薄膜生長(zhǎng)第04章-全文預(yù)覽
【正文】 計(jì)算值比實(shí)驗(yàn)值稍深一點(diǎn) ， 這可能是 STM針尖不能探測(cè)這小而深的空位所產(chǎn)生的 。 這 12個(gè)原子都與下面第一層的 6個(gè)原子成鍵 ， 因而每個(gè)增原子都有一個(gè)未飽和的懸鍵 。 一個(gè)平行四邊形的元胞 (7 7)可以用短對(duì)角線把它分為二個(gè)等邊三角形區(qū)域 (亞原胞 )(圖(b))。 Si(111)－ (7 7) 在這些工作的基礎(chǔ)上 ，Takayanagi等在透射電子衍射 (TED)的基礎(chǔ)上提出了 DAS模型 。 Si(111)－ (7 7) 早期的 Si(111)－ (7 7)模型是空位模型 ， 這些空位周期排列成 (7 7)的衍射圖案 。 另一個(gè)問(wèn)題是 (7 7)的再構(gòu) ， 如果用 LEED的動(dòng)力學(xué)計(jì)算 ， 工作量太大 ， 很難解決 。 關(guān)于一些細(xì)節(jié)問(wèn)題 ， 隨著深入工作的開展 ，可能還有一些修改或說(shuō)明 。 Si(111)－ (1 1)與 (2 1) 此外 ， “ π鍵鏈模型 ” 預(yù)言 ，當(dāng)光的極化平行于鏈方向或垂直于鏈方向 ， 光的反射或吸收呈強(qiáng)烈的各向異性 。 在 B原子的懸鍵形成導(dǎo)帶 ， 其能級(jí)在 EF之上 。 B硅原子的電子向 A硅原子轉(zhuǎn)移 ， 使懸鍵完全被占滿 。 4.2.1 Si(111) Si(111)－ (1 1)與 (2 1) Pandey根據(jù)以上事實(shí) ， 提出一個(gè) “ π鍵鏈重構(gòu) ” 模型 (圖 )。 而 (7 7)再構(gòu)是穩(wěn)定的 。 若把 Si(111)－ (7 7)在高溫(≈1200℃ )下淬火或用短脈沖激光退火 (LA)也可以得到 Si(111)－ (1 1)結(jié)構(gòu) 。 由于實(shí)驗(yàn)條件不盡相同 ， 所以多年來(lái)發(fā)表了各種各樣不同的結(jié)果 。 表面周期性表示法 如果 a相對(duì) a’， b相對(duì) b’的轉(zhuǎn)角相同 ， 則再構(gòu)表面和吸附表面結(jié)構(gòu)E可表示為： E ( hkl )－ (a/a’ b/b’)－ θ － A 這里 a、 a’ 、 b、 b’是各基矢長(zhǎng)度 ， θ是 轉(zhuǎn)角 ， A是吸附元素 。 有兩種情況： 1) a、 b可以和 a’、 b’平行 ， 且有以下關(guān)系： a = pa’ , b = qb’ 這里 p和 q是整數(shù) 。 吸附表面： 表面上吸附了其他元素的表面 。 第四章 再構(gòu)表面和吸附表面 表面吸附一些原子后也有利于表面能的降低 ， 表面吸附一些原子后表面的周期性也會(huì)發(fā)生變化 ， 形成 吸附表面 。 為了降低表面能 ， 表面上原子會(huì)改變其組態(tài)力圖使表面能有所降低 。 表面的出現(xiàn)伴隨著大量懸鍵的出現(xiàn) 。 表面原子重新成鍵 、 從而改變表面的平移對(duì)稱性 ， 形成再構(gòu)表面的現(xiàn)象叫 表面再構(gòu) 。 清潔表面： 在超高真空 (UHV)系統(tǒng)中經(jīng)過(guò)離子轟擊后雜質(zhì)含量小于 10－ 3的晶體表面 ，一般已發(fā)生再構(gòu) 。 實(shí)際的再構(gòu)表面和吸附表面的二維周期性會(huì)發(fā)生變化 ， 其周期性可表示為： ma+nb 表面周期性表示法 a和 b分別為表面元胞基矢 ， m和 n是整數(shù) 。 表面周期性表示法 2)實(shí)際再構(gòu)表面和吸附表面的基矢 a、 b還可以和 a’、 b’不平行并有如下關(guān)系： a=p1a’+q1b’， b=p2a’+q2b’ 這里 p q p2和 q
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