光耦moc3041的接法例子-全文預覽
【正文】 為了在使用感性負載時吸收與電流不同步的過壓，而門級電阻則是為了提高抗干擾能力，以防誤觸發(fā)。KS導通，接觸器C吸合。具體電路如圖3 所示。輸出端的額定電壓為400V ,額定電流有效值為300mA。電路如圖2 所示。PSUB/SUB輸出高電平時，KS關(guān)斷，接觸器C釋放。例2交流接觸器C 由雙向晶閘管KS 驅(qū)動。 綜合以上兩點，該電路的設計是存在缺欠的，改進方法如下：MOC3041與氣閥之間加入一個可控硅（必須）建議改用NPN管驅(qū)動，如果必須要用PNP管，就應該在B和E之間接一個10K左右的電阻；或者在發(fā)射極串入一個二極管，以起到鉗位作用，即保證PNP管能可*關(guān)斷；或者干脆將耦合器的1和2腳改接在發(fā)射極，并讓集電極通過電阻接地。實踐證明，51單片機驅(qū)動PNP管的時候，在工作條件接近臨界點的時候，會出現(xiàn)關(guān)不斷的現(xiàn)象，其原因在于：（1）端口的高電平并不是嚴格的Vcc電壓，而是比Vcc略低，這種略低的電壓足以形成給Q1一個很小的偏置電壓Vbe，但經(jīng)過三極管放大后，卻能夠造成Q1集電極有極小的電流存在，盡管該電流不足以導致LED發(fā)出用肉眼能看到的亮光，但是在密封的光耦合器內(nèi)，卻能夠?qū)е鹿怦詈蠀^(qū)工作；（2）PNP管要比NPN極管有更大的穿透電流，即：在基極B完全斷開的情況下，集電極仍然有極小的電流存在。 Microelectronics公司的T4系列，內(nèi)部集成有緩沖續(xù)流電路，不用在雙向可控硅兩端并聯(lián)RC吸收電路，可以直接觸發(fā)，電路設計比較簡單。其輸出用來觸發(fā)雙向可控硅，選用ST 圖中的光耦MOC3041是用來隔離可控硅上的交流高壓和直流低壓控制信號的
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