太陽(yáng)能電池的等效電路和轉(zhuǎn)化效率理論上限-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 0 mW/cm2)， 并假設(shè) Voc=， Jsc = 30 mA/cm2， Rs=0。 入射光功率一定 （ 100 mW/cm2)， 并假設(shè) Voc=， Jsc = 30 mA/cm2， Rsh=?。 假設(shè)其量子產(chǎn)額為 1，而且被激發(fā)出的光生少子在最理想的情況下 ， 百分之百地被收集起來(lái) 。 Is是二極管反向飽和電流，其滿足： Is = Aq(Dn/LnNA+Dp/LpND)ni2 ni2= NcNvexp(Eg/kT) 顯然 ， Is取決于 Eg、 Ln、 Lp、 NA、 ND和絕對(duì)溫度 T的大小 ， 同時(shí)也與光電池結(jié)構(gòu)有關(guān) 。 影響太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率的一些因素 我們前面介紹了太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率的理論值 ， 這些理論值都是在理想情況下得到的 。 反射損失：從空氣（或真空）垂直入射到半導(dǎo)體材料的光的反射。 透射損失：如果電池厚度不足夠大，某些能量合適能被吸收的光子可能從電池背面穿出。 光生少子的收集幾率： 在太陽(yáng)能電池內(nèi) ， 由于存在少子的復(fù)合 ，所產(chǎn)生的每一個(gè)光生少數(shù)載流子不可能百分之百地被收集起來(lái) 。 半導(dǎo)體復(fù)合率越高 ， 少子擴(kuò)散長(zhǎng)度越短 ， Voc也就越低 。 例如：對(duì)于高質(zhì)量的硅單晶 ， 當(dāng)摻雜濃度高于 1017cm3時(shí) ， 則俄歇復(fù)合產(chǎn)生影響 ， 使少子壽
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