光電子技術(安毓英)習題答案-全文預覽
【正文】 正電壓，在OG電極下形成耗盡層，使φ3與FD之間建立導電溝道。 電荷輸出結構有多種形式，如“電流輸出”結構、“浮置擴散輸出”結構及“浮置柵輸出”結構。此時φ1下的勢阱逐漸變淺，使φ1下的剩余電荷繼續(xù)向φ2下的勢阱中轉移。此時φ1電極下的表面勢最大，勢阱最深。三相CCD是由每三個柵為一組的間隔緊密的MOS結構組成的陣列。如果沒有外來的信號電荷。如果MOS結構中的半導體是P型硅，當在金屬電極（稱為柵）上加一個正的階梯電壓時（襯底接地），SiSiO2界面處的電勢（稱為表面勢或界面勢）發(fā)生相應變化，附近的P型硅中多數載流子——空穴被排斥，形成所謂耗盡層，如果柵電壓VG超過MOS晶體管的開啟電壓，則在SiSiO2界面處形成深度耗盡狀態(tài)，由于電子在那里的勢能較低，我們可以形象化地說：半導體表面形成了電子的勢阱，可以用來存儲電子。證明：分別代入即得：原題得證。 如果Si光電二極管靈敏度為10 ，結電容為10pF，光照功率5 時，拐點電壓為10V，偏壓40V，光照信號功率，試求；（1）線性最大輸出功率條件下的負載電阻；（2）線性最大輸出功率；（3）響應截止頻率。試求：（1）在（200~700）光照下，保證線性電壓輸出的負載電阻和電壓變化值；（2）如果取反偏壓V=，求負載電阻和電壓變化值；（3），怎么辦？思路分析：從題目上可以看出是交變光電信號下的探測，為了保證輸出特性的線性度，通過已知條件即可求解。 總結選用光電探測器的一般原則。原則上，光熱效應對光波頻率沒有選擇性。因為，光子能量是h，h是普朗克常數, 是光波頻率，所以，光子效應就對光波頻率表現出選擇性，在光子直接與電子相互作用的情況下，其響應速度一般比較快。 比較光子探測器和光熱探測器在作用機理、性能及應用特點等方面的差異。105cm/s，光束寬度d=，光波長l=。分析：這個題目只適合作為一般的思考題，做例題并不合適。具體過程如下：答：應使4塊晶體成縱向排列，且相鄰晶體的光軸應互成90176。角，從而使和兩個分量之間產生的固定相位差。 一縱向運用的KDP電光調制器，長為2cm，折射率n=，工作頻率為1000kHz。思路分析：由，知需求，又有，通過已知求出H則本題可解。思路分析：找到相關的公式，然后互相代入（這個題目就是不同公式的相互轉換，沒多大意思）。由上式可知，半波電壓還跟0和有關。）證明過程如下：證明：。 、我不會做，新書中也沒講解到。這種湍流狀態(tài)將使激光輻射在傳播過程中隨即的改變其光波參量，使光束質量受到嚴重影響，出現所謂光束界面內的強度閃爍、光束的彎曲和漂移、光束彌散畸變以及空間相干性退化等現象，這些統(tǒng)稱為大氣湍流效應。答：對某些特定的波長，大氣吸收呈現出極為強烈的吸收。解題過程如下：解：：（1）（2）（3）思路分析：判斷偏振光的狀態(tài)，應看相位差。試證明該腔為穩(wěn)定腔。求：（1）當時，？（2）當時，？（3）當時，溫度T=？思路分析：這個題目主要考查的是公式，根據題目所給的條件，不難求出結果。色溫度是指在規(guī)定兩波長具有與熱輻射光源的輻射比率相同的黑體的溫度。解題過程如下：解：T=3K，我覺得把這兩個合并成一題也行。得證。這個題目也是不適合作為例題。而熱輻射是指由于物體中的分子、原子受到熱激發(fā)而發(fā)射電磁波的現象。解題過程如下：解：由可得= ，故：（如紅外裝置面對的天空背景），其各處的輻射亮度Le均相同。若為輻射在被照面的入射角，試計算小面源在上產生的輻射照度。課后題答案，距圓盤中心為l0處有一輻射強度為Ie的點源S，如下圖所示。解題過程如下：法一故：又：代入上式可得：法二：，設小面源的面積為，輻射亮度為Le，面源法線與l0的夾角為；被照面的面積為，到面源的距離為l0。通過課本上的知識可以想到公式，通過積分則可出Ie。解題過程如下：解：？答：霓虹燈發(fā)光是以原子輻射產生的光輻射，屬于氣體放電，放電原理后面章節(jié)會涉及到。，它的窗口總是顯的特別黑暗，這是為什么？答：剛粉刷完的房間可以看成一個光學諧振腔，由于剛粉刷完的墻壁比較光滑，容易產生幾何偏折損耗，故
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