的調(diào)速性能,人們研制出了各種各樣的 SPWM脈寬調(diào)制信號(hào)發(fā)生器有模擬的,數(shù)字的,還有混合式的,也有數(shù)片集成電路芯片組合而成的, HEF4752就是其中一種,它是 80年代初英國(guó) Mullard公司研制出的一種專門(mén)用來(lái)產(chǎn)生三相正弦脈寬調(diào)制( SPWM)信號(hào)的 大規(guī)模集成電路,它可驅(qū)動(dòng)大功率晶體管,但后來(lái)研制出的SLE4520能驅(qū)動(dòng)頻率更高的絕緣柵晶體管 IGBT,運(yùn)用 SLE4520產(chǎn)生 SPWM脈寬調(diào)制信號(hào)可以使變頻調(diào)速系統(tǒng)控制電路的硬件結(jié)構(gòu)大大簡(jiǎn)化,有利于提高整個(gè)系統(tǒng)的抗干擾性和可靠性,也可以使整個(gè)系統(tǒng)的調(diào)節(jié)控制變得更為簡(jiǎn)捷,采用單片機(jī)控制時(shí),可減小大量的計(jì)算工作量,使微機(jī)騰出空來(lái)處理一些諸如系統(tǒng)測(cè)量,保護(hù)及控制工作,有利于充分發(fā)揮微機(jī)的控制作用。如果發(fā)生事故,則產(chǎn)生中斷來(lái)申請(qǐng)中斷處理。 電阻 R1和燈 L作為系統(tǒng)運(yùn)行的指示標(biāo)志, R2 用于電機(jī)制動(dòng)時(shí)的耗能電阻。因此,對(duì)于三相負(fù)載,則需要 36個(gè)晶閘管元件,另外,由于輸出波形是由供電電源經(jīng)整流后得到的,所以 ,交流輸出的頻率不能高于電網(wǎng)電源的頻率。因此,在直流環(huán)節(jié)和電動(dòng)機(jī)之間將有無(wú)功功率流動(dòng),所以必須在直流環(huán)節(jié)和負(fù)載之間設(shè)置貯能元件,以緩沖無(wú)功能量,根據(jù)無(wú)功能量的處理方式,變頻電源分為電壓源和電流源兩種。 在本課題中,我勻利用 SLE4520進(jìn)行變頻調(diào)速產(chǎn)生的 SPWM波調(diào)制技術(shù),故我們通常選用電壓源變壓器。 其 UDMAX= 220*= 濾波器件的說(shuō)明及選擇 從整流電路的分析中看出,經(jīng)整流出來(lái)的電壓不是純直流電,而是一個(gè)交流成分與直流電壓疊加而成的脈動(dòng)直流電壓,由于脈動(dòng)大,產(chǎn)生雜音或使信號(hào)嚴(yán)重失真,影響通信質(zhì)量(傳支質(zhì)量),所以必須加濾波器進(jìn)行濾波。 GTR與 GTO相比較雖有關(guān)斷控制容易的優(yōu)點(diǎn),但因其是用電流信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的,所需驅(qū)動(dòng)功率較大,故基極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比較復(fù)雜,并使工作頻率難以提高。 IGBT具有 MOSFET的工作速度快,輸入阻抗高,熱穩(wěn)定性好,驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn),也具有 GTR的阻斷電壓高,載流能力強(qiáng)的特點(diǎn),并且沒(méi)有 GTR固有的二次擊穿 問(wèn)題,安全工作區(qū)寬。 二 .IPM模塊的介紹 智能電力模塊是電力集成電路的一種,有時(shí)也稱為智能集成電路。電力集成模塊的智能化主要表現(xiàn)在易實(shí)現(xiàn)控制功能,保護(hù)功能和接口功能等三方面, IPM就具有這種特點(diǎn),它將主開(kāi)關(guān)器件,續(xù)流二極管,驅(qū)動(dòng)電路,電流、電壓、溫度檢測(cè)元件及保護(hù)信號(hào)生成與傳送電路,及某些接口集成在一起,形成所謂混合式電力集成電路,表現(xiàn)它的智能與靈巧特色。