第1章半導(dǎo)體器件及其特性-全文預(yù)覽
【正文】 滿足上述條件的三極管處于截止?fàn)顟B(tài)，或已損壞。若好，則指出其工作狀態(tài)（放大、截止、飽和）；若壞，則指出損壞類型（擊穿、開(kāi)路）。 ③ 區(qū)分 B極和 E極。 ② 確定 NPN型或 PNP型。 三極管工作在放大區(qū)時(shí) UBE：硅管約 ～ ，鍺管約 ～。 ICEO與 ICBO的關(guān)系： 圖 124 三極管極間反向電流 a) ICBO b) ICEO ⑶ 集電極最大允許電流 ICM ⑷ 集電極最大允許耗散功率 PCM ⑸ 集 射極反向擊穿電壓 U(BR)CEO ⑹ 飽和壓降 UCES ⑺ 特征頻率 fT 圖 125 ICEO、 U(BR)CEO和 UCES 圖 126 三極管 PCM曲線 ⒌ 三極管安全工作區(qū) 圖 127 三極管安全工作區(qū) 【 例 14】 已測(cè)得三極管各極對(duì)地電壓值為 U U U3，且已知其工作在放大區(qū)，試判斷其硅管或鍺管？ NPN型或PNP型？并確定其 E、 B、 C三極。 特點(diǎn)： iC與 iB不成比例。 圖 122 NPN型三極管 共發(fā)射極電路輸出特性曲線 ⒊ 三極管共射電路工作狀態(tài) 圖 123 三極管 3個(gè)工作區(qū)域 ⑴ 放大區(qū) 條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 ③ 放大工作狀態(tài)時(shí)，硅管 uBE約為 ～ ， 鍺管約 ～ 。 ⑷ 動(dòng)態(tài)電阻 rZ。 圖 113 穩(wěn)壓二極管符號(hào)及伏安特性 a) 符號(hào) b)伏安特性 ⒉ 穩(wěn)壓工作條件 ① 電壓極性反偏； ② 有合適的工作電流。若二極管導(dǎo)通，則用短路導(dǎo)線替代二極管 VD；若二極管截止，則將二極管開(kāi)路。 VD端正極電壓大于 5V時(shí)， VD導(dǎo)通；小于 5V時(shí)， VD截止。 溫度每升高 10℃ ，反向飽和電流約增大一倍。 ② 硅管的反向飽和電流 IS比鍺管小得多。 ⑵ 反向特性 ① 飽和段。 ⒋ PN結(jié)單向?qū)щ娦? ⑴ 加正向電壓 —— 導(dǎo)通。 圖 11 本征半導(dǎo)體與摻雜半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖 a) 本征半導(dǎo)體 b) N型半導(dǎo)體 c) P型半導(dǎo)體 ⒊ 數(shù)字電路的特點(diǎn) 圖 12 PN結(jié)的形成 a) 載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) b) 平衡狀態(tài)下的 PN結(jié) ⑴ 形成過(guò)程和原理： ① 擴(kuò)散。 ⒉ 數(shù)字信號(hào) ⑴ N型半導(dǎo)體 ⑵ P型半導(dǎo)體 4價(jià)元素?fù)饺胛⒘?5價(jià)元素后形成。 ⑵ 熱敏和光敏特性。 多數(shù)載流子：空穴；少數(shù)載流子：電子。
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