模電自測題、思考題與習(xí)題參考答案-全文預(yù)覽
【正文】 02Hz，fH=105Hz。圖(e)：R4引入第二級交流電壓并聯(lián)負(fù)反饋；R2引入級間交流電壓并聯(lián)負(fù)反饋。(a)：Re1和Re3分別引入一、三級的交流電流串聯(lián)負(fù)反饋；ReRf1和Re1引入一、三級間交流電流串聯(lián)負(fù)反饋。圖(f)：R3和R6分別引入一、二級直流和交流負(fù)反饋；級間引入了正反饋。圖(b)：ReCe1和ReCe2分別引入一、二級直流負(fù)反饋；Re3引入第三級直流和交流負(fù)反饋；Rf引入一、三級間直流和交流負(fù)反饋。5. ①。二、1. ②。2. 10；。UB3≈VCCID1RD=7V，IC3=IE3=[VB3UBE3 (VEE)]/(RP/2+2Re)≈。=0，UE3= ，IE = (+6 )/=1mA，IE3=IE4=IE/2=(mA)，IE1=IE2=IE3 /β3=。(2)因gm=2(IDSS/UP)(1UGS/UP)=，故單端輸出Aud= (1/2)gm(Rd//RL)=6。(2) Auc2=β2(Rc2//RL)/[Rs+rbe2+(1+β2)(2rAB+Re2)]}= ；KCMR=| 12 / |=24000。(2)圖(b)：Aud=β1Rc1/[Rs1+rbe1+(1+β1)(RP/2)]= ，Rid=2[Rs1+rbe1+ (1+β1)RP/2]=128KΩ，Ro=2Rc1=20kΩ。(2) 因rbe1= rbe2= 4kΩ，rbe3=，故Ri2= rbe3+(1+β3)Re3=。 (1)Aud= gm(Rd//rds) = ；(2)設(shè)從T1的漏極輸出，Aud1= gm(Rd//rds) /2= ，Auc1= gm(Rd//rds) /[1+ gm(2Rs)]= ，KCMR=| Aud1/Auc1|=| |=。(2) 由于VTVT2特性相同，且β足夠大，此時兩管基極電流可忽略，則IC2=IC1≈IR=(VCC|UBE|)/R≈VCC/R。6. ③。2. ①；④。；溫度漂移。(2)因20lgAu=40dB，則Au=100，Uim=Uom/Au=9/100=，Ui=64mV。(1)準(zhǔn)互補OCL功放電路，工作在甲乙類狀態(tài)。(3)此時IB=(2VCC2UBE)/(R1+R3)，則VV2上的靜耗為PC=βIBUCE=βIBVCC=2325mWPCM，兩管將燒毀。因電源電壓|VCC|16V，故U(BR)CEO2VCC=32V。(5)Ui =。三、6對；5錯思考題與習(xí)題 (1)由Pom=VCC 2/2RL得VCC≥，故VCC取18V。2. ⑥。4. W； W。 (1)經(jīng)計算只有C4起主導(dǎo)作用，fL≈96Hz。 (1) Au1=gmR39。(2) rbe=，Ri=，Ro= Rc=6kΩ，Aum=148，Aums=133。 (1) rbe=1kΩ，β=gmrb′e=36，Aums= 36。(2)fL=102Hz，fH=105Hz。 (1) UB1= 4V，IC1=1mA，UCE1=VCCIC1(RC1+RE1)=，IC2= IE2=()/RE2=，UCE2=[VCC IC2(RC2+RE2)]= 。 Rb2=R6+R7//R8=150kΩ，Ri2=Rb2//{rbe2+(1+β2)[rbe3+(1+β3)R9]}≈Rb2，Au1=(β1R3//Ri2)/[rbe1+(1+β1)R4]≈ ，Au2≈1，Au≈ 。對于VT1管，UB= R4VCC/(R3+R4)=，IC2≈IE2=(–)/=，IB2≈，UCEQ=VCCIC2(R5+R6)=。