【摘要】ModernPowerElectronicsTechnology姓名:學(xué)號(hào):學(xué)院(系):自動(dòng)化學(xué)院專業(yè):電氣工程題目:電力電子器件在感應(yīng)加熱電源中的應(yīng)用指導(dǎo)老師:20
2025-06-06 23:29
【摘要】山東省科技重大專項(xiàng)項(xiàng)目績(jī)效調(diào)查表項(xiàng)目編號(hào):????????????????????????????
2025-06-29 23:15
【摘要】DOCUMENTNO:發(fā)行版本VERSION:頁(yè)數(shù)PAGINATION:69
2025-04-12 04:00
【摘要】1、若某突變PN結(jié)的P型區(qū)的摻雜濃度為,則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子濃度np0分別為()和()。2、在PN結(jié)的空間電荷區(qū)中,P區(qū)一側(cè)帶(負(fù))電荷,N區(qū)一側(cè)帶(正)電荷。內(nèi)建電場(chǎng)的方向是從(N)區(qū)指向(P)區(qū)。[發(fā)生漂移運(yùn)動(dòng),空穴向P區(qū),電子向N區(qū)]3、當(dāng)采用耗盡近似時(shí),N型耗盡區(qū)中的泊松方程為()。由此方程可以看出,摻雜濃度越高,則內(nèi)建電場(chǎng)的斜率越(大)。4、PN結(jié)的摻
2025-04-17 01:15
【摘要】MOSFET的直流參數(shù)與溫度特性MOSFET的直流參數(shù)1、閾電壓VT2、飽和漏極電流IDSS只適用于耗盡型MOSFET,表示當(dāng)VGS=0,VDSVDsat且恒定時(shí)的IDsat,即??22DSSGSTT22IVVV????
2025-08-05 19:44
【摘要】高頻小信號(hào)電流電壓方程與等效電路高頻小信號(hào)電流電壓方程與等效電路推導(dǎo)步驟首先利用電荷控制方程得到“i~q”關(guān)系,然后再推導(dǎo)出“q~v”關(guān)系,兩者結(jié)合即可得到“i~v”方程。本節(jié)以均勻基區(qū)NPN管為例。(并推廣到高頻小信號(hào))先列出一些推導(dǎo)中要用到的關(guān)系式:
2025-01-01 04:40
【摘要】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對(duì)高頻信號(hào)進(jìn)行放大時(shí),首先用被稱為“偏置”或“工作點(diǎn)”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號(hào)疊加在輸入端的直流偏置上。當(dāng)信號(hào)電壓的振幅遠(yuǎn)小于(kT/q)時(shí),稱為小信號(hào)。這時(shí)晶體管內(nèi)與信號(hào)有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,
【摘要】常用電力電子器件介紹一、晶閘管(Thyristor)的結(jié)構(gòu)及工作原理二、門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)三、大功率晶體管(GTR)四、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)五、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)復(fù)習(xí)提問(wèn)?1、什么是直流
2025-01-01 04:10
【摘要】PN結(jié)的擊穿雪崩倍增隧道效應(yīng)熱擊穿擊穿現(xiàn)象擊穿機(jī)理:電擊穿BV?VI0I碰撞電離率和雪崩倍增因子在耗盡區(qū)中,反向電壓
2025-07-25 07:03
【摘要】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對(duì)高頻信號(hào)進(jìn)行放大時(shí),首先用被稱為“偏置”或“工作點(diǎn)”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號(hào)疊加在輸入端的直流偏置上。當(dāng)信號(hào)電壓的振幅遠(yuǎn)小于(kT/q)時(shí),稱為小信號(hào)。這時(shí)晶體管內(nèi)與信號(hào)有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,都由直流偏
2025-08-04 15:48
【摘要】PN結(jié)在正向電壓下電流很大,在反向電壓下電流很小,這說(shuō)明PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?,可作為二極管使用。PN結(jié)的直流電流電壓方程結(jié)的直流電流電壓方程PN結(jié)二極管的直流電流電壓特性曲線,及二極管在電路中的符號(hào)為本節(jié)的重點(diǎn)本節(jié)的重點(diǎn)1、中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界處的少子濃度與外加電壓
2024-12-27 19:38
【摘要】電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電路1)、驅(qū)動(dòng)電路功能:是主電路與控制電路之間的接口使電力電子器件工作在較理想的開關(guān)狀態(tài),縮短開關(guān)時(shí)間,減小開關(guān)損耗,提高運(yùn)行效率、對(duì)裝置的可靠性和安全性都有重要的意義。2)、驅(qū)動(dòng)電路的基本任務(wù):–將信息電子電路傳來(lái)的信號(hào),轉(zhuǎn)換為電力電子器件所要求的開通或關(guān)斷的信號(hào),及必要的隔離電路。–對(duì)
2024-12-29 06:38
【摘要】第1章電力電子器件??電力電子器件概述電力電子器件概述??不可控器件不可控器件————二極管二極管??半控型器件半控型器件————晶閘管晶閘管??典型全控型器件典型全控型器件??其他新型電力電子器件其他新型電力電子器件??電力電子
2025-01-17 18:13
【摘要】MOSFET的亞閾區(qū)導(dǎo)電本節(jié)以前的漏極電流公式只適用于VGSVT,并假設(shè)當(dāng)VGS=VT時(shí)ID=0。但實(shí)際上當(dāng)VGSVT時(shí),MOSFET仍能微弱導(dǎo)電,這稱為亞閾區(qū)導(dǎo)電。這時(shí)的漏極電流稱為亞閾電流,記為IDsub。定義:使硅表面處于本征狀態(tài)
2024-12-28 23:00
【摘要】受理編號(hào):密級(jí):■公開□秘密□機(jī)密□絕密國(guó)家科技重大專項(xiàng)課題可行性研究報(bào)告(申報(bào)書)專項(xiàng)名稱:科技重大專項(xiàng)項(xiàng)目名稱:“***技術(shù)改造”申報(bào)專題編
2024-11-23 07:46