【正文】 PZM=UZIZM 討論 回顧二極管的反向擊穿時(shí)特性： 當(dāng)反向電壓超過擊穿電壓時(shí)，流過管子的電流會(huì)急劇增加。 （ 3） 動(dòng)態(tài)電阻 rZ：穩(wěn)定工作范圍內(nèi) ， 管子兩端電壓的變化量與相應(yīng)電流的變化量之比 。 I/mA 40 30 20 10 5 10 15 20 （ μ A） 正向 0 － 12 － 8 － 4 反向 Δ UZ Δ IZ U/V 注意： 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路中一般都要加限流電阻 R，使穩(wěn)壓管電流工作在 Izmax和 Izmix的范圍內(nèi)。 陽極 陰極穩(wěn)壓管圖符號(hào) 穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用： 電流增量 Δ I 很大，只會(huì)引起很小的電壓變化 Δ U。 齊納擊穿和雪崩擊穿都不會(huì)造成二極管的永久性損壞。新產(chǎn)生的電子 —空穴對(duì)與原有的電子和空穴一樣，在電場(chǎng)作用下，也向相反的方向運(yùn)動(dòng)，重新獲得能量，再通過碰撞其它原子，又產(chǎn)生電子 –空穴對(duì)，從而 形成載流子的倍增效應(yīng) 。 反向擊穿電壓一般在幾十伏以上（高反壓管可達(dá)幾千伏）。 2）最高反向工作電壓 URM： 二極管運(yùn)行時(shí)允許承受的最高反向電壓。 導(dǎo)通后二極管的正向壓降變化不大，硅管約為 ～ ，鍺管約為 ～ 。 反向電壓大于擊穿電壓時(shí)，反向電流急劇增加。 點(diǎn)接觸型二極管 PN結(jié)面積很小 ， 因而結(jié)電容小 ， 適用于高頻幾百兆赫茲下工作 ， 但不能通過很大的電流 。 4. PN結(jié)的單向?qū)щ娦允侵福?PN結(jié)的正向電阻很小，因此正向偏置時(shí)電流極易通過；同時(shí) PN結(jié)的反向電阻很大，反向偏置時(shí)電流基本為零。 N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是電子，能否認(rèn)為這種半導(dǎo)體就是帶負(fù)電的？為什么？ 空間電荷區(qū)的電阻率為什么很高？ 何謂 PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕? 2. 半導(dǎo)體在熱（或光照等 ）作用下產(chǎn)生電子、空穴對(duì)，這種現(xiàn)象稱為本征激發(fā)；電子、空穴對(duì)不斷激發(fā)產(chǎn)生的同時(shí)，運(yùn)動(dòng)中的電子又會(huì) “跳進(jìn)”另一個(gè)空穴，重新被共價(jià)鍵束縛起來，這種現(xiàn)象稱為復(fù)合，即復(fù)合中電子空穴對(duì)被“吃掉”。 半導(dǎo)體導(dǎo)電機(jī)理 和導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī) 理有什么區(qū)別？ 雜質(zhì)半導(dǎo)體中的多子和少子性質(zhì)取決于雜質(zhì)的外層價(jià)電子。 ? PN結(jié)外加正向電壓（也叫正向偏置）時(shí)，如左下圖所示： ? 正向偏置時(shí)外加電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)方向相反，內(nèi)電場(chǎng)被削弱，多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)大大超過少子的漂移運(yùn)動(dòng)， N區(qū)的電子不斷擴(kuò)散到 P區(qū)， P區(qū)的空穴也不斷擴(kuò)散到 N區(qū)，形成較大的 正向電流 ，這時(shí)稱 PN結(jié)處于 導(dǎo)通 狀態(tài) 。結(jié)電容是由耗盡層引起的。 在無外電場(chǎng)或其他因素激發(fā)時(shí)， PN結(jié)處于平衡狀態(tài)，沒有電流通過，空間電荷區(qū)的寬度一定。 P區(qū) N區(qū) 空間電荷區(qū) 少子 漂移 擴(kuò)散與漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡形成一定寬度的 PN結(jié) P 區(qū) N 區(qū) 載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ 多子 擴(kuò)散 形成空間電荷區(qū)產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng) 促使 阻止 P 區(qū) 空間電荷區(qū) N 區(qū) PN 結(jié)及其內(nèi)電場(chǎng) 內(nèi)電場(chǎng)方向 ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)相互聯(lián)系又相互矛盾， 擴(kuò)散使空間電荷區(qū)加寬，促使內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng) ，同時(shí) 對(duì)多數(shù)載流子的繼續(xù)擴(kuò)散阻力增大 ，但 使少數(shù)載流子漂移增強(qiáng) ； 漂移使空間電荷區(qū)變窄，電場(chǎng)減弱 ，又 促使多子的擴(kuò)散容易進(jìn)行 。