《半導(dǎo)體器件bwu》ppt課件-預(yù)覽頁
【正文】 管設(shè) DB導(dǎo)通、 DA反偏截止；忽略正向壓降，輸出端 F的電位 VF為 0V。 穩(wěn)壓二極管 上 頁 返 回 127 （ 4） 穩(wěn)定電流 IZ、 最大、最小穩(wěn)定電流 Izmax、 Izmin。 ?? k2LR解： 令輸入電壓達(dá)到上限時(shí)，流過穩(wěn)壓管的電流為 Izmax 。 雙極結(jié)型晶體管 上 頁 返 回 131 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 基區(qū)：較薄，摻雜濃度低 集電區(qū)：面積較大 ,雜質(zhì)濃度低 發(fā)射區(qū)：摻 雜濃度較高 上 頁 返 回 132 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) 上 頁 返 回 133 B E C IB IE IC NPN型三極管 B E C IB IE IC PNP型三極管 上 頁 返 回 134 ? β = ICN/IBN ? IE=IBN+ICN ? IC=ICN+ICB0 ? IB=IBNICB0 ? IC= β IBN+ICB0 ? = β (IB+ICB0)+ICB0= β IB+(1+ β )ICB0 ? = β IB+ICE0 ? ICBO集、基極間反向飽和電流 ? ICE0穿透電流判斷晶體管質(zhì)量的好壞（ IB=0） ? IC= β IB 上 頁 返 回 135 電流分配定律 ? 前提：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置 ? IC= β IB ? IE=IC+IB=(1+ β ） IB 上 頁 返 回 136 特性曲線 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 實(shí)驗(yàn)線路 上 頁 返 回 137 一、 輸入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 工作壓降： 硅管UBE?~,鍺管 UBE?~。 上 頁 返 回 139 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 UCE?UBE,集電結(jié)正偏， ?IBIC，UCE? 稱為飽和區(qū)。 即： UCE?UBE ， IBIBS=VCC/ ? RC，UCE? (3) 截止區(qū)： UBE 死區(qū)電壓， IB=0 ， IC=ICEO ?0 上 頁 返 回 142 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 當(dāng) USB = 2V， 2V， 5V時(shí)， 晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn) Q位 于哪個(gè)區(qū)？ 當(dāng) USB =2V時(shí)： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 IB 最大飽和電流： IB=VSC/ ?RC =12/50*6= Q位于截止區(qū) 上 頁 返 回 143 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 當(dāng) USB = 2V， 2V， 5V時(shí)， 晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn) Q位 于哪個(gè)區(qū)？ IB IBS (=) ， Q位于放大區(qū) ?；鶚O電流的變化量為 ?IB， 相應(yīng)的集電極電流變化為 ?IC， 則 交流電流放大倍數(shù) 為： BII C????1. 電流放大倍數(shù) ? ___?上 頁 返 回 146 例： UCE=6V時(shí) ： IB = 40 ?A, IC = mA； IB = 60 ?A, IC = mA。 上 頁 返 回 169 2. 輸出特性曲線 ID U DS 0 UGS(th) 上 頁 返 回 170 1. 輸出特性曲線 四、耗盡型 N溝道 MOS管的特性曲線 輸出特性曲線是指以 uGS為參變量時(shí) ,iD和 uDS的關(guān)系。 光電器件 死區(qū)電壓 : ~ 工作電 壓 : ~ 工作電流： 5~15mA 反向擊穿電壓： 10V（一般） 上 頁 返 回 180 光敏器件 反向電流隨光照強(qiáng)度的增加
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1