word版可編輯-低溫共燒陶瓷組件設計指引精心整理-全文預覽
【正文】 常用的技術是利用陶瓷帶本身來制作電容, 其ε=～,。30 %1K＜177。100ppm＜%＜177。20 %100K＜177。1 %＜177。100ppm＜%＜177。 電阻 電阻可制作下列方阻 表表面電阻方阻溫度系數(shù)穩(wěn)定性精度（調(diào)阻）精度（不調(diào)阻）20Ω＜177。相鄰層刪格面應有一定的位移，保證基板厚度均勻一致。射頻通孔也可以是堆積的，,見下圖。 熱通孔熱通孔直徑我們推薦951AT為200um、951A2為250um、951AX為300um（為燒結前尺寸）。 通孔間距最小通孔節(jié)距（中心距），通孔直徑，兩層間交錯通孔錯位為2通孔直徑，最小通孔中心，距基板邊沿距離應為3通孔直徑。燒結后通孔尺寸為97um、180um、220um、260um。%。注：以上尺寸為燒結前尺寸。 2電阻 mΩ / 頂層(10 μm)Au 4Ag 3AgPd 30Au 4Ag 3AgPd 30電阻 mΩ / 內(nèi)層Au 4Ag 3Au 4Ag 3頂層導體粗糙度 (Rq μm RMS) (后燒)Au: Ag: 五、 電路布線版圖布局目前我們二種布圖尺寸，見下圖。%介電常數(shù)（10MHz） (15G)（10MHz）介質(zhì)損耗%（10MHz）%%（10MHz）絕緣電阻＞1012Ω（100VDC）1012Ω（100VDC）＞1014Ω（100VDC）擊穿電壓＞1000V/25um1000V/25um＞1000V/25um熱導率3W/mk2W/mk熱脹系數(shù)6 ppm/K燒結密度㎝2㎝2㎝2抗折強度320MPa230 MPa130MPa表導體材料性能導體特性陶瓷材料系統(tǒng)Du Pont 951陶瓷材料系統(tǒng)Ferro A6 S/M導體類型內(nèi)層 Ag, Au外層Ag, Au, PdAg 內(nèi)層 Ag, Au外層Ag, Au, PdAg頂層導體膜厚(μm) 10 177。%177?！裼糜诟哳l電路的低損耗微波LTCC介質(zhì)帶材料：Ferro –A6 、DP943。如：●工藝技術的進化；●新材料的發(fā)展；●客戶的新需要；●來自客戶經(jīng)驗的反饋；根據(jù)特定的需要, 經(jīng)技術人員認可也可以超越該規(guī)范的限制。中國電子科技集團公司第四十三研究所技術文件低溫共燒多層陶瓷電路設計規(guī)范一、 介紹本設計規(guī)范是根據(jù)LTCC生瓷帶供應商提供的設計規(guī)范制定的，適用于軍用及民用LTCC電路模塊、微波電路模塊的基本設計。為了提高電路的性能和降低成本以及工藝技術的提升會隨時對本文件進行修改。 三、 術語說明 后燒表面電阻 交錯通孔 頂層內(nèi)埋電阻 內(nèi)埋電容 內(nèi)埋孔 內(nèi)導帶 導熱孔 堆積孔通孔間距 通孔直徑 底層 四、 材料系統(tǒng)●目前生產(chǎn)線上使用的LTCC材料組要有DuPont 95HL2000。%177。%25177。 27 to 15 177。在瓷片的可用面積范圍內(nèi)分布多塊電路。燒結后基板電路圖形收縮誤差≦177。七、通孔 通孔尺寸通孔尺寸為100 um、200um、250um、300um，采用高速轉床或沖床在生瓷帶上形成。后燒結表面導體通孔覆蓋區(qū)直徑要≧400um。在需要密封焊的地方，最上面兩層最好采用交錯通孔。射頻通孔間距可以小到50um（在不同層上平行放置），只要它們是相互連同的。外層接地和電源面可采用大面積塊狀結構（后燒結）。過孔到刪格線最小距離為300um（B）。20 %100＜177。100ppm＜%＜177。1 %＜177。20 %1M＜177。200ppm＜%＜177。200ppm＜%＜177。 埋置電感ItemStdAdv.a Line Width [181。m]100e Via Hole Cover Diameter[181。㎜（B）。㎜（
物理相關推薦
鄂ICP備17016276號-1