【正文】 ++ UCCVRB1REICQIBQ+UCE Q－+ UBE Q －（ 1）靜態(tài)分析 （ 2）動態(tài)分析 r be+oU?－cI?bI?CBE+iU?－bI??RE R LRBRs +sU? －射極輸出器的微變等效電路1I?eI?iI?LbeLoLbbebobebLbLo)1()1()1()1(RrRUUARIrIUrIURIRIUiuie?????????????????????????????????① 求電壓放大倍數(shù) ② 求輸入電阻 ])1(//[)1(LbeBLbeBb1RrRIURRrURUIIIiiiiii?????????????????????rbe+oU?－cI?bI?CBE+iU?－bI??RE R LRBRs +sU? －射極輸出器的微變等效電路1I?eI?iI?計算輸出電阻的等效電路I?rbe+ U?－cI?bI?CBEbI??RERBRseI?③ 求輸出電阻 ??????????????????1// beEoEbebebbssseRrRIURRURrURrUIIII?????????射極輸出器的特點： ①電壓放大倍數(shù)小于 1，但約等于 1，即電壓跟隨。 例： 圖示電路，已知 V12CC?U ， 300B?R k Ω ，3C?R k Ω ， 3L?R k Ω ， 3s?R k Ω ， 50?? ，試求：（ 1 ） RL接入和斷開兩種情況下電路的電壓放大倍數(shù)uA?；（ 2 ）輸入電阻 Ri和輸出電阻 Ro；（ 3 ）輸出端開路時的源電壓放大倍數(shù)susUUA??? o? 。另外，較大的輸入電阻 Ri， 也可以降低信號源內(nèi)阻 Rs的影響，使放大電路獲得較高的輸入電壓。當 uBE有一微小變化 ΔUBE時，基極電流變化ΔIB， 兩者的比值稱為三極管的動態(tài)輸入電阻，用 rbe表示，即： bbeBBEbe iuIUr ????+ube－+uce－icibCBErbe+uce－ici bCBE+ube－β ib (a ) 三極管 ( b ) 三極管的微變等效電路)mA(m V )(26)1(3 0 0EQbe Ir ????0UCEICΔ IBΔ ICQ輸出特性曲線在放大區(qū)域內(nèi)可認為呈水平線，集電極電流的微小變化 ΔIC僅與基極電流的微小變化 ΔIB有關(guān)，而與電壓 uCE無關(guān)，故集電極和發(fā)射極之間可等效為一個受 ib控制的電流源，即： bc ii ??r be+oU ?－cI?bI?CBE+iU ?－bI??R C R LRBR s +sU? －（ 3）放大電路微變等效電路 RsRBus+－+ui－RL+uo－VRCibicr be+oU ?－cI?bI?CBE+iU ?－bI??R C R LRBR s +sU? －①電壓放大倍數(shù) beLbbebLbbecLorRIrIRIrIRUUAiu?????????? ?????????式中 RL39。Q UCE Q0uCE2． 微變等效電路法 把非線性元件晶體管所組成的放大電路等效成一個線性電路，就是放大電路的微變等效電路，然后用線性電路的分析方法來分析，這種方法稱為微變等效電路分析法。進入飽和區(qū) ， 造成 ic和 uce的波形與 ib（ 或 ui） 的波形不一致 ， 輸出電壓 uo（ 即 uce） 的負半周出現(xiàn)平頂畸變 ， 稱為飽和失真；若 Q點偏低 ， 則 Q進入截止區(qū) ， 輸出電壓 uo的正半周出現(xiàn)平頂畸變 ， 稱為截止失真 。 負載電阻 RL越小 ， 交流負載電阻 RL39。Q 39。 （ 2） 根據(jù) ui在輸入特性上求 uBE和 iB。由于動態(tài)時放大電路是在直流電源 UCC和交流輸入信號 ui共同作用下工作，電路中的電壓 uCE、 電流 iB和 iC均包含兩個分量。 （ 4） 求靜態(tài)工作點 Q， 并確定 UCEQ、 ICQ的值 。 圖解步驟： （ 1） 用估算法求出基極電流 IBQ（ 如 40μA） 。 為了減小傳遞信號的電壓損失 ， Cl、 C2應選得足夠大 ， 一般為幾微法至幾十微法 ， 通常采用電解電容器 。 將集電極電流 iC的變化轉(zhuǎn)換為電壓的變化 ， 以獲得電壓放大 ， 一般為幾千歐 。 