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正文內(nèi)容

光電子技術(shù)(安毓英)習(xí)題答案-全文預(yù)覽

  

【正文】 正電壓,在OG電極下形成耗盡層,使φ3與FD之間建立導(dǎo)電溝道。 電荷輸出結(jié)構(gòu)有多種形式,如“電流輸出”結(jié)構(gòu)、“浮置擴(kuò)散輸出”結(jié)構(gòu)及“浮置柵輸出”結(jié)構(gòu)。此時(shí)φ1下的勢(shì)阱逐漸變淺,使φ1下的剩余電荷繼續(xù)向φ2下的勢(shì)阱中轉(zhuǎn)移。此時(shí)φ1電極下的表面勢(shì)最大,勢(shì)阱最深。三相CCD是由每三個(gè)柵為一組的間隔緊密的MOS結(jié)構(gòu)組成的陣列。如果沒(méi)有外來(lái)的信號(hào)電荷。如果MOS結(jié)構(gòu)中的半導(dǎo)體是P型硅,當(dāng)在金屬電極(稱為柵)上加一個(gè)正的階梯電壓時(shí)(襯底接地),SiSiO2界面處的電勢(shì)(稱為表面勢(shì)或界面勢(shì))發(fā)生相應(yīng)變化,附近的P型硅中多數(shù)載流子——空穴被排斥,形成所謂耗盡層,如果柵電壓VG超過(guò)MOS晶體管的開(kāi)啟電壓,則在SiSiO2界面處形成深度耗盡狀態(tài),由于電子在那里的勢(shì)能較低,我們可以形象化地說(shuō):半導(dǎo)體表面形成了電子的勢(shì)阱,可以用來(lái)存儲(chǔ)電子。證明:分別代入即得:原題得證。 如果Si光電二極管靈敏度為10 ,結(jié)電容為10pF,光照功率5 時(shí),拐點(diǎn)電壓為10V,偏壓40V,光照信號(hào)功率,試求;(1)線性最大輸出功率條件下的負(fù)載電阻;(2)線性最大輸出功率;(3)響應(yīng)截止頻率。試求:(1)在(200~700)光照下,保證線性電壓輸出的負(fù)載電阻和電壓變化值;(2)如果取反偏壓V=,求負(fù)載電阻和電壓變化值;(3),怎么辦?思路分析:從題目上可以看出是交變光電信號(hào)下的探測(cè),為了保證輸出特性的線性度,通過(guò)已知條件即可求解。 總結(jié)選用光電探測(cè)器的一般原則。原則上,光熱效應(yīng)對(duì)光波頻率沒(méi)有選擇性。因?yàn)椋庾幽芰渴莌,h是普朗克常數(shù), 是光波頻率,所以,光子效應(yīng)就對(duì)光波頻率表現(xiàn)出選擇性,在光子直接與電子相互作用的情況下,其響應(yīng)速度一般比較快。 比較光子探測(cè)器和光熱探測(cè)器在作用機(jī)理、性能及應(yīng)用特點(diǎn)等方面的差異。105cm/s,光束寬度d=,光波長(zhǎng)l=。分析:這個(gè)題目只適合作為一般的思考題,做例題并不合適。具體過(guò)程如下:答:應(yīng)使4塊晶體成縱向排列,且相鄰晶體的光軸應(yīng)互成90176。角,從而使和兩個(gè)分量之間產(chǎn)生的固定相位差。 一縱向運(yùn)用的KDP電光調(diào)制器,長(zhǎng)為2cm,折射率n=,工作頻率為1000kHz。思路分析:由,知需求,又有,通過(guò)已知求出H則本題可解。思路分析:找到相關(guān)的公式,然后互相代入(這個(gè)題目就是不同公式的相互轉(zhuǎn)換,沒(méi)多大意思)。由上式可知,半波電壓還跟0和有關(guān)。)證明過(guò)程如下:證明:。 、我不會(huì)做,新書(shū)中也沒(méi)講解到。這種湍流狀態(tài)將使激光輻射在傳播過(guò)程中隨即的改變其光波參量,使光束質(zhì)量受到嚴(yán)重影響,出現(xiàn)所謂光束界面內(nèi)的強(qiáng)度閃爍、光束的彎曲和漂移、光束彌散畸變以及空間相干性退化等現(xiàn)象,這些統(tǒng)稱為大氣湍流效應(yīng)。答:對(duì)某些特定的波長(zhǎng),大氣吸收呈現(xiàn)出極為強(qiáng)烈的吸收。解題過(guò)程如下:解::(1)(2)(3)思路分析:判斷偏振光的狀態(tài),應(yīng)看相位差。試證明該腔為穩(wěn)定腔。求:(1)當(dāng)時(shí),?(2)當(dāng)時(shí),?(3)當(dāng)時(shí),溫度T=?思路分析:這個(gè)題目主要考查的是公式,根據(jù)題目所給的條件,不難求出結(jié)果。色溫度是指在規(guī)定兩波長(zhǎng)具有與熱輻射光源的輻射比率相同的黑體的溫度。解題過(guò)程如下:解:T=3K,我覺(jué)得把這兩個(gè)合并成一題也行。得證。這個(gè)題目也是不適合作為例題。而熱輻射是指由于物體中的分子、原子受到熱激發(fā)而發(fā)射電磁波的現(xiàn)象。解題過(guò)程如下:解:由可得= ,故:(如紅外裝置面對(duì)的天空背景),其各處的輻射亮度Le均相同。若為輻射在被照面的入射角,試計(jì)算小面源在上產(chǎn)生的輻射照度。課后題答案,距圓盤(pán)中心為l0處有一輻射強(qiáng)度為Ie的點(diǎn)源S,如下圖所示。解題過(guò)程如下:法一故:又:代入上式可得:法二:,設(shè)小面源的面積為,輻射亮度為L(zhǎng)e,面源法線與l0的夾角為;被照面的面積為,到面源的距離為l0。通過(guò)課本上的知識(shí)可以想到公式,通過(guò)積分則可出Ie。解題過(guò)程如下:解:?答:霓虹燈發(fā)光是以原子輻射產(chǎn)生的光輻射,屬于氣體放電,放電原理后面章節(jié)會(huì)涉及到。,它的窗口總是顯的特別黑暗,這是為什么?答:剛粉刷完的房間可以看成一個(gè)光學(xué)諧振腔,由于剛粉刷完的墻壁比較光滑,容易產(chǎn)生幾何偏折損耗,故
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