igbt單相半橋無源逆變電路設(shè)計-課程設(shè)計-全文預(yù)覽
【正文】 中產(chǎn)生較人的損耗。其續(xù)流二極管選擇與之配套的快速恢復(fù)二極管 EDR60100。 即選用 2200 F? 、 250V 電容器。 故選 ZP15A 整流二極管 4只，并配 15A 散熱器。裕量，則 B=cosα = ? ? VU 150~ ~12 ???? 取 U2=140V。應(yīng)具有 IGBT 的完整保護功能，很強的抗干擾能力，且輸出阻抗應(yīng)盡可能的低。 4） 由于 IGBT 多用于高壓場合。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。但是， VGE 并非越高越好，一般不允許超過 20 V，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高， IGBT 損壞的可能性就越大。并且在 IGBT 導(dǎo)通后。門極驅(qū)動條件與器件特 5 性的關(guān)系如表 1 所示 ： 表 1 門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系 特性 Vce(on) Ton、 Eon toff、 Eoff 負載短路能力 電流 dVce/dt +VCE 增大 降低 降低 降低 增加 VCE 減小 略減小 減小 RC增大 增加 增加 減小 由于 IGBT 的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路的變化而變化，因而驅(qū)動電路性能的好壞將直接影響 IGBT能否正常工作。 如果 IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓 ,即驅(qū)動電壓過低 ,則 IGBT不能穩(wěn)定正常地工作 ,如果過高超過柵極－發(fā)射極之間的耐壓則 IGBT 可能永久性損壞 。此時，為維持 N區(qū)的電平衡， P+區(qū)像 N區(qū)注入空穴載流子，并保持 N區(qū)具有較高的載流子濃度，即對 N區(qū)進行電導(dǎo)調(diào)制，減小導(dǎo)通電阻，使得 IGBT 也具有較低的通態(tài)壓降。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使 IGBT 4 關(guān)斷。在漏、源之間的 P 型區(qū)（包括 P+ 和 P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region）。 圖 5 IGBT 結(jié)構(gòu)圖 如圖 5 所示為一個 N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。 單相半 橋純電阻負載逆變電路 如圖 4 所示 在一個周期內(nèi)，電力晶體管 V1 和 V2 的基極信號各有半周正偏，半周反偏且互補。開始反向增大，此時仍然有 U0=Ud/2 。由于感性負載中的電流 i。這樣，就把直流電變成了交流電，改變兩組開關(guān)的切換頻率，即可改變輸出交流電的頻率。 而驅(qū)動電源和驅(qū)動電路則需要根據(jù) 實際 電路的要求進行搭建。 singlephase halfbridge。本文對 使用的 IGBT 單相半橋無源逆變電路進行了 波形 的 仿真和分析 。設(shè)計中使用到的 絕緣柵雙極晶體管（ Insulatedgate Bipolar Transistor） ,英文簡寫為 IGBT。 《單片機技術(shù)》課程設(shè)計說明書模板 IGBT 單相半橋無源逆變電路設(shè)計 院 、 部 ： 電 子與信息工程學(xué)院 學(xué)生姓名： 指導(dǎo)教師： 職稱 ： 博士 專 業(yè)： 自動化 班 級： 完成時間 ： 2020 年 5 月 20 日 I 摘 要 本次課程設(shè)計的題目是 IGBT 單相半橋無源逆變電路設(shè)計 ， 同 時設(shè)計相應(yīng)的觸發(fā)電路。 本次設(shè)計中主要由 交流電源，整流，濾波和半橋逆變電路四部分構(gòu)成電路的主電路，驅(qū)動電路和驅(qū)動電源構(gòu)成指揮主電路中逆變橋正確工作的控制電路。現(xiàn)已成為中、大功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件。 when the AC side directly and load connected, called passive inverter, the inverter circuit is widely applied in real life. This design is mainly posed of AC power, rectifier, filter and halfbridge inverter circuit four parts of the main circuit circuit, driving circuit and power supply control circuit in the main circuit of inverter bridge mand work properly. Insulated gate bipolar transistor to use in design
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