【正文】 十兆赫茲以下的利用三極管構(gòu)成的丙類諧振放大式倍頻器。167。（為使輸出幅度變化不太劇烈。 欠壓狀態(tài)下，輸出電壓幅度十分小，輸出功率不大。 進入飽和區(qū)的過壓狀態(tài)；216。 六、丙類功放的動態(tài)特性 工作狀態(tài)可以根據(jù)晶體管在工作時是否進入飽和區(qū)來分為三種狀態(tài)：216。功率： 效率： 216。曲線和 與 的關(guān)系見書上。 將余弦脈沖的解析式代入上面各式中代替 iC 。 選頻網(wǎng)絡(luò)上面的功耗要盡可能地??；調(diào)諧于基波上；（丙類高頻功率放大器必須采用LC振蕩回路作為選頻網(wǎng)絡(luò)）一、 丙類高頻功率放大器的折線分析法 當管子工作在大功率狀態(tài)下時，基區(qū)的體電阻 rb 上面的電壓就變得顯著起來了，由于 rb 上的電壓和電流是線性的關(guān)系，所以在大功率狀態(tài)下，將 iCuBE 轉(zhuǎn)移伏安特性用折線來近似表示。216。二、基本電路 三、工作原理 由于丙類高頻功率放大器的導通角小于90o。 它的選頻網(wǎng)絡(luò)的主要作用是選出基波，抑制掉諧波。 高頻功率放大器的工作頻率很高，可以到達幾百兆赫茲甚至幾萬兆赫茲。六、復合管 （略）167。我們可以用求解極值的方法來求解 PCM 。這種由于靜態(tài)工作點選擇太低而造成的在低電流區(qū)引起的失真叫做交越失真。 三、交越失真 （n=4……）167。在使用時應(yīng)注意在功率管上加散熱片。 集電極的損耗功率Pc ： 216。導通角θ小于90o。即，器件多半個周期導電?！疽翌悺浚壕w管只在信號的半個周期內(nèi)有電流流過。二、要求： 在器件安全運用的前提下，輸出功率盡可能地大，效率盡可能地高，不失真地給出所需功率。4－3 丙類功率放大電路167。3－6 模擬乘法器模擬乘法器的基本工作原理 216。 輸入輸出波形： 指數(shù)運算電路： ＝0167。 對數(shù)運算電路： ＝0電路為并聯(lián)電壓負反饋＝0 工作原理：216。 工作原理：＝0216。 反相輸入式放大電路 虛開路： 167。 運放輸入端的兩個重要概念 運放工作在深度負反饋條件下，且工作在線性區(qū)時，有：216。 共模抑制比 216。 開環(huán)電壓增益 216。三、運放的簡化分析方法 框圖：167。 動態(tài)特性分析： 差模信號：大小相等，極性相反的一對信號。 有兩個輸入端和兩個輸出端，輸入信號加這兩個管子的基極，輸出信號取自兩個管子的集電極之間。）二、基本差動放大器 電路介紹： 簡稱：零漂或溫漂。 輸出電流的計算 167。 電路介紹： T1管、T2管具有完全相同的參數(shù)，并且發(fā)射結(jié)電壓相同。3－1 恒流源電路用途：供給放大級作為偏流源或作為有源負載。3－63－4 集成運放的應(yīng)用 167。第三章 模擬集成電路167。 共漏場效應(yīng)管放大電路分析 共源放大電路分析：（以N溝道耗盡型絕緣柵型場效應(yīng)管放大電路為例） 此電路帶有直流電流－串聯(lián)負反饋，可以穩(wěn)定靜態(tài)工作點。 增強型：要求必須給柵極G加正向偏壓。 自給偏置電路 集中參數(shù)選頻放大器包括：石英晶體、陶瓷濾波器、聲表面波濾波器。Kr雙 Kr單；四、集中參數(shù)選頻放大器 提高Q值的部分接入法電路 若：L、r支路為高Q支路，即：Q10 時，有： 化簡： LC單振蕩回路 回憶： 小信號選頻放大器的結(jié)構(gòu)： 選頻網(wǎng)絡(luò)：高頻：LC、石英晶體、陶瓷、聲表面波； 低頻：RC；選頻網(wǎng)絡(luò)決定小信號選頻放大器的選擇性的好壞。24 小信號選頻放大電路一、概述 作相頻特性波特圖得：六、晶體管的帶寬增益乘積 幅頻： 增益： 電路及等效電路： 晶體管的高頻分析 在高頻段，e結(jié)和c結(jié)都會產(chǎn)生容性電流。這種因擴散作用而在外電路產(chǎn)生的容性電流的等效電容。 