電力電子技術基礎1—器-全文預覽
【正文】 交流電機調速等領域應用較多 —— 其他晶閘管 3. 逆導晶閘管 （ Reverse Conducting Thyristor—— RCT） ? 將晶閘管反并聯(lián)一個二極管制作在同一管芯上的功率集成器件 ， 這種器件不具有反向阻斷的能力 ， 一旦承受反向電壓即開通 。 ITSM在器件壽命期內僅限幾次。 —— SCR的主要參數 2) 維持電流 IH —— 指在關斷 SCR時維持其導通所必需的最小陽極電流 。 ?器件的發(fā)熱與有效值有關 ， 晶閘管的通態(tài)平均電流 IT(AV)對應著一個有效值 I。 選用時 ， 額定電壓要留有一定 裕量 ,一般取額定電壓為正常工作時晶閘管所承受峰值電壓 2~3倍 4) 通態(tài) （ 峰值 ） 電壓 UTM—— 晶閘管通以某一規(guī)定倍數的額定通態(tài)平均電流時的瞬態(tài)峰值電壓 。 100% 90% 10% u AK t t O 0 t d t r t rr t gr U RRM I RM i A —— SCR的主要參數 1. 電壓定額 1) 斷態(tài)重復峰值電壓 UDRM—— 在門極斷路而結溫為額定值時 ， 允許重復加在器件上的正向峰值電壓 。該特性 表示門極電壓 UGK與門極電流 IG之間的關系。 當反向電壓達到反向擊穿電壓后 （ 雪崩擊穿 ） ， 外電路如無限制措施 ， 則反向漏電流急劇增大 ， 可能導致晶閘管發(fā)熱損壞 。 第 I象限的是正向特性 第 III象限的是反向特性 正 向導 通雪 崩擊 穿O+ UA UA IAIAIHIG 2IG 1IG= 0Ub oUD S MUD R MUR R MUR S MIG2IG1IG ?IG=0時 ， 器件兩端施加正向電壓 ， 正向阻斷狀態(tài) ，只有很小的正向漏電流流過 ， 正向電壓超過臨界極限即正向轉折電壓 Ubo， 則漏電流急劇增大 ， 器件開通 ? 隨著門極電流幅值的增大 ， 正向轉折電壓降低 ? 導通后的晶閘管特性和二極管的正向特性相仿 ? 晶閘管本身的壓降很小 ， 在 1V左右 ? 導通期間 ， 如果門極電流為零 ， 并且陽極電流降至接近于零的某一數值 IH以下 ， 則晶閘管又回到正向阻斷狀態(tài) 。 —— SCR的結構和工作原理 ?SCR為半控器件： 通過門極只能使 SCR觸發(fā)導通，而不能控制其關斷。 外加反向電壓（ A接負， K接正）： J1和 J3反向偏置，器件也處于阻斷狀態(tài)，只能流過很小的漏電流。 晶閘管 （ Thyristor） ：是晶體閘流管的簡稱 ， 又稱 作 可 控 硅 整 流 器 （ Silicon Controlled Rectifier—— SCR） ， 簡稱可控硅 。 反向擊穿電壓 圖 13a 電力二極管的伏安特性 I O I F U TO U F U —— 靜態(tài)特性 電力二極管的基本特性 主要反映電力二極管通態(tài)和斷態(tài)之間轉換過程的開關特性 開關特性： PN結上存儲有空間電荷和兩種載流子 ， 形成電荷存儲效應及結電容 ， 直接影響著二極管的動態(tài)開關特性 原處于正向導通狀態(tài)的二極管的外加電壓突然從正向變?yōu)榉聪驎r ， 二極管不能立即關斷 ， 而是經過短暫的時間才能重新獲得反向阻斷能力 ， 進入截止狀態(tài) 。 從外形上看 ， 主要有螺栓型和平板型兩種封裝 。 由一個面積較大的 PN結和兩端引線以及封裝組成的 。 承受反向電壓時 ， 只有少子引起的微小而數值恒定的反向漏電流 Is。 —— PD的分類 ?3. 肖特基二極管 ?以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管稱為肖特基勢壘二極管 （ Schottky Barrier Diode—— SBD） ， 簡稱為肖特基二極管 ?20世紀 80年代以來 ， 由于工藝的發(fā)展得以在電力電子電路中廣泛應用 ?肖特基二極管的弱點 ?當反向耐壓提高時其正向壓降也會高得不能滿足要求 ， 因此多用于 200V以下 ?反向漏電流較大且對溫度敏感 ， 因此反向穩(wěn)態(tài)損耗不能忽略 ， 而且必須更嚴格地限制其工作溫度
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