教程第12章電路仿真分析-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 電感 電感的屬性設(shè)置對(duì)話框如圖 。 IC：在 Part Fields選項(xiàng)卡中，表示初始條件，即電感的初始電流值。 二極管的屬性設(shè)置對(duì)話框如圖 。 11 JFET結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管包含在。 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的屬性設(shè)置對(duì)話框如圖 。仿真器支持Shichman Hodges、BSIM BSIM BSIM 3和 MOS MOS MOS 6模型，如圖。在元件庫(kù)中有兩種標(biāo)準(zhǔn)，如圖 。 CSW：默認(rèn)的電流控制開(kāi)關(guān)。 AWP10： VT=關(guān)。 這些開(kāi)關(guān)如圖 。這些晶振如圖 示。 繼電器的屬性設(shè)置對(duì)話框如圖 示。 19 傳輸線 傳輸線模型包含在件中，共有 3種傳輸線模型原理圖符號(hào)，如圖。其中部分原理圖符號(hào)如圖 。 VSRC：電壓源。 24 交流仿真源 在 Simulation 庫(kù)中，包含了下列正弦源(Sinusoidalsimulationsources)元器件。仿真庫(kù)中的正弦電壓 /電流源符號(hào)如圖。 IPULSE：電流脈沖源。 26 分段線性仿真源 在 Simulation 庫(kù)中，包含了下列分段線性源 (PieceWiseLinearsimulationsources)元器件。仿真庫(kù)中的分段線性源符號(hào)如圖 。 IEXP：指數(shù)激勵(lì)電流源。 28 調(diào)頻仿真源 在 Simulation 庫(kù)中，包含了下列單頻調(diào)頻源(FrequencyModulatedsimulationsources)元器件。在仿真庫(kù)中的單頻調(diào)頻源元器件符號(hào)如圖 所示。 GSRC：線性電壓控制電壓源。 線性受控源的屬性對(duì)話框如圖 。 設(shè)計(jì)者可利用以上元器件在原理圖中創(chuàng)建非線性受控源，如圖 括的非線性受控源元器件。 SINVCO：壓控正弦振蕩器。 壓控振蕩器仿真源的屬性對(duì)話框如圖 。 在 Simulation ，包含了如下兩個(gè)特別的初始狀態(tài)定義符。其對(duì)雙穩(wěn)態(tài)或非穩(wěn)態(tài)電路的計(jì)算收斂可能是必須的，它可使電路擺脫“停頓”狀態(tài)，而進(jìn)入所希望的狀態(tài)。 Designator：節(jié)點(diǎn)名稱(chēng)，每個(gè)節(jié)點(diǎn)電壓設(shè)置必須有唯一的標(biāo)識(shí)符，如 NS1。 初始條件設(shè)置的屬性對(duì)話框如圖 ，可設(shè)置下列參數(shù)。 (1) 進(jìn)入 Protel 99 SE原理圖編輯的主菜單后，選擇Simulate→Setup 命令，如圖 。該對(duì)話框顯示的是有關(guān) SPICE軟件分析電路時(shí)需要的一些參數(shù)，一般無(wú)須改動(dòng)，默認(rèn)值就可以了。若不從時(shí)間零開(kāi)始，則在時(shí)間零和開(kāi)始時(shí)間 (Start Time)之間，瞬態(tài)分析照樣進(jìn)行，只是不保存結(jié)果。 39 ACSmallSignal(交流小信號(hào)分析 ) 交流小信號(hào)分析將交流輸出變量作為頻率的函數(shù)計(jì)算出來(lái)。 Stop Frequency：結(jié)束分析頻率。 Octave：倍程掃描。 Source Name：電源名稱(chēng)。 Step Value：掃描步長(zhǎng)。 Parameter：選擇需要掃描的參數(shù)。 Sweep Type：掃描形式設(shè)置，通常不選中 Relative Value(相對(duì)值 )項(xiàng)。要設(shè)置掃描溫度分析的參數(shù)，可通過(guò)單擊 Temperature Sweep Analysis標(biāo)簽，獲得掃描溫度分析界面，如圖。 要設(shè)置噪聲分析的參數(shù)，可以通過(guò)單擊 Noise標(biāo)簽，獲得噪聲分析界面，如圖 所示。 (2)仿真的設(shè)置視具體電路和目的而定，在本次仿真中，采用如圖 仿真設(shè)置，對(duì)電路進(jìn)行瞬態(tài)分析和工作點(diǎn)分析。之后，將生成一個(gè)后綴為“ .Nsx”的文件，如圖 。
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