求上、下截頻； 通頻帶：兩個截止頻率之間的頻帶。 下截頻fL；上截頻fh。） 理想：對所有頻率成分同等放大，相移和頻率成正比。） 輸入、輸出信號同相； 電壓放大倍數(shù)近似為1；） 輸入電阻： l 靜態(tài)工作點計算： 216。 電路介紹： 電路為： 串聯(lián)－電壓負反饋，并且輸出電壓全部反饋回到輸入端。但注意：在開環(huán)時，動態(tài)范圍必須留有余量。 放大倍數(shù)的穩(wěn)定性 UE = UB UBE , 2. 受溫度影響：ICBO；UBE； b ；都會使Q點提高。 深度負反饋情況下：由于1＋AF10時，有： 環(huán)反饋系數(shù)： 結(jié)論：本級：T1管：無反饋； T2管：有反饋，反饋支路──RE2；負反饋；越級：T1管──T2管： 有反饋，反饋支路──RF；負反饋；四、負反饋放大電路的一般表達式 從連接形式上區(qū)分：當：反饋信號和輸出信號接在同一點上時──電壓反饋； 至0 時， IF 依然存在………………電流反饋；電流反饋──反饋電流和輸出電流成正比； 假定輸入信號的瞬時極性，逐步標出放大器各級輸入和輸出電壓的極性 再判斷反饋類別：用瞬時極性法標注b（+）；e（+）； 輸入信號和反饋信號加在管子不同電極，并且符號相同。 RF ：并聯(lián)－電壓－負反饋 (c)五、 多級放大級 無電流放大倍數(shù) 功率增大1倍 lg10=10dB 貝爾 分貝（貝爾） 人的感官，對聲音和光線的強弱的感覺與它們功率的對數(shù)成正比。 放大器的輸出電阻Ro （三）、放大倍數(shù)的對數(shù)表示法 （電容短路，直流電源接地） 注意：其中受控源的極性要根據(jù)Ube的方向來確定。 等效：對外不對內(nèi)。 輸入信號幅度過大也會造成失真。 失真分析靜態(tài)工作點、輸入信號幅度、負載電阻大小對輸出波形的影響。由于交流負載的改變，使得交流負載線為一條通過靜態(tài)工作點Q但是斜率改變?yōu)?的直線。 UCE = UCC ICRC 求解靜態(tài)工作點的步驟： （我們將在放大器直流輸出回路中滿足電壓和電流關(guān)系的這一條直線稱為直流負載線。在給定電路中求解靜態(tài)工作點Q （以共射電路為例）。 再分析有信號輸入時的動態(tài)特性。圖解分析法的步驟是： 先分析無輸入信號時的靜態(tài)特性。（NPN，PNP都是這樣）,即：NPN── UC UB UE ；） 場效應(yīng)管放大電路 167。22 反饋放大器的基本概念167。 耗盡型：原來已經(jīng)有導電溝道存在（摻雜造成的），靠外加電壓使溝道中的 載流子耗盡。 要求必須給柵極G加正向偏壓。 增強型耗盡型N溝道 ： VCCS ： ： N溝道 P溝道 輸入阻抗十分高。 它只依靠一種載流子導電。 共基極輸入電阻： 167。 集電極最大允許功耗PCM 。 集電極最大允許電流ICOM ： IC 值。 共基極接法電流放大系數(shù) 六、晶體三極管的主要參數(shù) 有： 輸出特性曲線 (ICUCE)IB 共射組態(tài)放大電路的特性曲線： (UBE 187。 (IC 187。 【共射】 對電壓、電流都有放大倍數(shù)。 三個電極電流滿足： 即三極管實際上是一個電流控制電流源CCCS。 三、放大狀態(tài)下晶體管中的電流 注： 交流有效值── 大寫小寫； 交流值── 小寫小寫 ； 瞬時值 ── 小寫大寫 ； 靜態(tài)值── 大寫大寫 ；*注意： 實際電流的流向是與電子流的方向相反的。 例：P52 1－2 167。 二極管應(yīng)用： 1． 整流：略2． 穩(wěn)壓：穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路。 216。 直流電阻（靜態(tài)電阻）── 正偏：擴散電流很大，以擴散電容為主。外電壓增量引起空穴－電子對存儲就象電容充電一樣。對外等效為非線性微變電容。 當反向電壓在4V和7V之間的時候，兩種擊穿均有。 4V 擴散電流 （趨近于0） 175。 結(jié)論： 勢壘高度 175。