【正文】 1） 當發(fā)射結和集電結 均反偏 時，處于 截至 狀態(tài)： 當發(fā)射結反偏或零偏時，發(fā)射區(qū)不再發(fā)射電子，三極管內(nèi)部只有由少子形成的電流 ICBO ，通常認為 IB≈0 ， IC ≈ 0。 R lΔV Ii =I + Δic c c BBVB B B i =I + ΔiE E E i =I + Δi V CCΔv ocebBEV圖 共射極放大電路 模擬電子技術基礎 在低頻電壓放大電路中以共發(fā)射極的使用方法居多，故以共射接法來分析 BJT的特性曲線。 3）當 uCE＞ 1V后，各曲線已經(jīng)很接近了，因為集電結反偏后，其收集電子的能力已強大至基本不再增加， 從而 iB也不再明顯減小，故只用一條曲線代替所有 uCE＞ 1V的曲線。這是由于 uCE值很小，集電區(qū)收集電子的能力不夠，因此 iC受 uCE的影響。 平坦段較平直， iC基本不隨 uCE的增加而增加。 (2)放大區(qū)： BJT 輸出特性的平坦部分，接近于恒流特性，它符合 iC =? iB的規(guī)律， iC大小只受 iB控制 。我們可以把微小范圍內(nèi)的曲線近似為直線，那么，三極管電壓與電流之間的伏案關系基本是線性的。 由輸入特性曲線可知，在工作點附近的較小的工作段可認為是直線，△ ube與△ ib有 線性關系 。 圖 三極管的微變等效電路 b e ic + uCE － ib c iC + UBE — rbe ib βib + UBE — + Uce － 模擬電子技術基礎 應該指出，微變等效電路只能用于交流信號的分析計算，不能用來分析直流電量的計算問題。 )mA(I )mV(26be E)1(20 0r ?? ???模擬電子技術基礎 112233445566D DC CB BA AT i t l eN um be r R e vi s i onS i z eBD a t e : 2020 5 13 S he e t of F i l e : S he e t c hD oc D r a w n B y : + + 6V+ 1V 2V+ 0V 3V 2V+ 4V+ 4V+ 4V+ 6V+ + ( a ) ( b) ( c ) ( d) ( e )例 如圖所示，晶體管各極電位如圖中標注，試判斷晶體管處于何種工作狀態(tài)（飽和、放大、截止或已損壞），若處于放大或飽和狀態(tài)，請判斷是硅管還是鍺管。 （ c） NPN型管， UBE=3（ 2） =1V，發(fā)射結反偏； UBC=30=3V，集電結反偏；故該管工作在截止狀態(tài)。 ??? BCE iii?模擬電子技術基礎 mAI C 2?已知某三極管 ， ；當 IB增加到 時， AI B ?20? A?22。 ?CEO=?CBO+ ??CBO= (1+ ?)?CBO 硅管的反向電流很小，鍺管的較大。 (BR)CBO 指發(fā)射極開路時，集電極 基極間的反 向擊穿電壓。 基極上，保證 BE結正偏。 模擬電子技術基礎 在加交流信號以前，如果沒有基極偏置電壓，即 UBEQ=0，則 IB=0，IC≈0；加上交流信號 ui以后，基極電流波形對應圖 (b)中①的情況，可見 iB是脈沖波，于是 iC， uO波形也是脈沖波形，輸出產(chǎn)生嚴重失真。 晶體管在直流工作狀態(tài)（靜態(tài)）下的電壓和電流稱為靜態(tài)工作點，用符號 Q表示，即 ICQ ， IBQ ，UBEQ ， UCEQ 。 ?R BR CU BEQU CEQI CQI BQU BBU CC?圖 直流工作點 2. 交流信號激勵下，管內(nèi)電壓電流的波形 模擬電子技術基礎 U BEQU BEtu ito o? =U BEQtou BEtoI BQi Bi bu itoI CQi ci Ctou CE u ceU CEQ圖 放大狀態(tài)下的電壓、電流波形 由圖可見，加在晶體三極管發(fā)射結上的電壓為 iB E QBE uUu ??tS i nUU imB E Q ???如果 Uim足夠小，基極電流 bBQB iIi ??tS i nII bmBQ ???模擬電子技術基礎 當三極管工作在放大區(qū)，且忽略 ICEO時，集電極電流 相應集電極上的電壓 uCE為 tS i nIIiIi cmCQCCQC ?????式中 BQCQ II ??bmcm II ??CCCCCE RiUu ??tS i nRIRIU CcmCCQCC ????tS i nRIU CcmCEQ ???