電子元件與材料稿件修改規(guī)范-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 作者、基金項(xiàng)目、作者簡(jiǎn)介、網(wǎng)絡(luò)出版時(shí)間、網(wǎng)路出版地址，標(biāo)題六黑，內(nèi)容六宋。引言應(yīng)簡(jiǎn)單介紹課題的背景和目的，相關(guān)領(lǐng)域前人所作工作，存在的問(wèn)題，引出本研究的主題與及特色。 圖、表、公式請(qǐng)全文連續(xù)編號(hào)）基金項(xiàng)目：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目（。但由于晶體硅表面對(duì)可見(jiàn)光及紅外光的高反射率導(dǎo)致硅光電探測(cè)器在相應(yīng)波段的響應(yīng)度比較低，制約了硅基性能的提高[]。一級(jí)標(biāo)題小四，黑體，居左 實(shí)驗(yàn)表為應(yīng)用田口實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)的()混合直交表[]，研究薄膜的鍍制條件。預(yù)頌圣鉉儐歲齦訝驊糴買(mǎi)。鐃誅臥瀉噦圣騁貺頂廡縫。（注：表題為中英文對(duì)照，文字和符號(hào)的標(biāo)注應(yīng)與正文相同）擁締鳳襪備訊顎輪爛薔。贓熱俁閫歲匱閶鄴鎵騷鯛。圖題：小號(hào)，宋體。蠟變黲癟報(bào)倀鉉錨鈰贅。圖（）為所制備的多孔硅（）的表面電鏡照片。綾鏑鯛駕櫬鶘蹤韋轔糴飆。標(biāo)尺置于照片的右下角，圖中各分圖的序號(hào)置于左上角。圖（）和（）分別為單晶硅片、及的光暗電導(dǎo)比（）和在偏壓下不同波長(zhǎng)的響應(yīng)度（）。貓蠆驢繪燈鮒誅髏貺廡。使用規(guī)定的量符號(hào)（必要時(shí)可加上下標(biāo)或括號(hào)注釋?zhuān)?，不用英文縮寫(xiě)。記號(hào)具有“運(yùn)算”和“連式”的雙重作用。分別制備了單晶硅片、多孔硅、多孔硅表面負(fù)載銀納米顆粒的，在 波長(zhǎng)處制備的具有最高的光暗電導(dǎo)比，波長(zhǎng)處制備的的光響應(yīng)度均高于單晶硅片以及制備的。參考文獻(xiàn)：[]孔慧. 單靶磁控濺射制備太陽(yáng)能電池材料的研究[]. 上海: 華東師范大學(xué), .輒嶧陽(yáng)檉籪癤網(wǎng)儂號(hào)澩。[] 高尚,裴蔣,田郭,等. 包埋納米粒子對(duì)金屬半導(dǎo)體金屬結(jié)構(gòu)紫外光電探測(cè)器性能的影響 []. 物理學(xué)報(bào), , (): .識(shí)饒鎂錕縊灩筧嚌儼淒。[] , , , . [] . Germany: : .恥諤銪滅縈歡煬鞏鶩錦。參考文獻(xiàn)書(shū)寫(xiě)以 —為基礎(chǔ)，有少許修正。著作格式要求可通過(guò)本刊官網(wǎng)下載（下載中心），上例為代表性參考文獻(xiàn)的著錄格式；注意參考文獻(xiàn)的標(biāo)識(shí)、責(zé)任者、頁(yè)碼等不能缺項(xiàng)
公司管理相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1