【正文】 MOV A,0A0H 。逐位接收R_NEXT: CLR SCL LCALL S_NOP SETB SCL LCALL S_NOP MOV C,SDA RLC A CLR SCL DJNZ R3,R_NEXT CLR SCL LCALL S_NOP SETB SCL LCALL S_NOP RET。結束 LCALL S_NOP CLR SDA LCALL S_NOP SETB SCL LCALL S_NOP SETB SDA LCALL S_NOP RET 。 MOV SD_JG,5 SETB SD SETB SD_KG MOV TMOD,01H MOV TH0,3CH MOV TL0,0B0H SETB EA SETB ET0 SETB TR0LOOP: LCALL DISP LCALL KEY_SCAN JZ LOOP LCALL TZ_TEMP AJMP LOOP。當前地址讀 MOV A,0A0H 。采集數(shù)據(jù)暫存SD EQU SD_KG EQU XS_IO EQU P0KEY_IO EQU P2。難點，EEPROM的讀寫。R/W為芯片讀寫控制位，該位為0，表示芯片進行寫操作。當WP管腳連接到Vss 或懸空允許器件進行正常的讀/寫操作結構與尋址AT24C02的存儲容量為2Kb，內容分成32頁，每頁8B，共256B，操作時有兩種尋址方式：芯片尋址和片內子地址尋址。 A0、AA2 器件地址輸入端這些輸入腳用于多個器件級聯(lián)時設置器件地址，當這些腳懸空時默認值為0。數(shù)據(jù)傳送是由產生串行時鐘和所有起始停止信號的主器件控制的。該器件通過IIC總線接口進行操作，有一個專門的寫保護功能。 DTSVRM: DATA SAVERAM .RETTLC 549 片型小, 采樣速度快, 功耗低, 價格便宜, 控制簡單。CLR P1. 0 。與51 系列單片機的接口如圖3 所示。 若CS 為高時出現(xiàn)一次有效低電平, 則將使引腳重新初始化, 從而脫離原轉換過程。( 4) 最后, 片上采樣保持電路在第8 個I / OCLOCK 周期的下降沿將移出第8( DDD0 )個轉換位。內部電路在測得CS 下降沿后,再等待兩個內部時鐘上升沿和一個下降沿后, 然后確認這一變化, 最后自動將前一次轉換結果的最高位( D7) 位輸出到DAT A OU T 端上。其工作時序如圖2 所示。具有4MHz 片內系統(tǒng)時鐘和軟、硬件控制電路, 轉換時間最長17??s, TLC548 允許的最高轉換速率為45 500 次/ s, T LC549 為40 000次/ s。這些金屬氧化物材料都具有半導體性質，因為在導電方式上完全類似鍺、硅等半導體材料。?XTAL1：振蕩器反相放大器以及內部時鐘電路的輸入端。? VPP:外部訪問允許。一般情況下，ALE是以晶振頻率的1/6輸出，可以用作外部時鐘或定時目的。P3口同時具有AT89C51的多種特殊功能，具體如下引腳第二功能 RXD (串行輸入口) TXD（串行輸出口） (外部中斷0) （外部中斷1） T0（定時器0） T1（定時器1） （外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通） （外部數(shù)據(jù)存儲器都選通）圖1 單片機引腳圖?RST:復位輸入。?P3口：P3是一帶有內部上拉電阻的8位雙向的I/O端口。P2口在訪問外部程序存儲器或16位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器（例如MOVX ＠ DPTR）時，P2口送出高8位地址數(shù)據(jù)。?P2口：P2是一帶有內部上拉電阻的8位雙向的I/O端口。?P1口：P1口是一帶有內部上拉電阻的8位雙向I/O口。當P0口訪問外部程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器時，它還可設定成地址數(shù)據(jù)總線復用的形式。三、實習（實訓）方式 √集中 □ 分散 √校內 □ 校外四、實習（實訓）具體安排1．集中講解；2．查閱資料，設計電路；3．程序調試；4．完成課程設計說明書，內容：原理分析、計算說明、調試報告、程序、心得體會；5．驗收，交課程設計報告。二、實習（實訓）內容1．目錄；2．單片機結構、原理；3．溫度控制系統(tǒng)硬件設計（原理圖、原理圖分析）；4．軟件設計，軟件流程圖，調試過程；5．硬件、軟件程序清單。當對0端口寫入1時，可以作為高阻抗輸入端使用。程序校驗時需要外接上拉電阻。當作為輸入端使用時，P1口因為內部存在上拉電阻，所以當外部被拉低時會輸出一個低電流（IIL）。作為輸入口，因為內部存在上拉電阻，某個引腳被外部信號拉低時會輸出電流（IIL）。當EPROM編程或校驗時，P2口同時接收高8位地址和一些控制信號。作為輸入口，因為內部存在上拉電阻，某個引腳被外部信號拉低時會輸出電流（IIL）。當在Flash編程時還可以作為編程脈沖輸出（ ）。當AT89C52執(zhí)行外部程序存儲器的指令時，每個機器周期 兩次有效，除了當訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時， 將跳過兩個信號。當執(zhí)行內部編程指令時， 應該接到VCC端。它是以錳、鈷、鎳和銅等金屬氧化物為主要材料， 采用陶瓷工藝制造而成的。NTC熱敏電阻器可NTC熱敏電阻器廣泛用于測溫、控溫、溫度補償?shù)确矫妫ぷ髟鞱TC（Negative Temperature Coefficient）是指隨溫度上升電阻呈指數(shù)關系減小、具有負溫度系數(shù)的熱敏電阻現(xiàn)象和材料．該材料是利用錳、銅、硅、鈷、鐵、鎳、鋅等兩種或兩種以上的金屬氧化物進行充分混合、成型、燒結等工藝而成的半