根據(jù)擴(kuò)散原理，空穴要從濃度高的 P區(qū)向 N區(qū)擴(kuò)散，自由電子要從濃度高的 N區(qū)向 P區(qū)擴(kuò)散，并在交界面發(fā)生復(fù)合 (耗盡），形成載流子極少的正負(fù)空間電荷區(qū)如圖中間區(qū)域，這就是 PN結(jié) ，又叫 耗盡層 。通常是在 N型或P型半導(dǎo)體的局部再摻入濃度較大的三價(jià)或五價(jià)雜質(zhì)，使其變?yōu)?P型或 N型半導(dǎo)體，在 P型和 N型半導(dǎo)體的交界面就會(huì)形成 PN結(jié)。 空穴成為多數(shù)載流子，而自由電子則成為少數(shù)載流子 。 摻入三價(jià)元素的雜質(zhì)半導(dǎo)體，其空穴的濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于自由電子的濃度，因此稱為 空穴型半導(dǎo)體 ，也叫做 P型 半導(dǎo)體 。在如果在其中摻入微量的雜質(zhì)，將使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化，我們把這些摻入雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為 雜質(zhì)半導(dǎo)體 。 由于多余的電子是雜質(zhì)原子提供的，故將雜質(zhì)原子稱為 施主原子 。 在半導(dǎo)體中同時(shí)存在 自由電子 和 空穴 兩種 載流子參與導(dǎo)電，這種導(dǎo)電機(jī)理和金屬導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理具有本質(zhì)上的區(qū)別。 這是硅和鍺構(gòu)成的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)示意圖 晶體結(jié)構(gòu)中的共價(jià)鍵具有很強(qiáng)的結(jié)合力，在熱力學(xué)零度和沒有外界能量激發(fā)時(shí)，價(jià)電子沒有能力掙脫共價(jià)鍵束縛，這時(shí)晶體中幾乎沒有自由電子，因此不能導(dǎo)電 當(dāng)半導(dǎo)體的溫度升高或受到光照等外界因素的影響時(shí)，某些共價(jià)鍵中的價(jià)電子 因熱激發(fā) 而獲得足夠的能量，因而能脫離共價(jià)鍵的束縛成為 自由電子 ，同時(shí)在原來的共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位，稱為“ 空穴 ” 。 半導(dǎo)體之所以得到廣泛的應(yīng)用，是因?yàn)樗哂幸韵绿匦?。因此，在半?dǎo)體構(gòu)成的電路中常采用溫度補(bǔ)償及穩(wěn)定參數(shù)等措施。例如，室溫 30176。第二篇 電子技術(shù)基礎(chǔ) 第 6章 電子技術(shù)中常用半導(dǎo)體器件 第 7章 基本放大電路 第 8章 集成運(yùn)算放大器 第 9章 組合邏輯電路 第 10章 觸發(fā)器和時(shí)序邏輯電路 第 11章 存儲(chǔ)器 第 12章 數(shù) /模和模 /數(shù)轉(zhuǎn)換器 半導(dǎo)體的基本知識(shí) 特殊二極管 雙極型二極管 單極型三極管 半導(dǎo)體二極管 物質(zhì)按導(dǎo)電能力的不同可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體 3類。 半導(dǎo)體的基本知識(shí) ? （ 1）通過摻入雜質(zhì)可明顯地改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率。利用這種熱敏效應(yīng)可制成熱敏器件，但另一方面，熱敏效應(yīng)使半導(dǎo)體的熱穩(wěn)定性下降。光電池已在空間技術(shù)中得到廣泛的應(yīng)用，為人類利用太陽能提供了廣闊的前景。 硅和鍺的簡(jiǎn)化原子模型。 共價(jià)鍵中失去電子出現(xiàn)空穴時(shí)，相鄰原子的價(jià)電子比較容易離開它所在的共價(jià)鍵填補(bǔ)到這個(gè)空穴中來，使該價(jià)電子原來所在的共價(jià)鍵中又出現(xiàn)一個(gè)空穴，這個(gè)空穴又可被相鄰原子的價(jià)電子填補(bǔ)，再出現(xiàn)空穴，如右圖所示。 雜質(zhì)離子產(chǎn)生的自由電子不是共價(jià)鍵中的價(jià)電子，因此與本征激發(fā)不同，它不會(huì)產(chǎn)生空穴 。 （ 2）雜質(zhì)半導(dǎo)體 相對(duì)金屬導(dǎo)體而言，本征半導(dǎo)體中載流子數(shù)目極少，因此導(dǎo)電能力仍然很低。 應(yīng)注意： P型半導(dǎo)體 在 P型半導(dǎo)體中，由于雜質(zhì)原子可以 接收一個(gè)價(jià)電子 而成為 不能移動(dòng) 的負(fù)離子，故稱為受主原子 。于是半導(dǎo)體中的空穴數(shù)目大量增加。 3. PN結(jié) P型和 N型半導(dǎo)體并不能直接用來制造半導(dǎo)體器件。為便于理解，圖中 P區(qū)僅畫出空穴（多數(shù)載流子）和得到