【正文】 態(tài)。故可認(rèn)為主要有發(fā)射區(qū)電子形成發(fā)射極電流 ?E ， 其 方向與電子流動(dòng)方向相反 。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) (3) 集電區(qū)收集擴(kuò)散過(guò)來(lái)的電子 由于集電結(jié)處于反偏狀態(tài)，擴(kuò)散到集電結(jié)的電子很快漂移到集電區(qū)，形成電流 ICN。 IBN和 ICBO構(gòu)成基極電流 IB。實(shí)用電路中，晶體管主要用于放大動(dòng)態(tài)信號(hào)。 b.(外部 )：發(fā)射結(jié)要正向偏置、集電結(jié)要反向偏置。 三極管的這種狀態(tài)叫 截止。BJT的特性曲線是指各電極電壓與電流 之間的關(guān)系曲線，它是內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的外 部表現(xiàn)。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 由圖可知，特性比較平坦的部分隨著 VCE的增加略向上傾斜。當(dāng) uCE略有增加時(shí)， iC增加較大。由于 uCE增大到一定程度后，集電區(qū)把從基區(qū)擴(kuò)散過(guò)來(lái)的電子全都收集到集電區(qū)， 再增大，擴(kuò)散來(lái)的電子數(shù)目也不會(huì)增多，即 ic值不隨 uCE增加，只與 iB有關(guān)，在這個(gè)區(qū)域內(nèi)， β近似為常數(shù)。 (3)截止區(qū)： iB ≤0 的部分， iC≈0 ，晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)。所以，可以用一個(gè)線性電路等效代替在微小工作范圍內(nèi)的三極管。我們用一個(gè)等效電阻 rbe來(lái)表示輸入回路中電壓與電流的關(guān)系，即 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) bbeBBE iuIUber ?? ??由輸出特性曲線可知，在放大區(qū)，曲線幾乎是水平的，可以認(rèn)為 ic與 uCE無(wú)關(guān)，只與 iB的大小有關(guān)。 rbe的確定： 經(jīng)推證： 式中 IE是發(fā)射極直流電流， rbe是等效電路中的交流電阻。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 解： 判斷晶體管的工作狀態(tài)主要是分析其兩個(gè)PN結(jié)的偏置狀態(tài)；而判斷鍺管或硅管主要是看其導(dǎo)通時(shí)發(fā)射結(jié)的壓降，若 |UBE|=則為硅管， |UBE|=。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) （ b） PNP型管， UEB==，硅管，發(fā)射結(jié)正偏； UCB==，集電結(jié)正偏；故該管工作在飽和狀態(tài)。求： ， ， ? ， ? 。 作為判斷管子質(zhì)量的重要依據(jù) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) (1) 集電極最大允許電流 ?CM: 集電極電流 iC的一個(gè)很大范圍內(nèi)， BJT的 ?值基本不變，但當(dāng) iC超過(guò)一定值后， ?將明顯下降，且 BJT可能有損壞的危險(xiǎn)，該電流值即為ICM。 (BR)CEO 指基極開(kāi)路時(shí)，集電極 發(fā)射極間的反 向擊穿電壓。 耦合電容（ C1， C2） —— 隔斷放大電路與信號(hào)源及 負(fù)載之間的直流通路，而對(duì)交流信號(hào)又應(yīng)暢通無(wú)阻（交流耦合作用）。若基極加上正向偏壓 UBEQ，產(chǎn)生相應(yīng)的偏置電流IBQ，波形不再失真，如圖 (b)所示。如圖 。輸出負(fù)載電阻 RL上的電壓 tS i nRIRIRiu CcmCCQCCO ??????模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 為統(tǒng)一起見(jiàn)，我們對(duì)符號(hào)及其相應(yīng)含義作如下規(guī)定（以電壓為例）： UBE —— 直流電壓 ube —— 交流電壓瞬時(shí)值 uBE —— 直流電壓疊加交流電壓（總電壓瞬時(shí)值） Ube —— 正弦交流電壓有效值 3. 偏置方法 分為簡(jiǎn)單偏置與分壓式偏置兩種。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) NPNR BR CU CC(a) 簡(jiǎn)單偏置+U CCR B R CNPN(b) 習(xí)慣畫(huà)法圖 簡(jiǎn)單偏置電路（ NPN管） 如果是 PNP管，則應(yīng)改為負(fù)電源供電，如圖 。 I1 I2 RB1 RB2 RBQ RC +UCC +UCC ICQ UbEQ (a) (b) + _ UBEQ UB RB1 RB2 UE CE + _ ICQ RC IEQ RC 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 因此 UBEQ = UB UE 基極偏壓 的大小 ,由所需基極偏置電流 (以及 相應(yīng) ) 決定 ,它一般在下列范圍內(nèi) : 圖 （ b）直流工作點(diǎn)的熱穩(wěn)定性要比圖 （ a）好，原因解釋如下： 設(shè)由于溫度 T℃ 上升，導(dǎo)致 ICQ有增加趨勢(shì)，圖 （ b）電路中 RE的作用，將使 ICQ變化減小，上述穩(wěn)定過(guò)程表示如下 : BEQU BQICQI? ???B E QU(鍺三極管 ) (硅三極管 ) T℃ IC IE UE UBEQ IC IBQ 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 各種放大器均可統(tǒng)一表示為如圖所示的組成框圖。 