UCC一般在幾伏到十幾伏之間 。 Rs R Bus+－+ui－+－UBBRL+uo－+UCC－RCC1C2V++（ 1） 晶體管 V。 三極管的特性曲線 ICIBRBUBBUCCRCVVμ AmA +UCE －+UBE－ U BE / V40302010IB /mA0UCE≥ 1V測量三極管特性的實驗電路 三極管的輸入特性曲線1． 輸入特性曲線 與二極管類似 4321IB=003 6 9 12 UCE /V20 μ A4 0 μ A6 0 μ A8 0 μ A10 0 μ A飽和區(qū)截止區(qū)放 大 區(qū)IC / m A2． 輸出特性曲線 （ 1）放大區(qū)：發(fā)射極正向偏置，集電結(jié)反向偏置 VcVbVe BECEBEB uuui ??? ,0,0BC ii ??0,0 ?? CB iiBC ii ??（ 2）截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反向偏置，集電結(jié)反向偏置 VcVe=Vb （ 3）飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)正向偏置 VbVcVe 此時 CV 三極管的主要參數(shù) 電流放大系數(shù) β： iC= β iB 極間反向電流 iCBO、 iCEO： iCEO=（ 1+ β ） iCBO 極限參數(shù) （ 1）集電極最大允許電流 ICM： ?下降到額定值 的2/3時所允許的最大集電極電流。這三個區(qū)域的排列，可以是 NPN， 也可以是 PNP。 最大穩(wěn)定電流 IZM是指穩(wěn)壓管允許通過的最大電流 。 （ 3） 動態(tài)電阻 rZ。 陽極 陰極穩(wěn)壓管的主要參數(shù)： （ 1） 穩(wěn)定電壓 UZ。 5）最高工作頻率 fm： 主要取決于 PN結(jié)結(jié)電容的大小。 （ 2）反向特性 3． 半導體二極管的主要參數(shù) 1）最大整流電流 IF： 指管子長期運行時，允許通過的最大正向平均電流。 正向電壓大于死區(qū)電壓后，正向電流 隨著正向電壓增大迅速上升。 半導體二極管按其結(jié)構(gòu)不同可分為點接觸型和面接觸型兩類 。 ?將一塊半導體的一側(cè)摻雜成 P型半導體，另一側(cè)摻雜成 N型半導體，在兩種半導體的交界面處將形成一個特殊的薄層 → PN結(jié) 。 少數(shù)載流子是熱激發(fā)而產(chǎn)生的，其數(shù)量的多少決定于溫度。 在純凈半導體硅或鍺中摻入磷、砷等 5價元素，由于這類元素的原子最外層有 5個價電子，故在構(gòu)成的共價鍵結(jié)構(gòu)中，由于存在多余的價電子而產(chǎn)生大量自由電子，這種半導體主要靠自由電子導電，稱為電子半導體或 N型半導體，其中自由電子為多數(shù)載流子，熱激發(fā)形成的空穴為少數(shù)載流子。帶負電荷的價電子依次填補空穴的運動，從效果上看，相當于帶正電荷的空穴作相反方向的運動。 每個原子周圍有四個相鄰的原子，原子之間通過 共價鍵 緊密結(jié)合在一起。 硅和鍺是4價元素，原子的最外層軌道上有 4個價電子。?主編 李中發(fā) ?制作 李中發(fā) ?2022年 7月 電工電子技術(shù)基礎(chǔ) 第 7章 基本放大電路 ?半導體器件工作原理 ?共射放大電路組成、工作原理、性能特點及分析方法 ?射極輸出器基本特點，差動放大電路及功率放大電路工作原理 ?多級放大電路概念 ?場效應管放大電路組成及分析方法 學習要點 ? 半導體二極管 ? 半導體三極管 ? 三極管單管放大電路 ? 場效應晶體管及其放大電路 ? 多級放大電路 ? 差動放大電路 ? 互補對稱功率放大電路 第 7章 基本放大電路 半導體二極管 半導體器件是用半導體材料制成的電子器件。 PN結(jié) 半導體 ：導電性能介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)，如硅 (Si)、 鍺 (Ge)。 在電子技術(shù)中，將空穴看成帶正電荷的載流子。新的空穴又會被鄰近的價電子填補。 在純凈半導體中摻入某些微量雜