總電流為零。由正、負離子區(qū)形成了一個內(nèi)建電場（即勢壘高度）。 167。 o 空 o 摻雜后由B提供的空 原理： Si──＋4價 B與Si形成共價鍵后多余了一個空穴。 穴──少子 o 自由電子──多子 o 摻雜后由P提供的自由電子──數(shù)量多。 如：磷；砷 P──＋5價 使自由電子大大增加 ──電子跳走以后留下的坑 （－） 光照──光敏元件等 （略） 本征半導體――純凈、晶體結(jié)構(gòu)完整的半導體稱為本征半導體。 半導體就是導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)。14 晶體三極管 167。8－3 自動相位控制（APC）PLL第一章 半導體器件167。7－4 頻率解調(diào)的基本原理和方法 第八章7－3 調(diào)頻及調(diào)相信號的產(chǎn)生 7－2 調(diào)角信號分析 7－1 概述 非線性頻率變換 ──角度調(diào)制與解調(diào) 檢波電路167。 調(diào)幅波的基本特性167。5－5 RC正弦波振蕩器第六章反饋型正弦波振蕩器的工作原理 167。4－44－23－53－1 恒流源電路167。23 頻率特性的分析法167。14 晶體三極管 167。硬件電子電路基礎(chǔ)關(guān)于本課程 第一章 半導體器件 167。13 二極管167。22 反饋放大器的基本概念167。場效應(yīng)管放大電路 第三章 模擬集成電路 167。3－4 集成運放的應(yīng)用 167。3－64－1 功率放大電路的主要特點167。丙類功率放大電路167。5－15－4 石英晶體振蕩器167。6－16－3 167。 167。 167。 167。8－2 自動頻率控制（AFC） 167。13 二極管167。 硅和鍺的共價鍵結(jié)構(gòu)。 溫度──熱敏元件 （前講）摻雜可以顯著地改變半導體的導電特性，從而制造出雜質(zhì)半導體。 摻雜為＋5價元素。 載流子組成：o 本征激發(fā)的空穴和自由電子──數(shù)量少。 載流子組成：o 本征激發(fā)的空穴和自由電子──數(shù)量少。 穴──數(shù)量多。 穴──多子 o 自由電子──少子 結(jié)論：N型半導體中的多數(shù)載流子為自由電子； P型半導體中的多數(shù)載流子為 空穴 。 將一塊P型半導體和一塊N型半導體緊密第結(jié)合在一起時，交界面兩側(cè)的那部分區(qū)域。（正、負離子不能移動）留下了一個正、負離子區(qū)──耗盡區(qū)。結(jié)論：在沒有外加電壓的情況下，擴散電流和漂移電流的大小相等，方向相反。 外加正向電壓時：（正偏） PN結(jié)寬度（耗盡區(qū)寬度） 173。 齊納擊穿：勢壘區(qū)窄，較高的反向電壓形成的內(nèi)建電場將價電子拉出共價鍵，導致反向電流劇增。它與平行板電熱器在外加電壓作用下，電容極板上積累電荷情況相似。為了維持電中性，將會有相同數(shù)量的異性載流子從外電路進入半導體，在半導體中形成空穴－電子對儲存。等效對外不對內(nèi)）反偏：擴散電流＝0，以勢壘電容為主。二、伏安特性曲線 門限電壓（導通電壓）──UD ：硅管 ── 鍺管 ── b區(qū)極薄 e區(qū)攙雜濃度最大，b區(qū)攙雜濃度最低。 （不能將兩個二極管兌成一個三極管來用） 　二、晶體管的四種工作狀態(tài) 狀態(tài) 發(fā)射結(jié)電壓 集電結(jié)電壓 放大 正 反 截止 反 反 飽和 正 正 倒置 反 正 用很少量的 IB 來控制 IC 。 【共基】 無電流放大倍數(shù)，有電壓放大倍數(shù)。 【共集】 無電壓放大倍數(shù)，有電流放大倍數(shù)。 特性曲線就得是一族。 特點： UCE = UCC ； UCE ＝ 交流短路電流放大系數(shù) 2. 極限參數(shù) 共射電路的輸入電阻： BE結(jié)電阻： 它是單極型晶體管。它靠兩種載流子導電。） 一、結(jié)型場效應(yīng)管 依