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[農(nóng)學]光電子技術第一章電磁波與光波-預覽頁

2024-11-09 17:47 上一頁面

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【正文】 jSdHsS???????????????????? ????0tDjH?????? ???0麥克斯韋方程組的微分形式 ? ?? ?? ?? ?? ?000?????????????????????????????ⅣⅢⅡⅠtDjHBtBED????????麥克斯韋方程組的物理意義 0?? (Ⅰ )式:電位移矢量或電感應強度D的散度等于電荷密度 ,即 電 場為有源場 。 電場與磁場的激發(fā) 不符合右手法則(為負) t B ? ? 符合右手法則 t D ? ? 電磁波的傳播 電場 波源 磁場 磁場 磁場 磁場 磁場 電場 電場 電場 ?介質方程 ?邊界條件 ?法向分量的躍變 ?切向分量的躍變 介質方程 對于各向同性的介質來說,有: )()()(000EjHBED??????????????為電阻率。 邊界條件 ? 在解麥克斯韋方程組的時候,只有電磁波在介質分界面上的邊界條件已知的情況下,才能惟一地確定方程組的解。 邊界條件: 法向分量的躍變 nS?11 DB或22 DB 或法向分量 分界面 ? ?? ? ? ?021qdSDdSDdSDdSD????????????????側面底面底面因側面面積趨于零,對底面 1來說,n是內法線方向所以: ? ? 012 qSnDDdSD ???????? ????邊界條件: 法向分量的躍變 ? ?)(1212???????nnnnDDDDn?????或?Sq ??0?? 令 為導體分界面上的自由電荷面密度,于是得到: ? 對于磁場 B,把( )式中的 Ⅲ 式應用得到: ? ?)( 1212 nnnn BBBBn ????? ???? 或邊界條件: 切向分量的躍變 ? 在高頻情況下,由于趨膚效應,電流、電場和磁場都將分布在導體表面附近的一薄層內。 邊界條件: 切向分量的躍變 D C A B 12介質分解面介質切線分量11 EH或22 EH 或l?? 把麥氏方程( )式中的Ⅳ 式應用于狹長回路上。由于實際問題往往含有幾種介質以及導體在內,因此,邊界條件的具體應用對于解決實際問題十分重要。 ncvcv ?? 和???n三星 CLP500彩色激光打印機 高性價比的激光打印機 索尼愛立信 S700C手機 蘋果 iPod Photo
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