【摘要】半導(dǎo)體激光器常用參數(shù)的測(cè)定一實(shí)驗(yàn)?zāi)康模赫莆瞻雽?dǎo)體激光器常用的電學(xué)參數(shù)及其測(cè)試方法一實(shí)驗(yàn)基本原理1、普通光源的發(fā)光——受激吸收和自發(fā)輻射普通常見(jiàn)光源的發(fā)光(如電燈、火焰、太陽(yáng)等地發(fā)光)是由于物質(zhì)在受到外來(lái)能量(如光能、電能、熱能等)作用時(shí),原子中的電子就會(huì)吸收外來(lái)能量而從低能級(jí)躍遷到高能級(jí),即原子被激發(fā)。激發(fā)的過(guò)程是一個(gè)“受激吸收”過(guò)程。處在高能級(jí)(E2)的電子壽命很短(一般
2025-06-23 23:24
【摘要】半導(dǎo)體材料的發(fā)展及應(yīng)用讓我們來(lái)看兩組半導(dǎo)體的圖片?下面是具體形象的物品所應(yīng)用到的半導(dǎo)體蘋(píng)果4代蘋(píng)果筆記本石油館激光筆半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ),是信息技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“糧食”。半導(dǎo)體材料應(yīng)用已經(jīng)成為衡量一個(gè)國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展科技進(jìn)步和國(guó)防實(shí)力的重要
2025-02-26 01:37
【摘要】半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析組員:93114114林怡欣93114124蔡松展93114251謝瑋璘93114169蔡文杰目錄III半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)V.邏輯ICVI.記憶體VII.臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概況半導(dǎo)體的定義所謂的半導(dǎo)體,是指在某些情況下,
2024-10-11 21:13
【摘要】三、pn結(jié)在前面幾結(jié)中我們了解了本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體,根據(jù)對(duì)導(dǎo)電性的影響,雜質(zhì)半導(dǎo)體又分為n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體。如果把一塊n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體結(jié)合在一起,在兩者的交界面就形成了所謂的pn結(jié),在這一結(jié)我們就是要了解pn結(jié)的一些性質(zhì)。1、pn結(jié)的形成和雜質(zhì)分布在一塊n型(或p型)半導(dǎo)體單晶上,
2025-07-25 02:12
【摘要】考試時(shí)間:18周周五上午10:00(1月4日第二大節(jié))考試地點(diǎn):望江基C2022022級(jí)半導(dǎo)體物理總結(jié)第l章半導(dǎo)體(晶體)中的電子狀態(tài)問(wèn)題的提出:半導(dǎo)體獨(dú)特的物理性質(zhì)半導(dǎo)體中電子的狀態(tài)及其運(yùn)動(dòng)特點(diǎn)二者之間關(guān)系與結(jié)構(gòu)的關(guān)系本章介紹重點(diǎn)半導(dǎo)體單晶材料中的電子狀態(tài)及其運(yùn)動(dòng)規(guī)律
2025-01-14 10:18
【摘要】半導(dǎo)體材料的分類及應(yīng)用 能源、材料與信息被認(rèn)為是當(dāng)今正在興起的新技術(shù)革命的三大支柱。材料方面,電子材料的進(jìn)展尤其引人注目。以大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路為核心的電腦的問(wèn)世極大地推動(dòng)了現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)各個(gè)方面的發(fā)展,一個(gè)又一個(gè)劃時(shí)代意義的半導(dǎo)體生產(chǎn)新工藝、新材料和新儀器不斷涌現(xiàn),并迅速變成生產(chǎn)力和生產(chǎn)工具,極大地推動(dòng)了集成電路工業(yè)的高速發(fā)展。半導(dǎo)體數(shù)字集成電路、模擬集成電路、存儲(chǔ)器、專用集成電路
2025-08-03 01:41
【摘要】1半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用2§1半導(dǎo)體的基本知識(shí)§PN結(jié)導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體,半導(dǎo)體器件中用的最多的是硅和鍺。半導(dǎo)體的特點(diǎn):?當(dāng)受外界熱和光的作用時(shí),它的導(dǎo)電能力明顯變化。?往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì),會(huì)使它的導(dǎo)電能力明顯改變。
