[工學(xué)]半導(dǎo)體集成電路第1章-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 ???? ? ? ???令 11SSI ( e 1 )I ( e 1 )TTVVCCVVECII?????????則 CCEC11I11I11FEFRBFRCRIII???????? ??? ????????? ?????? ?????? ????? 以圖表示： 稱(chēng)傳輸型 EM模型 將 IEC， ICC兩個(gè)電流源合并， 則得到非線性混合型 EM模型 三、四層三結(jié) EM模型 ?將 IC中的晶體管簡(jiǎn)化為四層三結(jié)的一維模型 S p n+ p n B E C PNP NPN ? 從模型可以看出， IC中的晶體管除主晶體管外，還存在一個(gè)寄生 PNP管，欲得到 PNP管對(duì) NPN管影響的程度，最直觀的方法是引入四層三結(jié) EM模型，并與三層二結(jié) EM模型進(jìn)行比較，仍規(guī)定電流電壓的正向?yàn)?P→N 1 1 2 32 1 2 33 1 2 300D R D DF D D S R DD S R D DI I I II I I II I I I????? ? ???? ? ? ??? ? ? ??且 112233EBCSIII I II I III???????? ? ??? ??代入 I1， I2， I3的表達(dá)式表示為矩陣形式 123( 1 )1011( 1 )1101 ( 1 )TTTVVESERVB F R SR VCSC F SF SR VVS SF SSIeIIIeII Ie?? ? ?? ? ????????? ? ? ???? ? ? ?? ? ? ??? ? ? ?????? ? ? ?? ? ? ???? ? ? ?? ? ? ???? ?? ? ? ???這就是四層三結(jié)晶體管 EM模型 四、 IC中晶體管的有源寄生效應(yīng) ? 為便于分析，首先給出 IC中晶體管的典型參數(shù) FSF???? 1 6 1 5 1 31 0 , 1 0 , 1 0E S C S S SI A I A I A? ? ?? ? ?? 并作如下簡(jiǎn)化： PN結(jié)正偏時(shí)： 反偏時(shí)： 幾部分電流相加時(shí)，若含有 項(xiàng)，則其他項(xiàng)可忽略。 普通 NPN管 IC中的 NPN管 關(guān)斷電流增大 100倍，且整個(gè)電路增加了襯底漏電流。 物理意義：集電極電流被襯底結(jié)漏電流分流下降，故 Vces下降。 ? 考察襯底漏電流的情況： 當(dāng) NPN管正向有源或截止時(shí) IS=－ ISS 可通過(guò)減小襯底截面積和選擇有關(guān)材料的電阻率調(diào)整。 摻金 ? 金在半導(dǎo)體內(nèi)形成有效復(fù)合中心，可顯著降低載子壽命，摻金于 PNP管基區(qū)內(nèi)，可使 αSF＜。 描述無(wú)源寄生效應(yīng)的典型的晶體管結(jié)構(gòu)如下 Cjs Cjc Cjs Cjs Cje Rc2 P Rc3 Rc1 C E n n+ B 發(fā)射極串連電阻： Rc歐姆接觸系數(shù) 量綱 ， Se 發(fā)射極接觸
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