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正文內(nèi)容

某技術(shù)學(xué)院電子制造技術(shù)課程標(biāo)準(zhǔn)-全文預(yù)覽

2025-08-05 00:05 上一頁面

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【正文】 (1)具有內(nèi)容豐富,思路清晰的自編講義;(2)充分利用圖書資源,為學(xué)生提供完備的參考書籍。集成電路制造工藝1.了解離子注入工藝及相關(guān)詞匯2.了解熱氧化工藝及相關(guān)詞匯1.半導(dǎo)體制造過程中的離子注入工藝2.熱氧化8講授為主多媒體教學(xué)根據(jù)課堂參與情況、輔導(dǎo)答疑和作業(yè)完成情況進(jìn)行階段性考核評價。4. 具有認(rèn)識自身發(fā)展的重要性以及確立自身繼續(xù)發(fā)展目標(biāo)的能力。四、課程的教育目標(biāo)知識目標(biāo)1.深入了解微電子專業(yè)有關(guān)的英語書籍和資料中的詞匯、習(xí)慣用語、常用語法。因此,建議在授課過程中盡可能多講習(xí)題、多做練習(xí)。九、其他說明(根據(jù)課程性質(zhì)決定內(nèi)容有否以及多少)1.教學(xué)基本要求所規(guī)定的內(nèi)容分為三個層次:掌握:不僅要求理解概念和原理,而且要求具備應(yīng)用能力。(3)豐富的圖書資源,為學(xué)生提供完備的參考書籍。2.考核方法本課程的理論考核采用開卷考試的考核方法。真空;真空泵;工藝腔內(nèi)的氣流;殘氣分析器;等離子體;工藝腔的玷污。 典型雙極性集成電路工藝;CMOS集成電路工藝。 二極管結(jié)構(gòu);雙極性三極管結(jié)構(gòu);MOS場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu);電阻結(jié)構(gòu);電容結(jié)構(gòu);接觸控、通控、連線。 概述;SISI02系統(tǒng);鈍化方法;鈍化膜結(jié)構(gòu)。 概述;金屬化薄膜制備;金屬化互連技術(shù)。 CVD化學(xué)過程及薄膜分類;生長動力學(xué);CVD淀積系統(tǒng)。離子注入設(shè)備;注入離子的濃度分布與退火;離子注入的特點(diǎn)與應(yīng)用。VLSI對圖形轉(zhuǎn)移的要求和刻蝕方法;等離子刻蝕;反應(yīng)離子刻蝕與離子束刻蝕。 概述;光刻膠及特性;光刻技術(shù)。擴(kuò)散機(jī)構(gòu);雜質(zhì)濃度分布;常用雜質(zhì)的擴(kuò)散方法;結(jié)深與方塊電阻的測量。Si02的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)、用途;Si02掩蔽作用;熱氧化;熱氧化生長動力學(xué);決定氧化速率的各種因素;熱氧化過程中的雜質(zhì)再分布。 集成電路概述;制造工藝在集成電路中的作用;國內(nèi)半導(dǎo)體工藝技術(shù)現(xiàn)狀;集成電路芯片工藝基本技術(shù)。集成電路測量學(xué);質(zhì)量測量;分析設(shè)備。玷污的類型;玷污與控制;硅片濕法清洗。能力目標(biāo):掌握常用工藝用化學(xué)品。念并區(qū)分。能力目標(biāo): 掌握硅片、芯片基本概念;掌握本課程的學(xué)習(xí)方法和基本要求。2.培養(yǎng)學(xué)生的溝通能力及團(tuán)隊協(xié)作精神。能力目標(biāo)具有半導(dǎo)體制造設(shè)備管理、運(yùn)行、維護(hù)能力。培養(yǎng)具有各種電子材料、元器件、集成電路的制造工藝技能的高級工程應(yīng)用型技術(shù)人才。八、其他說明,應(yīng)注意以學(xué)生的技術(shù)應(yīng)用能力和綜合素質(zhì)的培養(yǎng)為主線,以應(yīng)用為目的,理論教學(xué)以“必須、夠用、實(shí)用”為度,以講清概念為重點(diǎn),盡可能避免繁瑣的數(shù)學(xué)公式推導(dǎo)和大篇幅的理論分析,注重培養(yǎng)學(xué)生的創(chuàng)新精神和實(shí)踐能力。序號項(xiàng)目課程內(nèi)容設(shè)備名稱參考技術(shù)要求數(shù)量1環(huán)境整潔的教室(多媒體教室)電子制造技術(shù)概論教學(xué)教材及自編講義或PPT課件及多媒體配套設(shè)備(1)具有內(nèi)容豐富,思路清晰的自編講義;(2)充分利用圖書資源,為學(xué)生提供完備的參考書籍。4. 具有認(rèn)識自身發(fā)展的重要性以及確立自身繼續(xù)發(fā)展目標(biāo)的能力。先修課程主要有工程制圖與電氣制圖、電子工藝等。四川信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院《電子制造技術(shù)基礎(chǔ)》課程標(biāo)準(zhǔn)課程代碼: 0231123 課程類別: 專業(yè)方向課 課程屬性: 限選課 學(xué)分/學(xué)時: 3學(xué)分/48學(xué)時  制 訂 人: 王志強(qiáng) 審 訂 人: 王 萍 適用專業(yè): 微電子技術(shù) 四川信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院電子工程系2011年8月10日 一、制訂課程標(biāo)準(zhǔn)的依據(jù)本課程標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)《中華人民共和國高等教育法》和《中華人民共和國職業(yè)教育法》專科教育應(yīng)當(dāng)使學(xué)生掌握本專業(yè)必備的基礎(chǔ)理論、專門知識,具有從事本專業(yè)實(shí)際工作的基本技能和初步能力、教高〔2000〕2號《關(guān)于加強(qiáng)高職高專教育人才培養(yǎng)工作的意見》精神以及四川信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院《微電子技術(shù)專業(yè)人才培養(yǎng)方案》對課程的要求而制定。通過該課程的學(xué)習(xí),加強(qiáng)學(xué)生對微電子技術(shù)專業(yè)的總體認(rèn)識,為后續(xù)集成電路制造工藝、芯片封裝技術(shù)、電子組裝技術(shù)等專業(yè)課程打下良好的基礎(chǔ)。3. 培養(yǎng)學(xué)生勇于創(chuàng)新、敬業(yè)樂業(yè)的工作作風(fēng)。集成電路基礎(chǔ)1. 了解集成電路器件結(jié)構(gòu)2. 了解半導(dǎo)體材料1. 半導(dǎo)體基礎(chǔ)物理2. 半導(dǎo)體材料基礎(chǔ)3. 集成電路原理6講授為主多媒體教學(xué)半導(dǎo)體制造1.了解半導(dǎo)體制造單項(xiàng)工藝2.了解半導(dǎo)體制造環(huán)境1.半導(dǎo)體制造單項(xiàng)工藝2.半導(dǎo)體制造超凈環(huán)境8講授為主多媒體教學(xué)芯片封裝工藝流程1. 了解封裝概念2. 了解WB、TAB、FC等封裝技術(shù)4
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