本驅(qū)動(dòng)電路具有如下特點(diǎn): 24 分別使用單獨(dú)門(mén)極電阻 ,根據(jù)驅(qū)動(dòng)元件的特性 ,可獨(dú)立地控制各自的開(kāi)關(guān) dv/dt。 ( OC) IGBT 的過(guò)電流保護(hù),檢測(cè)出集電極電流,如在 6~ 8μ S ( tDOC)的時(shí)間內(nèi)連續(xù)超過(guò) Ioc,則軟關(guān)斷 IGBT。 內(nèi)置防止誤動(dòng)作閉鎖功能( UV, OH 公用)全部 IGBT 的 OC 保護(hù)功能,閉鎖時(shí)間約持續(xù) 2ms,保護(hù)動(dòng)作閉鎖期間,即使有 ON輸入, IGBT 也不動(dòng)作。 3. 短路保護(hù)功能( SC) OC保護(hù)功能動(dòng)作時(shí), SC保護(hù)將聯(lián)動(dòng),能抑制因負(fù)載短路及橋臂短路的峰值電流。此時(shí),若下橋臂側(cè) IGBT 的輸入信號(hào)為 ON時(shí),將被軟關(guān)斷,在 2ms 閉鎖期間停止工作。此時(shí),若 IGBT 的輸入信號(hào)為 ON時(shí),將被軟關(guān)斷,在 2ms 閉鎖期間停止工作。上橋臂上橋臂 OC, UV, TjOH保護(hù)功能動(dòng)作時(shí),沒(méi)有報(bào)警輸出。 IGBTIPM 的特點(diǎn) IPM(智能功率模塊),與過(guò)去的 IGBT 模塊和驅(qū)動(dòng)電路的組合電路相比,有 如下特點(diǎn): 驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)置 在最佳設(shè)定條件下,驅(qū)動(dòng) IGBT。 OC, SC 保護(hù)能防止因過(guò)電流,負(fù)載短路導(dǎo)致 IGBT 的損壞,由于對(duì)每個(gè) IGBT 的集電極電流進(jìn)行檢測(cè),所以無(wú)論 哪個(gè) IGBT發(fā)生異常都可保護(hù),尤其橋臂短路也可保護(hù),由于每個(gè) IGBT 均有內(nèi) 置的電流檢測(cè),無(wú)須另加檢測(cè)元件。 R系列 IPM,IGBT 管芯內(nèi)設(shè)有溫度檢測(cè)元件,對(duì)于芯片的異常發(fā)熱, OH保護(hù)可快速動(dòng)作(管芯溫度過(guò)熱 26 保護(hù) TjOH)。15KV/μ s 或 10KV/μ s TPHL=TPLHlt。 ③ 發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路 報(bào)警輸出用光耦 ① 光耦規(guī)格 可使用普通光 耦,但滿足以下特性為佳。但是,要求光耦輸出 Ioutgt。使用市售的電源組件時(shí),電源輸出側(cè)的 GND 端子不要互連。 GND 的連接 下臂側(cè)控制電源 GND 與主電源 GND 已在 IPM內(nèi)部連接,因而絕對(duì)不要在 IPM 的外部進(jìn)行連接。 應(yīng)選擇頻率特性好,阻抗低的電解電容器,將其與高 頻薄膜電容并聯(lián)使用效果更好。 電壓范圍的考慮 IPM 的指 標(biāo)中規(guī)定了主電源電壓 ,內(nèi)有 VDC,VDC(surge),VSC,VCES 等 4 項(xiàng) ,(內(nèi)容參見(jiàn)第2 章的特性術(shù)語(yǔ) ). 根據(jù)該 4 項(xiàng) ,主電源電壓范圍如下 : 對(duì) AC進(jìn)線加噪聲濾波器 ,加裝絕緣接地 . 