因R′L1=Re1//Ri2=。(3)Au= 168=；Aus=64。UB2=，IC2≈IE2 =，UCE2≈。5.①。 二、1.(1) ③；(2) ③；(3) ③；(4) ②。3．負(fù)載電阻；信號源內(nèi)阻。(1)由已知UGS= =，UDS=。(2) 因gm=，Au1= ，Au2=。(1)轉(zhuǎn)移曲線方程得ID=1mA，由UGS=IDR1得R1=2kΩ。故靜態(tài)漏極電流ID=，UGS= 。(2) Au= gmR′L= 50。思考題與習(xí)題(a)為NDMOS，UP= 2V，IDSS= 2mA；圖(b)為PJFET，UP= 2V，IDSS= 3mA；圖(c)為PDMOS，UP= 2V，IDSS= 2mA；圖(d)為NEMOS，UT= 1V。4. ④。6. gm和RS。2. 漏；源；源；漏；源。(2) rbe=，Au =，Ri =76kΩ，Ro≈22Ω。(2)因rbe≈，故Au1≈ ?；Au2≈。 (1)由圖得IC=，UCE=，VCC=15V；UCE+IC(Rc//RL)==3KΩ；VCC/(Rc+Re)=3mA得Re=2KΩ。(2)圖略。當(dāng)Re并一大電容，Ri=Rb1//Rb2//rbe=。 因UB =，UE = V，IE=UE /(Re1+Re2)≈ mA，故rbe=。 (1) Q點在交流負(fù)載線的中點上時輸出幅度最大，由此可得ICR39。(2)rbe≈ KΩ。(3) 若將C3開路，rbe和Ri不變，此時Au = ?β[(R2+R3)//RL]/rbe，Ro ≈R2+R3 。 PC=|ICUCE|≈PCM，且|IC|ICM，|UCE|U(BR)CEO，電路正常。因IB=10μA時IC=1mA，得β=100。(3)當(dāng)Uim繼續(xù)加大時電路先產(chǎn)生截止失真，需減小Rb直到消除失真為止。L=2V。據(jù)R39。 (1)(b)得VCC=10V，UCE=4V，IB=40μA，IC=2mA，所以Rb=(VCCUCE)/IB=，RC=(VCCUCE)/IC =3kΩ。圖(c)、電路具有放大功能。(b)截止?fàn)顟B(tài)。思考題與習(xí)題 (a)NPN硅管，1e、2b、3c。4.②；①；④。；共集；共集和共基；共集；共射。2.(從左到右)飽和；鍺管放大；截止；鍺管放大；飽和；鍺管放大；硅管放大；截止。 (1)因RLUI/(RL+R )=18VUZ，穩(wěn)壓管起穩(wěn)壓作用，UO=UZ=12V，IL=UO/RL=6mA，IR=(UI UO)/R=12mA，IZ=IRIO=6mA。因UCA=UCUA=UCB+UBUA= 2V。當(dāng)ui≥，VD2截止，uo=[(uiUth)/(R+rD)]rD+Uth，其最大值為Uom≈。故uo為上削頂下削底，且幅值為177。再由微變等效電路(圖略)可得輸出電壓交流分量uo≈[(+25)]ui≈(mV)。5.③。二、1.①；⑤；②；④。；最大整流電流IF；最大反向工作電壓URM。；增大。；整流。4.③。思考題與習(xí)題 由直流通路(圖略)得ID=()/103≈；則有rd≈26(mV)/ID(mA)=。 當(dāng)ui≥，VD2截止，uo=；當(dāng)ui≤，VD1截止，uo= ；≤ ui≤、VD2均截止，uo=ui。 ui，VDVD2均截止，uo=ui。 由分壓公式分別求得UA=5V，UB=8V，UBC=5V。圖略。 第2章自測題一、1. 15；100；30。削底，削底。3. ③。三、5對；6錯
研究報告相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1