【摘要】通信與電子工程學院第三章第三章硅的硅的氧化氧化v緒論vSiO2的結構和性質vSiO2的掩蔽作用v硅的熱氧化生長動力學v決定氧化速度常數和影響氧化速率的各種因素v熱氧化過程中的雜質再分布v初始氧化階段以及薄氧化層的生長vSi-SiO2界面特性下一頁通信與電子工程學院二氧化硅是上帝賜給二氧化硅是上帝賜給IC的材料。的材料。通信與電
2025-03-01 04:27
【摘要】第三章晶閘管§普通晶閘管Thyristor硅可控整流器,可控硅,SCR。一、結構:四層PNPN結構,三端器件符號正向阻斷:A—K接正電壓,J2反偏,漏電流很小。反向阻斷:A—K接負電壓,J1,J3反偏,漏電流很小。等效電路:由PN
2025-04-30 01:43
【摘要】第六章可關斷晶閘管(GTO)特點:是SCR的一種派生器件;具有SCR的全部優(yōu)點,耐壓高、電流大、耐浪涌能力強,造價便宜;為全控型器件,工作頻率高,控制功率小,線路簡單,使用方便?!霨TO結構及工作原理GateTurn-offThyristor——GTO一、結構:四層PNPN結構,三端器件;特點:①
2025-05-01 06:14
【摘要】半導體光電子學的新進展RecentProgressonSemiconductorBasedOpto-electronicDevices羅毅YiLUO集成光電子國家重點實驗室清華大學電子工程系StateKeyLabonIntegratedOptoelectronics
2025-01-01 06:44
【摘要】第九章半導體光電子材料n電子器件和光電子器件應用是半導體材料最重要的兩大應用領域n半導體材料Si,GaAs和GaN,InP等既是重要的電子材料,也是重要的光電子材料半導體激光材料n1962年,GaAs激光二極管的問世,作為半導體光電子學的開端。n激光的激射波長取決于材料的帶隙,且只有具有直接帶隙的材料才能產生光輻射,它使注入的電
2025-01-05 09:59
【摘要】第四章電力晶體管§GTR結構雙極型大功率、高反壓晶體管——GTR(巨型晶體管)GiantTransistor三層半導體材料,兩個PN結(NPN型、PNP型)。一、工藝特點三重擴散;叉指型基極和發(fā)射極;特點:發(fā)射區(qū)高濃度摻雜基區(qū)很?。◣譽m—幾十um)N-摻雜
【摘要】半導體的光學特性第一章OpticalPropertiesofSemiconductor?半導體光電子器件工作的本質就是?光子與半導體中電子的相互作用,因此,了解這種作用是掌握光電子器件的關鍵。?光子與半導體電子的作用可以用散射理論來描述?在光子的散射作用下,電子從一個狀態(tài)進入另一種狀態(tài)。?這里電子的狀態(tài)用電子波矢k來表
2025-01-14 10:03
【摘要】年產8億米高密度集成電路封裝材料鋁硅鍵合線項目資金申請報告年產8億米高密度集成電路封裝材料鋁硅鍵合線項目資金申請報告目錄第一章總論.........................................2第一節(jié)概述............................................
2025-06-27 17:07
【摘要】半導體材料的分類及應用 能源、材料與信息被認為是當今正在興起的新技術革命的三大支柱。材料方面,電子材料的進展尤其引人注目。以大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路為核心的電腦的問世極大地推動了現代科學技術各個方面的發(fā)展,一個又一個劃時代意義的半導體生產新工藝、新材料和新儀器不斷涌現,并迅速變成生產力和生產工具,極大地推動了集成電路工業(yè)的高速發(fā)展。半導體數字集成電路、模擬集成電路、存儲器、專用集成電路
2025-08-03 01:41
【摘要】 實驗十七 半導體材料的霍爾效應霍爾效應是磁電效應的一種,這一現象是霍爾(,1855—1938)于1879年在研究金屬的導電機構時發(fā)現的。后來發(fā)現半導體、導電流體等也有這種效應。這一效應對金屬來說并不顯著,但對半導體非常顯著。利用這一效應制成的各種霍爾元件,廣泛地應用于工業(yè)自動化技術、檢測技術及信息處理等方面。霍爾效應是研究半導體材料性能的基本方法。通過霍爾效應實驗能測定半導體材料的
2025-08-03 06:23
【摘要】多晶硅錠定向多晶硅錠定向凝固生長方法凝固生長方法實現多晶硅定向凝固生長的四種方法:p布里曼法p熱交換法p電磁鑄錠法p澆鑄法鑄錠澆注法p鑄錠澆注法于1975年由Wacker公司首創(chuàng),其過程是將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化,而后利用翻轉機械將其注入預先準備好的模具內進行結晶凝固,從而得到等軸多晶硅。p近年來,為了提高多晶硅電池的轉換效率,也
2025-03-01 12:21
【摘要】第4章對半導體材料的技術要求材料學院徐桂英半導體材料第4章對半導體材料的技術要求?半導體材料的實際應用是以其作出的器件來實現的。?器件對材料的要求總的說來有兩個方面:?一方面是根據器件的功能來選擇能滿足其性能的材料,這包括材料的能帶結構、晶體結構、遷移率、光學性質等;?另一方面,在材料選定后,要使材料具有
2025-05-06 12:45
【摘要】化合物半導體材料與器件?輸運:載流子的凈流動過程稱為輸運。?兩種基本輸運體制:漂移運動、擴散運動。?載流子的輸運現象是最終確定半導體器件電流-電壓特性的基礎。?假設:雖然輸運過程中有電子和空穴的凈流動,但是熱平衡狀態(tài)不會受到干擾。?涵義:n、p、EF的關系沒有變化。(輸運過程中特定位置的載流子濃度不發(fā)生變化)?熱運動的速度遠遠超
2025-05-06 06:14
【摘要】第一章半導體材料(一)信息功能材料第一章半導體材料?半導體的基本特性、結構與類型?半導體的導電機構?半導體材料中的雜質和缺陷?典型半導體材料的應用和器件內容:重點:?半導體的電子結構和能帶?典型半導體的應用引言導體半導體絕緣體導電性劃分結晶半導體元素半導體非結晶半導體半導體有機半導體
2025-05-03 18:11
【摘要】理學院時金安08350022022年4月12日半導體納米材料——實驗進展半導體納米材料表征手段制備方法0102制備方法碳納米管模板法熔鹽法激光燒蝕法(VLS)制備方法模板電化學法溶液-液體-固體(SLS)法其他方法制備方法-激光燒蝕法(V
2025-02-21 15:11