“十一五”國(guó)家科技支撐計(jì)劃重點(diǎn)項(xiàng)目“電力電子關(guān)鍵器件及重大裝-全文預(yù)覽
【正文】 （五）經(jīng)費(fèi)預(yù)算國(guó)撥經(jīng)費(fèi)擬安排2500萬(wàn)元，承擔(dān)單位自籌資金與國(guó)撥經(jīng)費(fèi)比例不低于2:1。 30℃～+50℃滿足國(guó)內(nèi)MW級(jí)風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)對(duì)并網(wǎng)變流器的要求，并在實(shí)際的風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中完成不少于1500小時(shí)的運(yùn)行考核。 ≥（可根據(jù)需要調(diào)節(jié)）電機(jī)側(cè)dv/dt 690V變流器主功率器件 交流側(cè)額定電壓 ≥95%（額定功率情況下）網(wǎng)側(cè)功率因數(shù) 4500V系列IGCT器件變流器變換效率額定功率（四）課題承擔(dān)單位要求 課題承擔(dān)單位應(yīng)該是具有大型電力電子設(shè)備研制能力、有雄厚技術(shù)經(jīng)濟(jì)實(shí)力和產(chǎn)業(yè)化能力的“產(chǎn)學(xué)研用”聯(lián)合體。2. 復(fù)合電壓質(zhì)量調(diào)節(jié)裝置的技術(shù)指標(biāo)裝置電壓等級(jí)：10kV；最大容量：2MVA；裝置負(fù)荷側(cè)總電壓畸變率THD小于4%；當(dāng)電源側(cè)發(fā)生電壓降（升）幅50%以下的電壓暫降（暫升）故障時(shí)，在規(guī)定的故障持續(xù)時(shí)間內(nèi)將負(fù)荷電壓補(bǔ)償?shù)筋~定電壓177。申請(qǐng)發(fā)明專利5項(xiàng)，實(shí)用新型專利5項(xiàng)。編制大功率復(fù)合電壓質(zhì)量調(diào)節(jié)裝置和復(fù)合電流質(zhì)量調(diào)節(jié)裝置的技術(shù)規(guī)范，形成指導(dǎo)企業(yè)的生產(chǎn)性技術(shù)文件。課題三（五）經(jīng)費(fèi)預(yù)算國(guó)撥經(jīng)費(fèi)擬安排3000萬(wàn)元。鏈?zhǔn)浇Y(jié)構(gòu)變流器各鏈節(jié)直流側(cè)電壓靜態(tài)及動(dòng)態(tài)偏差不超過(guò)平均值50V，變流器輸出電壓諧波總諧波畸變率不超過(guò)5％（50次以下），新型靜止補(bǔ)償器裝置響應(yīng)速度小于10ms，（2秒），平均無(wú)故障時(shí)間4000小時(shí)，除開(kāi)關(guān)器件外所有關(guān)鍵技術(shù)均擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。（二）研究?jī)?nèi)容（申請(qǐng)課題須涵蓋以下所有內(nèi)容）研究掌握適用于鏈?zhǔn)浇Y(jié)構(gòu)連接的高壓大容量變流器（，電流大于1700A）技術(shù)，該變流器具有晶閘管旁路電路、直流側(cè)接高壓大容量脈沖電容器，具有簡(jiǎn)單的低損耗緩沖電路，及直流側(cè)電壓平衡調(diào)節(jié)電路，全部采用光纖輸入；研究掌握多鏈節(jié)（20個(gè)以上）串聯(lián)連接技術(shù)，使鏈?zhǔn)阶兞髌髂茌敵?5kV電壓，可以不經(jīng)變壓器直接接入35kV電網(wǎng)；研究掌握20個(gè)以上串聯(lián)鏈節(jié)脈沖分配及控制技術(shù)，使得變流器的工作損耗低、輸出電壓諧波小，能夠確保各鏈節(jié)直流側(cè)電壓與平均電壓在靜態(tài)與動(dòng)態(tài)過(guò)程中均保持在允許的范圍之內(nèi)；研制完成基于35kV/1700A 鏈?zhǔn)阶兞髌鞯男滦挽o止補(bǔ)償器產(chǎn)品，研究掌握其控制與保護(hù)技術(shù)；研究掌握等效測(cè)試技術(shù)，可以對(duì)高壓大功率模塊進(jìn)行有效的測(cè)試同時(shí)保證測(cè)試成本低；研究掌握10個(gè)以上的IGBT/IGCT器件串聯(lián)均壓及驅(qū)動(dòng)技術(shù)。（六）執(zhí)行年限2007年10月至2010年10月。功率密度不低于6W/cm3。2. FRD芯片和單管主要參數(shù)（典型值）規(guī)格電流反向阻斷電壓正向壓降反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)電荷75A/1200V75A1200V～200～500ns4～20uC100A/1200V100A1200V～200～500ns4～20uC75A/1700V75A1700V～400～700ns20～60uC100A/1700V100A1700V～400～700ns20～60uC測(cè)試條件:靜態(tài)參數(shù)測(cè)試溫度為25℃，動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試溫度為125℃額定電流下。研制出不少于3個(gè)規(guī)格的集成化PEBB單元，每個(gè)規(guī)格不少于2個(gè)樣品，其中最大功率的集成化PEBB不小于30kW。（三）考核指標(biāo)研制出上述IGBT芯片、單管、模塊各100只；FRD芯片、單管各100只。7. 集成化PEBB系列。研制出100A/1200～1700V研制出75A～100A1200V IGBT單管。研制出75A/1200～1700V IGBT，研制出100A/1200～1700V IGBT。二、指南內(nèi)容課題一“十一五”國(guó)家科技支撐計(jì)劃重點(diǎn)項(xiàng)目“電力電子關(guān)鍵器件及重大裝備研制”課題申請(qǐng)指南一、指南說(shuō)明“十一五”國(guó)家科技支撐計(jì)劃重點(diǎn)項(xiàng)目《電力電子關(guān)鍵器件及重大裝備研制》依據(jù)《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（20062020年）》的任務(wù)要求設(shè)置。為充分調(diào)動(dòng)各有關(guān)部門、地方政府、科研院所、大專院校和企業(yè)的主動(dòng)性和積極性，促進(jìn)科技資源優(yōu)化配置，本項(xiàng)目采取公開(kāi)申報(bào)方式擇優(yōu)選擇課題承擔(dān)單位。（二）研究?jī)?nèi)容（申請(qǐng)課題須涵蓋以下所有內(nèi)容）1. IGBT芯片。3. IGBT單管。5. IGBT模塊。1～500kW系列PEBB，5個(gè)規(guī)格。100W、500W和1kW 集成化DCDC變換器。研制出不少于5個(gè)規(guī)格的PEBB，每個(gè)規(guī)格2個(gè)樣品，其中最大功率的PEBB不小于500kW。主要技術(shù)參數(shù)：1. IGBT芯片和單管主要參數(shù) （典型值）規(guī)格電流反向阻斷電壓通態(tài)壓降開(kāi)通時(shí)間關(guān)斷時(shí)間75A/1200V75A1200V～200～350ns400～650ns100A/120
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