ch4納米電子學(xué)簡介n-全文預(yù)覽
【正文】 隧穿晶體管 （ RTT） 橫截面和工作原理草圖 單電子晶體管（ SET） ? 單電子晶體管 （ Singleelectron transistors） 是利用能夠通過柵極調(diào)節(jié)庫侖阻塞效應(yīng)的結(jié)構(gòu) ? 除了用金屬－絕緣體（氧化層）－金屬制造單電子晶體管之外，還可利用處于正常態(tài)和超導(dǎo)態(tài)之間的金屬島制作單電子晶體管，對此已進(jìn)行了大量研究（ 1994） 提出了各種 SET應(yīng)用方案 :包括計(jì)量學(xué)中的各種應(yīng)用，例如各種電流標(biāo)準(zhǔn)在內(nèi)的各種標(biāo)準(zhǔn) 半導(dǎo)體單電子晶體管 ? 第一個(gè)半導(dǎo)體單電子晶體管是在 2DEG中限制出的量子點(diǎn)中制造的 （ J. H. F. ScottThomas, S. B. Field, M. A. Kastner, H. I. Smith, andD. A. Antoniadis, Phys. Rev. Lett. 62, 583 1989） ? 第二種類型的半導(dǎo)體單電子晶體管是用刻蝕出的量子點(diǎn)制作 （ U. Meiravand E. B. Foxman, Semicond. Sci. Technol. 10, 1995) 半導(dǎo)體量子點(diǎn)分類 (a)橫向量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)， (b)豎直量子點(diǎn)結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體豎直量子點(diǎn) Images TEM image of a quantum dot. 不同形狀的半導(dǎo)體量子點(diǎn) 2DEG加上橫向限制量子點(diǎn) 共振隧穿量子點(diǎn) 兩個(gè)耦合量子點(diǎn) 納米電子學(xué)的三大領(lǐng)域 ? 納米精度的制造技術(shù) ? –納米制造技術(shù) ? 新器件物理 ? –經(jīng)典器件量子效應(yīng)模擬 ? –量子器件物理 ? 新的信息處理方法 ? –納米電路創(chuàng)新 ? –量子信息技術(shù) 納米制造技術(shù) ? 自頂向下 （ Topdown） : ? – 去掉多余的材料制造納米客體 ? – 異質(zhì)外延生長技術(shù)納米光刻技術(shù) ? 自底向上 （ Bottomup） ? – 用更小的單元（原子、分子）制造納米客體 ? – 掃描探針技術(shù) ? – 自組織生長技術(shù)或自組裝技術(shù) ? – 分子電子與化學(xué)技術(shù) ? – 有機(jī)分子電子與生物技術(shù) 納米制造技術(shù) 自頂向下制造 ? 縱向或豎直方向納米制造技術(shù) ? – 半導(dǎo)體材料表面異質(zhì)外延生長 ? 精度可以達(dá)到單個(gè)原子層 ? 典型技術(shù) ? – 分子束外延 （ MEB） ? – 金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積 （ MOCVD） ? – 化學(xué)束外延 （ CBE） ? 可制造半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu) 選擇性生長量子點(diǎn)的圖示 自底向上制造 合成碳納米管 五種不同的碳結(jié)構(gòu)材料：
高考資料相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1