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大學(xué)物理電通量高斯定理-預(yù)覽頁

2025-02-06 19:36 上一頁面

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【正文】 E S E S??? ? ?????e SS1 0dd?? ? ? ? ? ????niiiqΦ E S E S?1( ) dniSiES?????2) 哪些電荷對閉合曲面 的 有貢獻(xiàn)? s思考: 1) 高斯面上的 與那些電荷有關(guān)? E?eΦ1) 高斯面上的電場強(qiáng)度為 所有 內(nèi)外電荷的總電場強(qiáng)度 . 4) 僅高斯面 內(nèi) 的電荷對高斯面的 電通量 有貢獻(xiàn) . 2) 高斯面為封閉曲面 . 3) 穿進(jìn)高斯面的電通量為 負(fù) ,穿出為 正 . 總 結(jié) 所有電荷 曲面內(nèi)的電荷 例: 如右圖所示,閉合面 S內(nèi)有一點(diǎn)電荷 q, P點(diǎn)為 S面上一點(diǎn),在 S面外 A點(diǎn)處有一點(diǎn)電荷 q′,若將 q′移至 B點(diǎn), 則( )。 E( A)如果高斯面上 處處為零,則該面內(nèi)必?zé)o電荷 E( B)如果高斯面內(nèi)無電荷,則高斯面上 處處為零。 ( 3)確定高斯面內(nèi)所包圍的電荷之代數(shù)和。 取過場點(diǎn) P的一同軸圓柱面為高斯面, 底面半徑為 r,高為 l (1 ) rRd2 π? ? ???SSE S E d S rlE2q Rl????0()RE r Rr??? ? ?高斯面內(nèi)包含的總電量 由高斯 定理 0d2 π =SqE S r lE??? ??(2 ) rR0q ?? 0 ( )E r R??
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