光電子技術(shù)(安毓英)習(xí)題答案-全文預(yù)覽
【正文】 正電壓，在OG電極下形成耗盡層，使φ3與FD之間建立導(dǎo)電溝道。 電荷輸出結(jié)構(gòu)有多種形式，如“電流輸出”結(jié)構(gòu)、“浮置擴(kuò)散輸出”結(jié)構(gòu)及“浮置柵輸出”結(jié)構(gòu)。此時(shí)φ1下的勢(shì)阱逐漸變淺，使φ1下的剩余電荷繼續(xù)向φ2下的勢(shì)阱中轉(zhuǎn)移。此時(shí)φ1電極下的表面勢(shì)最大，勢(shì)阱最深。三相CCD是由每三個(gè)柵為一組的間隔緊密的MOS結(jié)構(gòu)組成的陣列。如果沒(méi)有外來(lái)的信號(hào)電荷。如果MOS結(jié)構(gòu)中的半導(dǎo)體是P型硅，當(dāng)在金屬電極（稱為柵）上加一個(gè)正的階梯電壓時(shí)（襯底接地），SiSiO2界面處的電勢(shì)（稱為表面勢(shì)或界面勢(shì)）發(fā)生相應(yīng)變化，附近的P型硅中多數(shù)載流子——空穴被排斥，形成所謂耗盡層，如果柵電壓VG超過(guò)MOS晶體管的開(kāi)啟電壓，則在SiSiO2界面處形成深度耗盡狀態(tài)，由于電子在那里的勢(shì)能較低，我們可以形象化地說(shuō)：半導(dǎo)體表面形成了電子的勢(shì)阱，可以用來(lái)存儲(chǔ)電子。證明：分別代入即得：原題得證。 如果Si光電二極管靈敏度為10 ，結(jié)電容為10pF，光照功率5 時(shí)，拐點(diǎn)電壓為10V，偏壓40V，光照信號(hào)功率，試求；（1）線性最大輸出功率條件下的負(fù)載電阻；（2）線性最大輸出功率；（3）響應(yīng)截止頻率。試求：（1）在（200~700）光照下，保證線性電壓輸出的負(fù)載電阻和電壓變化值；（2）如果取反偏壓V=，求負(fù)載電阻和電壓變化值；（3），怎么辦？思路分析：從題目上可以看出是交變光電信號(hào)下的探測(cè)，為了保證輸出特性的線性度，通過(guò)已知條件即可求解。 總結(jié)選用光電探測(cè)器的一般原則。原則上，光熱效應(yīng)對(duì)光波頻率沒(méi)有選擇性。因?yàn)椋庾幽芰渴莌，h是普朗克常數(shù), 是光波頻率，所以，光子效應(yīng)就對(duì)光波頻率表現(xiàn)出選擇性，在光子直接與電子相互作用的情況下，其響應(yīng)速度一般比較快。 比較光子探測(cè)器和光熱探測(cè)器在作用機(jī)理、性能及應(yīng)用特點(diǎn)等方面的差異。105cm/s，光束寬度d=，光波長(zhǎng)l=。分析：這個(gè)題目只適合作為一般的思考題，做例題并不合適。具體過(guò)程如下：答：應(yīng)使4塊晶體成縱向排列，且相鄰晶體的光軸應(yīng)互成90176。角，從而使和兩個(gè)分量之間產(chǎn)生的固定相位差。 一縱向運(yùn)用的KDP電光調(diào)制器，長(zhǎng)為2cm，折射率n=，工作頻率為1000kHz。思路分析：由，知需求，又有，通過(guò)已知求出H則本題可解。思路分析：找到相關(guān)的公式，然后互相代入（這個(gè)題目就是不同公式的相互轉(zhuǎn)換，沒(méi)多大意思）。由上式可知，半波電壓還跟0和有關(guān)。）證明過(guò)程如下：證明：。 、我不會(huì)做，新書(shū)中也沒(méi)講解到。這種湍流狀態(tài)將使激光輻射在傳播過(guò)程中隨即的改變其光波參量，使光束質(zhì)量受到嚴(yán)重影響，出現(xiàn)所謂光束界面內(nèi)的強(qiáng)度閃爍、光束的彎曲和漂移、光束彌散畸變以及空間相干性退化等現(xiàn)象，這些統(tǒng)稱為大氣湍流效應(yīng)。答：對(duì)某些特定的波長(zhǎng)，大氣吸收呈現(xiàn)出極為強(qiáng)烈的吸收。解題過(guò)程如下：解：：（1）（2）（3）思路分析：判斷偏振光的狀態(tài)，應(yīng)看相位差。試證明該腔為穩(wěn)定腔。求：（1）當(dāng)時(shí)，？（2）當(dāng)時(shí)，？（3）當(dāng)時(shí)，溫度T=？思路分析：這個(gè)題目主要考查的是公式，根據(jù)題目所給的條件，不難求出結(jié)果。色溫度是指在規(guī)定兩波長(zhǎng)具有與熱輻射光源的輻射比率相同的黑體的溫度。解題過(guò)程如下：解：T=3K，我覺(jué)得把這兩個(gè)合并成一題也行。得證。這個(gè)題目也是不適合作為例題。而熱輻射是指由于物體中的分子、原子受到熱激發(fā)而發(fā)射電磁波的現(xiàn)象。解題過(guò)程如下：解：由可得= ，故：（如紅外裝置面對(duì)的天空背景），其各處的輻射亮度Le均相同。若為輻射在被照面的入射角，試計(jì)算小面源在上產(chǎn)生的輻射照度。課后題答案，距圓盤(pán)中心為l0處有一輻射強(qiáng)度為Ie的點(diǎn)源S，如下圖所示。解題過(guò)程如下：法一故：又：代入上式可得：法二：，設(shè)小面源的面積為，輻射亮度為L(zhǎng)e，面源法線與l0的夾角為；被照面的面積為，到面源的距離為l0。通過(guò)課本上的知識(shí)可以想到公式，通過(guò)積分則可出Ie。解題過(guò)程如下：解：？答：霓虹燈發(fā)光是以原子輻射產(chǎn)生的光輻射，屬于氣體放電，放電原理后面章節(jié)會(huì)涉及到。，它的窗口總是顯的特別黑暗，這是為什么？答：剛粉刷完的房間可以看成一個(gè)光學(xué)諧振腔，由于剛粉刷完的墻壁比較光滑，容易產(chǎn)生幾何偏折損耗，故
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