2024-10-18 12:16
【摘要】半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)晶體三極管場(chǎng)效應(yīng)管單結(jié)晶體管和晶閘管半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)一、本征半導(dǎo)體二、雜質(zhì)半導(dǎo)體三、PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦运?、PN結(jié)的電容效應(yīng)一、本征半導(dǎo)體根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。導(dǎo)體-鐵、鋁、銅等金屬元素
2025-08-04 09:14
【摘要】主講人:申鳳娟21半導(dǎo)體器件2基本放大電路及其分析設(shè)計(jì)方法6模擬電子技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展3放大電路的頻率響應(yīng)與負(fù)反饋技術(shù)4通用集成運(yùn)放及其應(yīng)用5波形發(fā)生電路7直流穩(wěn)壓電源CONTENTS內(nèi)容大綱C3第一章4第一章常用半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)
2025-01-21 18:23
【摘要】半導(dǎo)體照明照明領(lǐng)域的又一次革命一、人類照明的歷史火—人類的文明燈—延續(xù)歷史幾千年燈—延續(xù)歷史幾千年二、電光源的歷史1879年愛(ài)迪生發(fā)明白熾燈熒光燈將電光源帶入新天地三、半導(dǎo)體發(fā)光二極管半導(dǎo)體發(fā)光二極管照明的革命四、第三代半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體材料的分代1.以硅Si為代表的
2025-01-04 00:43
【摘要】半導(dǎo)體制冷原理及應(yīng)用xxx(xxxx,xx?學(xué)院,xx?省,xx?市,郵編)摘要:現(xiàn)如今,熱電材料的出現(xiàn)以及熱電效應(yīng)的開(kāi)發(fā)應(yīng)用使得人類對(duì)于一些低品位熱能的更好利用成為可能。其中,半導(dǎo)體制冷已經(jīng)漸漸成為熱電模塊中不容小視的一部分,并得到了廣泛的應(yīng)用。本文主要介紹了半導(dǎo)體制冷器的基本原理,并對(duì)涉及到制冷器的有關(guān)公式進(jìn)行了簡(jiǎn)單的推導(dǎo),對(duì)半導(dǎo)體制冷的
2025-06-26 03:36
【摘要】一半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)2半導(dǎo)體二極管3二極管電路分析與應(yīng)用4特殊二極管5二極管的型號(hào)與檢測(cè)6小結(jié)1半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體的主要特性PN結(jié)半導(dǎo)體—導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。本征半導(dǎo)體—純凈的半導(dǎo)體。如硅、鍺單晶體。載流子
2025-02-21 15:11
【摘要】Chapter3幾種常用的功率器件(電力半導(dǎo)體)及其應(yīng)用普通晶閘管普通晶閘管(又稱可控硅)是一種大功率半導(dǎo)體器件,主要用于大功率的交直流變換、調(diào)壓等。晶閘管三個(gè)電極分別用字母A(表示陽(yáng)極)、K(表示陰極)、G(表示門極)。213陽(yáng)極陰極控制極AKG1.晶閘管的伏安特性
2025-05-12 07:54
【摘要】1引言GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn),是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料,并與SiC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。GaN是極穩(wěn)定的化合物,又是堅(jiān)硬的高熔點(diǎn)材料,熔點(diǎn)約為1700℃,GaN具有高的電離度,在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的()。在大氣壓力下,GaN晶體
2025-05-13 22:26
【摘要】11引言國(guó)內(nèi)外研究狀況及發(fā)展趨勢(shì)激光技術(shù)自六十年代以來(lái),已經(jīng)進(jìn)入了許多軍事技術(shù)領(lǐng)域,提供了大量的裝備,顯著的提高了偵測(cè)、識(shí)別、導(dǎo)航、指揮、控制、通訊、訓(xùn)練和光電對(duì)抗等軍事技術(shù),大大的加強(qiáng)了軍事打擊和防御能力,成為軍事“力量倍增器”。它可準(zhǔn)確的獲得目標(biāo)的有關(guān)特征信息,如目標(biāo)位置(距離、方位和高度)、運(yùn)動(dòng)狀態(tài)和形狀等,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)目標(biāo)的探測(cè)
2025-02-25 20:56