式中， UCEQ = UCC ICQRC為集電極上的靜態(tài)工作點電壓。 上式右邊第二項是 RC上的交流電壓輸出。 圖 PNP管簡單偏置電路 U CCR B R CPNP模擬電子技術基礎 (2)分壓式偏置 圖 分壓式偏置電路 圖 (a)其特點是基極上有直流電壓 UB，它由 UCC經(jīng) RB1與 RB2分壓獲得。圖中所標注的電壓和電流均為交流有效值，方向為假定正方向。 iiIUiR ????? Li00 R,0UIU0R3. 增益 包括電壓增益（又稱電壓放大倍數(shù)），電流增益（又稱電流放大倍數(shù)）以及功率增益（功率放大倍數(shù)） ui 模擬電子技術基礎 (1). 電壓增益 ① . 定義 稱為外觀電壓增益（簡稱 電壓增益 ） ② . 定義 稱為源電壓增益。 4. 頻率響應 它表示放大器的增益與信號頻率之間的關系。 兩者統(tǒng)稱為放大器的頻率特性（或頻率響應），由圖 （ a）可見 ，信號頻率太高或太低 A(?)均要降低。直流通路是指直流流通的路徑，它與分析直流工作狀態(tài)有關。 由此例，總結出畫直流通路的原則： ② . 理想電感（包括變壓器）短路 ① . 電容開路 模擬電子技術基礎 二 . 近似估算法 此方法鑒于下列假定： ① . 在線性放大區(qū)，輸入特性曲線與 UCE無關， 且有恒壓特性，如圖 （ a）所示。 模擬電子技術基礎 1. 列輸入回路的回路方程，求基極靜態(tài) 工作點電流 B E QBQBBB UIRU ??BB E QBBBQ RUUI ??故 選取 VUBEQ ? 代入已知數(shù)，求得 ? ? AAKVIBQ ?? 10104 3 0 5 ???? ?如果滿足 UBBUBEQ條件，則 BBBBQ RUI ?2. 求集電極靜態(tài)工作點電流 C E OBQCQ III ?? ?A?10100 ??mA1?模擬電子技術基礎 3. 求集電極靜態(tài)電壓 CCQCCC E Q RIUU ?????? KmA 1110V9?例 求圖 三極管是硅管， ICEO≈0 。 R BU BB(a ) 輸入回路??U ER EI EQR BU BB(b ) 求 I BQ 的輸入直流等效電路? ?ER??1圖 EEQB E QBBQBB RIURIU ???? ?? ? ECEOBQBEQBBQ RIIURI ????? ?1故 ? ? EB B E QBB RRUU?????1? ? EB EC E OB E QBBBQ RRRIUUI??????1() 模擬電子技術基礎 討論： 式 ()清楚表明，發(fā)射極直流電壓降相當于 IBQ流經(jīng) ① . 按式（ ）畫出求 IBQ的直流等效電路 如圖 （ b）所示。 R BU BB(a ) 輸入回路??U ER EI EQR BU BB(b ) 求 I BQ 的輸入直流等效電路? ?ER??1圖 模擬電子技術基礎 把輸入回路看成是兩個支路的并聯(lián)，列出左邊支路的方程。該直線在橫坐標與縱坐標上的截距，分別確定如下： 令 iB=0 , uBE = UBB 得 A點 令 uBE=0, iB=UBB/RB 得 B點 直流負載線的斜率為 BRtg 1???2. 求輸出回路的直流工作點電流 ICQ 。 直流負載線在橫軸與縱軸上的截距為： 令 iC=0 , uCE = UCC 得 A點 令 uCE=0, iC=UCC/RC 得 B點 直流負載線的斜率為 CRtg 1???總結：采用圖解法求解靜態(tài)工作點 ICQ的步驟如下： ① . 由圖解法或近似估算法求出輸入回路靜態(tài)工作點 IBQ 。 模擬電子技術基礎 簡單偏置電路如圖 （ a）所示。 一 . 交流通路 未加入輸入信號時，電路中只有直流電量，其等效電路為直流通路；加入輸入信號后，電路中既有直流電量又有交流電量，若只考慮交流電量的影響，放大電路的等效形式為交流通路。 由圖 （ b）的交流通路可得其微變等效電路： Βib + Us － ri ui － + Rc Rb rs － + b c ic rbe ib uo RL ro 圖 微變等效電路 模擬電子技術基礎 由圖中電路可求得： Ui=iBrbe Uo=iC（ RC∥ RL） =iC RL’ =βiB RL’ 上式中， RL’ = RC∥ RL，那么電壓 放大倍數(shù)為 式中負號表示輸出電壓與輸入電壓的相位差為 180176。RrI39。 圖 動態(tài)分析圖解法 模擬電子技術基礎 1. 交流負載線 前已分析，在靜態(tài)時 CCQCCCE