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晶體結構與晶體中的缺陷-全文預覽

2025-05-23 13:46 上一頁面

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【正文】 熱缺陷: “弗侖克爾缺陷 ” 與 “ 肖特基缺陷 ” 弗侖克爾缺陷 定義 :正常結點上的原子(離子)跳入 間隙 ,形成 間隙原子。 空 位 (vacancy):正常結點沒有被原子或離子占據(jù)。 舉例 — 簡單立方晶體 (晶胞的八個陣點完全被原子 占滿,其他位置沒有原子 )。 ?長石 52 四聯(lián)杯和曲軸狀鏈。 α-石英 重建型 轉變 (慢 ) α-鱗石英 α-方石英 熔融石英 位移型轉變 (快 ) β-石英 870℃ 1723℃ 1470℃ 573℃ 163℃ 117℃ γ-鱗石英 180~ 270℃ β-方石英 β-鱗石英 當硅氧骨架中的 Si被 Al取代時,結構單元的化學式可以寫成 [AlSiO4]或 [AlSi3O8],其中( Al+Si): O仍為 1: 2。 ?石英的三個主要變體 : ?方石英 : 兩個共頂連接的硅氧四面體以共用 O2為中心處于中心對稱狀態(tài) ?鱗石英 :兩個共頂?shù)墓柩跛拿骟w之間相當于有一對稱面。 ? 如果結構中取代主要發(fā)生在 Al- O八面體中 , 進入層間的陽離子與層的結合并不很牢固 、 在一定條件下可以被其它陽離子交換 。 由于這種鍵力很弱 。 ? 橋氧數(shù): 0 ? 形狀: 單島 ? 絡陰離子: [SiO4]4 ? Si/O=1:4 ? 舉例:鎂橄欖石 Mg2[SiO4] 一 、島狀結構 二 、組群狀結構 ? 連接方式及形狀 :兩個、三個、四個或六個硅氧四面體連接成單獨的硅氧絡陰離子團(雙島狀或封閉環(huán)狀),其間由其他金屬陽離子相連接。先是 1價、 2價的金屬離子,其次是 Al3+和 Si4+,最后是 O2或OH— 。另外一些晶體化學家提出了使用鍵參數(shù)函數(shù)的方法來判斷晶體結構(見下頁) 鍵參數(shù)函數(shù)與無機化合物晶體結構的關系 一. 島狀結構 二. 組群狀結構 三. 鏈狀結構 四. 層狀結構 五. 架狀結構 硅酸鹽晶體結構 硅酸鹽化學式的表征通常有兩種方法: 實驗式 (氧化物方法): 即把構成硅酸鹽晶體的所有氧化物按一定的比例和順序全部寫出來,先是 1價的堿金屬氧化物,其次是 2價、 3價的金屬氧化物,最后是 SiO2。 ?Ti4+ 的 CN= 6, Ca2+的 CN= 12 十二、 MgAl2O4(尖晶石)型結構 AB2O4型化合物中最重要的一種結構是 尖晶石結構: ?立方晶系 , Fd3m, a0=, Z=8 ?O2按立方緊密堆積排列,二價離子 A充填 1/8 四面體空隙,三價離子 B充填 1/2八面體空隙 —— 正型尖晶石結構 。 17′, Z=2 cR3?O2按六方緊密堆積排列 ,形成ABABAB…… 重復規(guī)律, Al3+填充于 2/3的八面體空隙, Al3+的分布原則符合鮑林規(guī)則: 在同一層和層與層之間, Al3+之間的距離應保持最遠。 ?鏈與鏈之間是 Ti- O八面體以共頂相連 ?還可以把 O2看成近似六方緊密堆積,而 Ti4+位于 1/2的八面體空隙中 ?屬于金紅石結構的晶體有: SnO2; PbO2; MnO2; MoO2; WO2;MnF2; MgF2; VO2 九、 CdI2(碘化鎘)型結構 ?三方晶系,空間群 P m , a0=, c0=, Z=1; ?Cd2+占有六方原始格子的結點位置, I交叉分布于三個 Cd2+的三角形中心的上、下方; Cd2+的配位數(shù)是 6,上下各 3個I , I配位數(shù)是 3, 3個 Cd2+處于同一邊,因此,該結構相當于兩層 I離子夾一層 Cd2+ ,構成復合層。u)(189。 O2: uu0, (1u)(1u)0, ( 189。如 Li2O、 Na2O、 K2O等。 188。, 188。 190。 190。, 190。 188。 , 0 189。 Ca2+: 000, 189。 190。 , 190。 190。, 0 189。 4S 2 : 000, 189。 189。 189。 189。 0 189。 Cl按立方最緊密堆積方式堆積, Na+ 充填于全部八面體空隙中,陰、陽離子 配位數(shù)均為 6。 ?石墨與金剛石的 化學組成相同,結構不同 ,這種現(xiàn)象稱為 同質多晶現(xiàn)象 ,石墨和金剛石是碳的兩種 同質多象變體 。 ?結構表現(xiàn)為 碳原子呈層狀排列 。 硅酸鹽晶體結構 167。 典型結構類型 167。 ?與其結構相同的有 硅、鍺、灰錫、合成立方氮化硼等 ?性質: 硬度最大、具半導體性能、極好的導熱性 二、石墨結構 ?石墨( C),六方晶系, P63/ mmc, a0=,c0=,每個晶胞中原子數(shù) Z=4 。 ?性質: 碳原子有一個電子可以在層內(nèi)移動,類似于金屬中的自由電子,平行層的方向具 良好導電性 ; 硬度低 ,易加工; 熔點高 ; 有潤滑感 。 ?陰、陽離子以離子鍵結合,為離子晶體。 0, 189。 Na+: 00189。 189。 ?離子坐標: Cs+—189。 ?陰、陽離子的 CN均為 4,若把 S2看成立方最緊密堆積,則 Zn2+充填于 1/2的四面體空隙中。 0 189。 188。 188。 , 190。 S 2 : 000, 2/3 1/3 1/2 Zn2+: 00u, 2/3 1/3 (u1/2), 其中 u= ? 屬于纖鋅礦型結構的晶體有: BeO、ZnO、 AIN等 七、 CaF2(螢石)型結構 ?立方晶系,空間群 Fm3m, a0 = , Z= 4; Ca2+位于立方面心的結點上, F位于立方體內(nèi)八個小立方體中心; Ca2+的 CN= 8, F的 CN= 4; ?Ca2+作立方緊密堆積 , F充填于全部四面體空隙,八面體空隙全部空著,因此在八個 F之間存在有較大的空洞,為 F的擴散提供條件。 0 189。 188。 188。, 188。 190。 190。, 190。 ?反螢石結構 :晶體結構與螢石完全相同,只是陰、陽離子 位置完全互換。189。 (189。 ?TiO八面體以共棱方式排成鏈狀,晶胞中心的鏈和四角的Ti- O八面體鏈的排列方向相差 90176。 ?晶胞中質點的坐標: Cd2+為 000; I為 2/31/3u, 1/32/3(u1/2), u= Cd2+ I 十、 α- Al2O3(剛玉)型結構 ?三方晶系,空間群 , a0=, ?=55176。 ?Ca2+占有立方面心的角頂位置, O2占有面心位置,可看成 Ca2+ 和 O2 共同組成立方緊密堆積, Ti4+充填于 1/4的八面體空隙中,位于立方體中心, Ti4+ 的 CN= 6, Ca2+的 CN= 12。 ?以上討論了12種典型結構,據(jù)陰離子堆積方式和陰、陽離子配位關系歸納成右表。6SiO2; 結構式 (無機絡鹽表示法) :把構成硅酸鹽晶體的所有離子按照一定比例和順序全部寫出來,再把相關的絡陰離子用 [ ]括起來。 ③ [SiO4]四面體只能孤立存在或共頂連接 , ④ [SiO4]四面體中心的 Si4+離子可部分地被 Al3+ 所取代 ?硅酸鹽結構的分類 按照硅氧四面體在空間的連接方式,可將硅酸鹽結構分成五類: 、 、 、 硅酸鹽晶體結構類型與 Si/O比的關系 結構類型 [ Si O4]4 共用 O2 數(shù) 形狀 絡陰離子 Si /O 實例 島狀 0 四面體 [ Si O4]4 1 : 4 鎂橄欖石 Mg2[ Si O4] 鎂鋁石榴石 Al2Mg3[ S i O4]3 1 雙四面體 [ Si2O7]6 2 : 7 硅鈣石 Ca3[ Si2O7] 三節(jié)環(huán) [ Si3O9]6 1 : 3 藍錐礦 B a T i[ S i3O9] 四節(jié)環(huán) [ Si4O12]8 1 : 3 斧石 Ca2Al2( Fe, M n ) B O3[ Si4O12] ( O H ) 組群狀 2 六節(jié)環(huán) [ Si6O18]12 1 : 3 綠寶石 Be3Al2[ S i6O18] 2 單鏈 [ Si2O6]4 1 : 3 透輝石 C a M g [ S i2O6] 鏈狀 2 , 3 雙鏈 [ Si4O11]6 4 : 11 透閃石 Ca2Mg5[ Si4O11]2( O H )2 層狀 3 平面層 [ Si4O10]4 4 : 10 滑石 Mg3[ Si4O10] ( O H )2 [ Si O2]0 石英 Si O2 [ A l S i3O8]1 鉀長石 K [ A l Si3O8] 架狀 4
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