材料制備原理與技術(shù)-教學大綱-全文預覽
【正文】 o familiarize students with basic photoelectronic imaging devices, system architecture and its application, train the students’ ability of designing the integrated system, analyzing the relationship between the system’s whole performance with the parameters of basic models or the course, students should learn how to calculate the parameters of the key elements, select the proper devices, practice the design method and design procedure of the photoelectronic main contents of the course include analyzing several typical photoelectric systems as examples, introducing the frequentlyused architectural or electronic design method and software, showing the students the night vision system and devices, color/mono CCD and other typical imaging introduction and practicing mounting the typical system, students should design the specific system and practice some basic should work in groups and have clear division for a specific photoelectric imaging , from the system design, they need to implement part of the system to verify their design method and submit the design report.第四篇：激光原理與技術(shù)課程教學大綱二、講授大綱與各章的基本要求考核要求：光的波粒二象性周炳琨、高以智等（美），孫文等譯AddisonWesley,第五篇：《單片機原理與接口技術(shù)》課程設計教學大綱《單片機原理與接口技術(shù)》課程設計教學大綱課程編號：課程英文名稱：Course Design of Microcontroller Principle and Interface Technology 學時數(shù)：18學分數(shù)：1 使用層次和專業(yè)：本科電氣工程及其自動化、電子信息工程、機械設計制造及其自動化等專業(yè)一、課程設計的性質(zhì)、目的《單片機原理及接口技術(shù)》課程設計是在基本學完該課程之后，綜合運用所學單片機知識，完成一個單片機應用系統(tǒng)設計，從而加深對單片機軟硬知識的理解，獲得初步的應用經(jīng)驗，為走出校門從事單片機應用的相關(guān)工作打下基礎。成績分為優(yōu)秀、良好、中等、及格和不及格五等。第三周 開展部分模擬性驗證實驗和計算機仿真；根據(jù)小組內(nèi)各成員的設計結(jié)果和問題，結(jié)合所設計系統(tǒng)的工作條件，開展工程化的論證和修正。要求學生在本周末提交設計論證報告（初稿），完成成像器件性能指標的確定和選型及總體技術(shù)指標計算書。課程設計內(nèi)容及時間分配：第一周集中講課：以教師對既往科研中開展過的某個光電成像系統(tǒng)設計過程為例，讓學生了解系統(tǒng)設計的基本思路，要求學生理解光電成像系統(tǒng)總體設計方法和設計原則、技巧及完整的設計過程。通過本實踐教學環(huán)節(jié)，可達到提高學生動手能力和在實際工作中獨立發(fā)現(xiàn)問題、分析問題和解決問題的能力，增強學生對科學性、合理性、經(jīng)濟性、可行性、可靠性、可維護性等工程概念的理解，以及提高學生解決實際工程問題水平的目的。本課程應安排在應是在細胞生物學、微生物學、生物化學、免疫學等課程之后,適于對大四開設。第四講：化學氣相沉積（CVD）CVD的一般原理，CVD基本技術(shù)（開管氣流法，封管法），低壓CVD，等離子體增強CVD（PCVD），CVD的發(fā)展。第五講：氣相生長氣相生長概念與原理，氣相生長的主要方法，控制參數(shù)，氣相生長的界面原子過程。重點為液、固相燒結(jié)機理、模型，影響燒結(jié)的因素。第五章固相反應固相反應分類，固相反應熱力學，楊德爾方程，金斯特林格方程，溫度、顆粒度、礦化劑、壓力對固相反應的影響。第三章相平衡（相圖）熱力學基本定律，自由能、成份和相平衡，單
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