衡量放大器放大性 能的主要指標(biāo)是增 益、輸入電阻、輸出電 阻、頻率失真和非線性 失真等。 iOUUuA ?sOUUusA ?放大器 R LU 0U SR SU iR i電壓源 A uA us負(fù)載圖 電壓增益 SiiSiiO RR RuUUUUus AA ????兩者之間關(guān)系是： 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) (2). 電流增益 ① . 外觀電流增益（簡(jiǎn)稱電流增益） ② . 源電流增益 兩者關(guān)系： iOIIiA ?sOIIisA ?isssiiOsO RR RiIIIIIIis AA ??????圖 電流增益 放大器 R LU 0R SI i I 0R iI SI S電流源 負(fù)載A iA is模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) (3). 功率增益 (4). 電壓增益的一般表達(dá)式 任何放大電路（不管采用什么連接方式，不管是單級(jí)或多級(jí)），在圖 絡(luò)框圖來(lái)表示。由于放大電路一般含有電抗元件，因而放大器對(duì)于不同頻率的輸入信號(hào)具有不同的放大能力。 A0稱為中頻增益 ， A(?) 降為 時(shí)，對(duì)應(yīng)的頻率 fL及 fH分別稱為下限頻率及上限頻率，放大器的頻帶寬（通頻帶）度定義為 : LH ffBW ??A ( ? )?A 0f L f H0. 7BW20A00?? A ( ? )(a )(b)圖 頻率響應(yīng)曲線 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 放大電路的靜態(tài)分析 靜態(tài)是指放大電路沒(méi)有交流輸入信號(hào)時(shí)的工作狀態(tài)，即直流工作狀態(tài)。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 圖 直流通路一例 R CRB1R B2R E CEI 1I 2I E +I 2I EC 1C 2R LI CCU CCI CI BI 2wT r(a) 實(shí)際電路R CRB1R B2R EU CCI 1I 2I EI CCICI B(b) 直流通路模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 例如對(duì)于圖 （ a）電路，直流流通的路徑由箭頭表示。 ② . 在線性放大區(qū)，輸出集電極電流 iC與 uCE無(wú)關(guān)， 既有恒流特性，如圖 （ b）所示。 的靜態(tài)工作點(diǎn)， R CRB1R B2R E CEC 2R L+U CC(a ) 實(shí)際電路R CRB1R B2 RE+U CC(b) 直流通路??C 1U i?EBCu 0圖 求解過(guò)程： 1. 首先根據(jù)畫(huà)直流通路的原則， 畫(huà)出直流通路如圖 （ b）所示 。由圖可見(jiàn)， 在等效電路中， RE的值擴(kuò)大了 倍， ? ???1這是由于 RE電阻接在發(fā)射極上，當(dāng)基極流過(guò) IBQ時(shí)， 在 RE上流過(guò) 倍的 IBQ ， ? ???1 于是 RE直流壓降是 ? ? BQE IR ?? ?1 即 ? ? EBQEEQE RIRIU ?????? 1() 電阻所產(chǎn)生的壓降。 列出右邊支路的方程 : 前者是線性電路方程，后者是非線性方程，也就是共發(fā)輸入特性方程。 R CU CCI BQu CE?i C(a) 輸出回路U CCu CEi BQBCCCRUA直流負(fù)載線I BQ(b) 圖解U BBu BEi BQBBBBRU???????????BRtg11?A直流負(fù)載線圖 用作圖法求輸入回路直流工作點(diǎn) 圖解法求輸出回路的直流工作點(diǎn) 圖 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 再列出左邊輸出特性非線性方程： iC = f2 ( iB , uCE ) () 由于 iB已經(jīng)求出，故式（ ）應(yīng)是對(duì)應(yīng) iB = IBQ那條輸出特性曲線。 ② . 在輸出特性上作直流負(fù)載線。 已知 UCC=12V， RC=4K?， RB=300K?輸出特性如圖 （ b）所示。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 將電容、直流電源短路，電感開(kāi)路即可得到交流通路，如圖 （ b）所示。 ，即輸出與輸入倒相。RIrI39。 其中交流電流既流經(jīng) RC支路，又流經(jīng) RL支路。R1uiLCEC ??（ ） 式（ ）為輸出回路方程，可據(jù)此做出交流負(fù)載線 。故過(guò) Q點(diǎn)，做斜率為 的直線即為交流負(fù)載線。 所以通過(guò) Q點(diǎn)和橫軸截距也可以做出 一條交流負(fù)載線。引起失真的原因有多種，其中最基本的一個(gè)，就是由于靜態(tài)工作點(diǎn)不合適或者信號(hào)太大，使放大電路的工作范圍超出了晶體管特性曲線上的線性范圍。一高一低兩者變化相反。 因此，要放大電路不產(chǎn)生非線性失真，必須有一個(gè)合適的 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 靜態(tài)工作點(diǎn)，工作點(diǎn) Q應(yīng)大致選在交流負(fù)載線（分析失真時(shí)，設(shè)為空載，則 RL=RL’，交流負(fù)載線與直流負(fù)載線重合）的中點(diǎn)。 直流偏置電路的作用是為放大電路設(shè)定合 適的工作點(diǎn)，以便保證放大器完成信號(hào)的線性 非失真放大。 射極偏置電路 由前面的分析可知。 而射極偏置電路正是實(shí)現(xiàn)了以上兩點(diǎn)設(shè) 想