0V以下 (添加反向電壓 ) 控制電路將損壞,絕對(duì)不要加反壓。注意不要在此電壓范圍內(nèi)的 工作。 20V以上 可能損壞控制電路,務(wù)必不要加此高的電壓。 電源上電順序 如上 所述,應(yīng)在 Vcc 為 ~ 后添加主電源,如在此前加上主電源,最壞的場(chǎng)合,保護(hù)特性還未充分作用前, IPM 已先損壞。 1 保護(hù)動(dòng)作 的共同點(diǎn) 1) 保護(hù)的范圍 IPM 內(nèi)置的保護(hù)功能僅針對(duì)非重復(fù)性的異?,F(xiàn)象的保護(hù)。 負(fù)載異常 OC動(dòng)作例子及注意事項(xiàng) 1) 過(guò)負(fù)載 因馬達(dá)的負(fù)載異常等引起 IPM輸出電流上升時(shí) OC保護(hù)動(dòng)作,經(jīng) tDOC后 IGBT 軟關(guān)斷,如為下臂側(cè)則輸出報(bào)警。 啟動(dòng)時(shí),如輸入信號(hào) ON脈寬超過(guò) 10μ S,短路電流將被檢出, OC保護(hù)動(dòng)作,報(bào)警輸出可檢測(cè)到異常情況。 IGBT 自行關(guān)斷約 2ms,如輸入信號(hào)還未停止,則在 2ms 后保護(hù)狀態(tài)復(fù)位。下臂側(cè)公用一個(gè)報(bào)警輸出,而上臂側(cè)則無(wú)報(bào)警輸出。 管殼溫度保護(hù)( TcOH)之溫度檢測(cè)點(diǎn) 管殼溫度保護(hù)之溫 度檢測(cè)點(diǎn)是焊接于裝有功率元件的陶瓷基板上,位于下臂 X 相 IGBT的近旁基板的端部, TcOH 對(duì)基板整體溫升起保護(hù)作用,但若某一主功率元件集中發(fā)熱,則由 之管芯溫度保護(hù) TjOH保護(hù)動(dòng)作。 (五 ),穩(wěn)壓電源 穩(wěn)壓電源的輸出電壓不受負(fù)載變化和電網(wǎng)電壓波動(dòng)等的影響而保持恒定不變,因此,穩(wěn)壓電源是自動(dòng)控制技術(shù)中不可缺少的設(shè)備。 T1D1D2D3D4C13300uC20 . 1 u7805C4470uC50 . 6 8 u+ 5 v~ 2 2 0 V++ T1T R A N S 1D1D2D3D43300u0 . 1 u1000u0 . 1 u7815123+ 1 5 vF1F U S E 1~ 2 2 0 V 集成穩(wěn)壓具有體積小,精度高,使用方便,多功能保護(hù),輸出電流可擴(kuò)展的特點(diǎn),其輸出電壓固定,外圍電路簡(jiǎn)單。 顯示撥碼盤(pán)給定系統(tǒng)光電耦合控制回路方框圖 1. 系統(tǒng)控制回路工作原理圖的說(shuō)明。如此循環(huán)工作下去,當(dāng)電路發(fā)生過(guò)流,過(guò)壓等現(xiàn)象時(shí),由檢測(cè)電路向 8031發(fā)出信號(hào),同時(shí)向 SLE4520的 INGIBIT引腳發(fā)出封鎖信號(hào)封鎖 SLE4520,以防止逆變器過(guò)載、短路等故障。 SLE4520 為雙列直插式 28 腳芯片,如圖所示。 2). P7~ P0( 4腳~ 11腳),為 8位數(shù)據(jù)輸入端,與 8位 CPU的數(shù)據(jù)總線相接。該端輸入信號(hào)控制 3個(gè)可預(yù)置 8位減法計(jì)數(shù)器是否開(kāi)始進(jìn)行遞減運(yùn)算。 34 2). RES( 23腳),為 SLE4520的復(fù)位端,可與微機(jī)位電路的輸出相連。 SLE450芯片被選通工作;為低電平時(shí),該芯片不工作。 2). STATUS( 20腳)
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