[理學(xué)]微電子器件-預(yù)覽頁
【正文】 21112R WRL?? ????? ? ? ? ? ?????口口 稱為 信號(hào)延遲時(shí)間 ，代表信號(hào)從發(fā)射極到集電極總的延遲時(shí)間，則 可寫為 當(dāng) 時(shí)， e b b d c( ) 1? ? ? ? ??? ? ? ? ?b0e b b d ce1 ( )jmj?????? ? ? ? ???? ?? ? ? ?令 e c e b b d c? ? ? ? ?? ? ? ? ，b e b b d c()0122 2e b b d ce1 ( )jm? ? ? ? ? ??? ? ? ? ???? ? ? ? ?????? ? ? ???e b b d c()0122 2e b b d ce1 ( )j? ? ? ? ??? ? ? ? ?? ? ? ?????? ? ? ????? 可見，在直流或極低頻下， 隨著頻率的提高， 的幅度 下降，相角 滯后。00bbee111jmjmjj??? ? ???? ????????????????????????????? 000 ??? ?0?（ 2）對(duì) fa 500 MHz 的現(xiàn)代微波管， WB 1 ?m ， ?b 只占 ?ec 中很小一部分， 就更小了，因此，可忽略 ，得： bm?? bm??00ece c e b b d c1111jj???????????? ? ? ? ?????????? 共發(fā)射極高頻小信號(hào)短路電流放大系數(shù)及其截止頻率 bbb0e c b00e 1()1e11ejmjmjmmj??? ??????? ? ??????????? ?????將 代入，得： b0e c be1 ( )jmjm?????? ? ???? ???若忽略 ，得： bm??00ec0 0 e c011111jj??????? ?? ??? ? ?????cbc0b 1vii?????????? 的截止角頻率 和 截止頻率 ，記為 和 ，即： 定義： 當(dāng) 下降到 時(shí)的角頻率和頻率分別稱為 || ??0 e c1?? ???021 ?0 e c12f ? ? ? ??這時(shí) 又可表為 ????????ffjj ????1100?? ?? ?f?? 與 的關(guān)系 在忽略 的情況下， bm?????????????fff ??????00e c b e c11 ,m?? ? ? ??? ??所以 ???? 晶體管的特征頻率 隨頻率的變化 ????ffj??10；，相角，時(shí)，當(dāng) o00 4521 ?????? ???? ??? jff，為實(shí)數(shù)，相角為零；時(shí)，當(dāng) 0?? ?? ??? ffo000 90, ???????? 相角，時(shí)，當(dāng)ffffjffjff ????????????? 在此頻率范圍內(nèi)， ic 比 ib 滯后 900 ，且 與 f 成反比，即 頻率每加倍， 減小一半。 ????ffj??10 由 ?? 實(shí)際測(cè)量 fT 時(shí)，不一定要測(cè)到使 下降為 1 時(shí)的頻率，而是在 的條件下測(cè)量 （ 可以大于 1 ），然后根據(jù) ，即可得到 || ??Tf f f? ?? || ??0 T|| f fff???? ??TT| | , ( )f f f f f???? ? ? 由于上式， fT 又稱為晶體管的 增益帶寬乘積 。 大電流下，當(dāng)基區(qū)發(fā)生縱向擴(kuò)展 ?WB 時(shí)，使基區(qū)渡越時(shí)間 ?b 增加。這是因?yàn)? VBC 減小時(shí)集電結(jié)耗盡區(qū)變薄， CTC 增加，從而使 ?c 增加。 高頻晶體管的 fT 與 ?ec 2dcBe c e b b d c e TE c s TCB m a x21 122xWr C r CDv? ? ? ? ? ????? ? ? ? ? ? ? ? ?????Tec12f ??? 當(dāng) WB 較大， fT 較低時(shí)，提高 fT 的主要措施是減小 WB
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