能源材料ⅱⅵ族多晶薄膜太陽電池材料-預(yù)覽頁
【正文】 。 二、材料性質(zhì) CdTe薄膜材料性質(zhì) 1）結(jié)構(gòu)性質(zhì) CdTe是 Ⅱ Ⅵ 族化合物，是直接帶隙材料，帶隙為。 紅： 640~780nm； 橙： 640~610nm。 3）電學(xué)性質(zhì) CdTe晶體主要靠共價(jià)鍵結(jié)合，但有一定的離子性。氧偏壓 ↑ ，源 襯底間距 ↓ ，電阻率 ↓ 。 窗口層對光激發(fā)載流子是死層 。 CuInSe2薄膜材料性質(zhì) 1）結(jié)構(gòu)性質(zhì) CuInSe2是一種三元 Ⅰ Ⅲ Ⅵ 族化合物半導(dǎo)體，具有黃銅礦 （ 低溫相，正方晶系）和 閃鋅礦 （ 高溫相、閃鋅礦結(jié)構(gòu)）兩個(gè)同素異形的晶體結(jié)構(gòu)。 CuInSe2的光學(xué)性質(zhì)主要取決于 材料各元素的組分比、各組分的均勻性、結(jié)晶程度、晶格結(jié)構(gòu)及晶界 的影響。 ? 當(dāng)薄膜的組分比偏離化學(xué)計(jì)量比較大時(shí) ， 薄膜的 導(dǎo)電性主要由 Cu與 In之比決定，一般是隨著Cu/In比的增加，電阻率下降 ， p型導(dǎo)電性增強(qiáng)。若 Se/(Cu+In)1，薄膜為 p型，具有高的電阻率，或薄膜為 n型，具有低的電阻率。 Te擴(kuò)散入 CdS層中形成具有鉛鋅礦結(jié)構(gòu)的 CdS1y(Tey)，帶隙小于 CdS， Te擴(kuò)散進(jìn)窗口層提高了器件的短路電流。 1） nCdS（低阻） /pCuInSe2（高阻）太陽電池 特點(diǎn)：具有較高的短路電流、中等的開路電壓。 ? p層由低阻的 p型 CuInSe2組成，有較低的體電阻和背接觸電阻，和高電阻 p型層形成背場，有利于開路電壓的提高。 優(yōu)點(diǎn) ：蒸發(fā)材料損失少，結(jié)晶方向好，光伏特性優(yōu)良。 CdS和CdTe晶粒結(jié)構(gòu)之間沒有更多的關(guān)聯(lián)。 CdS/CuInSe2太陽電池制備中的主要影響因素 1） 襯底溫度對薄膜結(jié)構(gòu)的影響 ? 襯底溫度太低，薄膜的結(jié)晶程度變差，晶粒變小，不易生長單一黃銅礦結(jié)構(gòu)的薄膜。 不同氣氛條件對熱處理的影響 ： ? 在惰性氣體中，可使薄膜中 p型導(dǎo)電性能下降，電阻率升高。
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