光電子技術(shù)(安毓英)習(xí)題答案(更新版)
【正文】 要求達(dá)到3186。高場(chǎng)電致發(fā)光是將發(fā)光材料粉末與介質(zhì)的混合體或單晶薄膜夾持于透明電極板之間，外施電壓，由電場(chǎng)直接激勵(lì)電子與空穴復(fù)合而發(fā)光。電極精細(xì)，器件尺寸較大，因此其規(guī)模生產(chǎn)難度較TNLCD大許多。答：TN－LCD利用了扭曲向列相液晶的旋光特性，液晶分子的扭曲角為90186。由于避開了多晶硅吸收， CCD的量子效率可提高到90％，與低噪聲制造技術(shù)相結(jié)合后可得到30個(gè)電子噪聲背景的CCD，相當(dāng)于在沒有任何增強(qiáng)手段下照度為104lx（靶面照度）的水平。NETD反映的是系統(tǒng)對(duì)低頻景物（均勻大目標(biāo)）的溫度分辨率，不能表征系統(tǒng)用于觀測(cè)較高空間頻率景物時(shí)的溫度分辨性能。之后，φ3轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娢?，?下面的電荷包通過OG下的溝道轉(zhuǎn)移到FD區(qū)。 電荷輸出結(jié)構(gòu)有多種形式，如“電流輸出”結(jié)構(gòu)、“浮置擴(kuò)散輸出”結(jié)構(gòu)及“浮置柵輸出”結(jié)構(gòu)。此時(shí)φ1電極下的表面勢(shì)最大，勢(shì)阱最深。如果沒有外來的信號(hào)電荷。證明：分別代入即得：原題得證。試求：（1）在（200~700）光照下，保證線性電壓輸出的負(fù)載電阻和電壓變化值；（2）如果取反偏壓V=，求負(fù)載電阻和電壓變化值；（3），怎么辦？思路分析：從題目上可以看出是交變光電信號(hào)下的探測(cè)，為了保證輸出特性的線性度，通過已知條件即可求解。原則上，光熱效應(yīng)對(duì)光波頻率沒有選擇性。 比較光子探測(cè)器和光熱探測(cè)器在作用機(jī)理、性能及應(yīng)用特點(diǎn)等方面的差異。分析：這個(gè)題目只適合作為一般的思考題，做例題并不合適。角，從而使和兩個(gè)分量之間產(chǎn)生的固定相位差。思路分析：由，知需求，又有，通過已知求出H則本題可解。由上式可知，半波電壓還跟0和有關(guān)。 、我不會(huì)做，新書中也沒講解到。答：對(duì)某些特定的波長，大氣吸收呈現(xiàn)出極為強(qiáng)烈的吸收。試證明該腔為穩(wěn)定腔。色溫度是指在規(guī)定兩波長具有與熱輻射光源的輻射比率相同的黑體的溫度。得證。而熱輻射是指由于物體中的分子、原子受到熱激發(fā)而發(fā)射電磁波的現(xiàn)象。若為輻射在被照面的入射角，試計(jì)算小面源在上產(chǎn)生的輻射照度。解題過程如下：法一故：又：代入上式可得：法二：，設(shè)小面源的面積為，輻射亮度為Le，面源法線與l0的夾角為；被照面的面積為，到面源的距離為l0。解題過程如下：解：？答：霓虹燈發(fā)光是以原子輻射產(chǎn)生的光輻射，屬于氣體放電，放電原理后面章節(jié)會(huì)涉及到。證明過程如下：證明：令=0，解得：。為了表示一個(gè)熱輻射光源所發(fā)出光的光色性質(zhì)，常用到色溫度這個(gè)量，單位為K。，R1=，R2=1m，L=。解題過程如下：解： 何為大氣窗口，試分析光譜位于大氣窗口內(nèi)的光輻射的大氣衰減因素。光束方向抖動(dòng)則將使激光偏離接收孔徑，降低信號(hào)強(qiáng)度；而光束空間相干性退化則將使激光外差探測(cè)的效率降低。晶體的半波電壓是波長的函數(shù)。取韋德常數(shù)為，試計(jì)算光的旋轉(zhuǎn)角。具體過程如下：解：m 在電光調(diào)制器中，為了得到線性調(diào)制，在調(diào)制器中加入一個(gè)波片，波片的軸向如何設(shè)置最好？若旋轉(zhuǎn)波片，它所提供的直流偏置有何變化？答：為得到線性調(diào)制，需在調(diào)制器的光路上插入一個(gè)波片，其快慢軸與晶體的主軸x成45176。因?yàn)樽匀还饪梢钥闯蔁o數(shù)方向上的偏振光的疊加，故經(jīng)過調(diào)制器后各個(gè)方向上的偏振光疊加后仍是自然光。⑵ ，⑶ 若布喇格帶寬Df=125MHz，衍射效率降低多少？，⑷ 用公式和計(jì)算。所以，光熱效應(yīng)與單光子能量h的大小沒有直接關(guān)系。 已知一Si光電池，在光照下，開路電壓，光電流。思路分析：本題是對(duì)量子效率等概念的綜合運(yùn)用。勢(shì)阱中能夠容納多少個(gè)電子，取決于勢(shì)阱的“深淺”，即表面勢(shì)的大小，而表面勢(shì)又隨柵電壓變化，柵電壓越大，勢(shì)阱越深。在t1時(shí)刻，φ1高電位，φφ3低電位。因此，時(shí)鐘的周期變化，就可使CCD中的電荷包在電極下被轉(zhuǎn)移到輸出端，其工作過程從效果上看類似于數(shù)字電路中的移位寄存器。復(fù)位正脈沖過去后FD區(qū)與RD區(qū)呈夾斷狀態(tài)，F(xiàn)D區(qū)具有一定的浮置電位。答：不能。光從背面射入，遠(yuǎn)離多晶硅，由襯底向上進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，大量的硅被光刻掉，在最上方只保留集成外接電極引線部分很少的多晶硅埋層。答：線偏振光、橢圓偏振光、圓偏振光、橢圓偏振光、線偏振光、橢圓偏振光、圓偏振光、橢圓偏振光、線偏振光 試比較TN－LCD和STN－LCD的特點(diǎn)?！?186。
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