【摘要】知識重點1、什么是半導體?半導體的基本特性有哪些?2、二極管和三極管的分類、特點與電路符號。3、二極管和三極管的簡易測試。半導體基礎與二極管?半導體器件半導體的基礎知識(一)半導體的特性(二)雜質半導體1.P型半導體2.
2026-01-12 15:25
【摘要】電子技術基礎教案1§1-1半導體的基礎知識目的與要求1.了解半導體的導電本質,2.理解N型半導體和P型半導體的概念3.掌握PN結的單向導電性重點與
2025-12-30 09:46
【摘要】光電子技術基礎選用教材:《光電子技術基礎》朱京平編,,科學出版社。主要參考書目:《現(xiàn)代通信光電子學(第五版)》亞里夫著,陳鶴鳴譯,,電子工業(yè)出版社;《光電子技術基礎》彭江得主編,,清華大學出版社;《光電子技術》楊經(jīng)國等編,,四川大學出版社。課程目的與任務
2025-07-26 18:29
【摘要】《模擬電子技術基礎》主編:黃瑞祥副主編:周選昌、查麗斌、鄭利君楊慧梅、肖鐸、趙勝穎目錄緒論第1章集成運算放大器理想運算放大器的功能與特性理想運算放大器的電路符號與端口理想運算放大器的功能與特性運算放大器的反相輸入分析閉環(huán)增益輸入、輸出阻抗有限開環(huán)增益的影響加權加法器運算放大器的同
2025-06-25 22:30
【摘要】電子技術基礎試題(六)一.填空題:(每題3分,共30分)1、半導體是一種電能力介于_______與_______之間的物體。2、2CP系列晶體二極管是_____半導體材料制成的。3、表征放大器中晶體三極管靜態(tài)工作點的參數(shù)有______、______和______。4、對于一個晶體管放大器來說,一般希望其輸入電阻要_____些,以減輕信號源的負擔,輸出電阻要______些,以增
2025-08-05 10:39
【摘要】第三部分習題與解答習題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質半導體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關系。2、當PN結外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2025-08-05 07:58
【摘要】WORD格式整理電子技術基礎模擬部分第1章緒論1、寫出下列正弦電壓信號的表達式(設初始相角為零):(1)峰-峰值10V,頻率10kHz;(2)有效值220V,頻率50Hz;(3)峰-峰值100mV,周期1ms;(4)V,角頻率1000rad/s;解:正
2025-08-05 09:23
【摘要】第一章半導體基礎知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-24 23:33
【摘要】數(shù)字電子技術基礎試題一、填空題:(每空1分,共10分)1.八進制數(shù)()8的等值二進制數(shù)為()2;十進制數(shù)98的8421BCD碼為()8421BCD。2.TTL與非門的多余輸入端懸空時,相當于輸入電平。3.下圖所示電路中的最簡邏輯表達式為。4.一個JK觸發(fā)器有個穩(wěn)態(tài),它可存儲位二進制數(shù)。
2025-05-31 12:19
【摘要】數(shù)字電子技術湖南計算機高等??茖W校李中發(fā)胡錦制作第1章數(shù)字電子技術基礎學習要點:?二進制、二進制與十進制的相互轉換?邏輯代數(shù)的公式與定理、邏輯函數(shù)化簡?基本邏輯門電路的邏輯功能第1章數(shù)字電子技術基礎數(shù)字電子技術基礎數(shù)制與編碼邏輯代數(shù)基礎邏輯函數(shù)的
2025-04-29 08:22
【摘要】電子技術基礎電子技術基礎半導體基礎與常用器件1半導體的基本知識2半導體二極管3特殊二極管4雙極型三極管5單極型三極管電子技術基礎半導體基礎與常用器件學習目的與要求了解本征半導體、P型和N型半導體的特征及PN結的形成過程;熟悉二極管的伏安特性及其分類、用途;理解三極管的電
2025-05-14 06:09
【摘要】《數(shù)字電子技術基礎》第五版《數(shù)字電子技術基礎》(第五版)教學課件清華大學閻石王紅聯(lián)系地址:清華大學自動化系郵政編碼:100084電子信箱:聯(lián)系電話:(010)62792973《數(shù)字電子技術基礎》第五版第六章時序邏輯電路《數(shù)字電子技術基礎》第五版概述一、時序
2026-01-16 13:38
【摘要】....第1章檢測題(共100分,120分鐘)一、填空題:(,共25分)1、N型半導體是在本征半導體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導體內的多數(shù)載流子為自由電子,少數(shù)載流子為空穴,不能移動的雜質離子帶正電。P型半導體是在本征半導體中摻入極微量的三價元素組
2025-06-23 15:22
【摘要】第1章檢測題()一、填空題:()1、N型半導體是在本征半導體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導體內的多數(shù)載流子為自由電子.少數(shù)載流子為空穴.不能移動的雜質離子帶正電。P型半導體是在本征半導體中摻入極微量的三價元素組成的。這種半導體內的多數(shù)載流子為空穴.少數(shù)載流子為自由電子.不能移動的雜質離子帶負電。2、三極管的內部結構是由發(fā)射區(qū)、基區(qū)
2025-08-05 09:36
【摘要】模擬電子技術基礎習題第三章雙極型晶體管及其放大電路第四章場效應晶體管及其基本放大電路第五章集成運算放大器及其應用第六章負反饋放大電路第七章功率放大電路第九章波形發(fā)生和變換電路第八章有源濾波器第一章電子系統(tǒng)基礎知識第二章半導體二極管及其應用電路第十章直流穩(wěn)壓
2025-05-01 06:11