電力電子技術(shù)基礎(chǔ)1—器-全文預(yù)覽
【正文】 交流電機(jī)調(diào)速等領(lǐng)域應(yīng)用較多 —— 其他晶閘管 3. 逆導(dǎo)晶閘管 （ Reverse Conducting Thyristor—— RCT） ? 將晶閘管反并聯(lián)一個(gè)二極管制作在同一管芯上的功率集成器件 ， 這種器件不具有反向阻斷的能力 ， 一旦承受反向電壓即開通 。 ITSM在器件壽命期內(nèi)僅限幾次。 —— SCR的主要參數(shù) 2) 維持電流 IH —— 指在關(guān)斷 SCR時(shí)維持其導(dǎo)通所必需的最小陽極電流 。 ?器件的發(fā)熱與有效值有關(guān) ， 晶閘管的通態(tài)平均電流 IT(AV)對應(yīng)著一個(gè)有效值 I。 選用時(shí) ， 額定電壓要留有一定 裕量 ,一般取額定電壓為正常工作時(shí)晶閘管所承受峰值電壓 2~3倍 4) 通態(tài) （ 峰值 ） 電壓 UTM—— 晶閘管通以某一規(guī)定倍數(shù)的額定通態(tài)平均電流時(shí)的瞬態(tài)峰值電壓 。 100% 90% 10% u AK t t O 0 t d t r t rr t gr U RRM I RM i A —— SCR的主要參數(shù) 1. 電壓定額 1) 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 UDRM—— 在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí) ， 允許重復(fù)加在器件上的正向峰值電壓 。該特性 表示門極電壓 UGK與門極電流 IG之間的關(guān)系。 當(dāng)反向電壓達(dá)到反向擊穿電壓后 （ 雪崩擊穿 ） ， 外電路如無限制措施 ， 則反向漏電流急劇增大 ， 可能導(dǎo)致晶閘管發(fā)熱損壞 。 第 I象限的是正向特性 第 III象限的是反向特性 正 向?qū)?通雪 崩擊 穿O+ UA UA IAIAIHIG 2IG 1IG= 0Ub oUD S MUD R MUR R MUR S MIG2IG1IG ?IG=0時(shí) ， 器件兩端施加正向電壓 ， 正向阻斷狀態(tài) ，只有很小的正向漏電流流過 ， 正向電壓超過臨界極限即正向轉(zhuǎn)折電壓 Ubo， 則漏電流急劇增大 ， 器件開通 ? 隨著門極電流幅值的增大 ， 正向轉(zhuǎn)折電壓降低 ? 導(dǎo)通后的晶閘管特性和二極管的正向特性相仿 ? 晶閘管本身的壓降很小 ， 在 1V左右 ? 導(dǎo)通期間 ， 如果門極電流為零 ， 并且陽極電流降至接近于零的某一數(shù)值 IH以下 ， 則晶閘管又回到正向阻斷狀態(tài) 。 —— SCR的結(jié)構(gòu)和工作原理 ?SCR為半控器件： 通過門極只能使 SCR觸發(fā)導(dǎo)通，而不能控制其關(guān)斷。 外加反向電壓（ A接負(fù)， K接正）： J1和 J3反向偏置，器件也處于阻斷狀態(tài)，只能流過很小的漏電流。 晶閘管 （ Thyristor） ：是晶體閘流管的簡稱 ， 又稱 作 可 控 硅 整 流 器 （ Silicon Controlled Rectifier—— SCR） ， 簡稱可控硅 。 反向擊穿電壓 圖 13a 電力二極管的伏安特性 I O I F U TO U F U —— 靜態(tài)特性 電力二極管的基本特性 主要反映電力二極管通態(tài)和斷態(tài)之間轉(zhuǎn)換過程的開關(guān)特性 開關(guān)特性： PN結(jié)上存儲有空間電荷和兩種載流子 ， 形成電荷存儲效應(yīng)及結(jié)電容 ， 直接影響著二極管的動態(tài)開關(guān)特性 原處于正向?qū)顟B(tài)的二極管的外加電壓突然從正向變?yōu)榉聪驎r(shí) ， 二極管不能立即關(guān)斷 ， 而是經(jīng)過短暫的時(shí)間才能重新獲得反向阻斷能力 ， 進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài) 。 從外形上看 ， 主要有螺栓型和平板型兩種封裝 。 由一個(gè)面積較大的 PN結(jié)和兩端引線以及封裝組成的 。 承受反向電壓時(shí) ， 只有少子引起的微小而數(shù)值恒定的反向漏電流 Is。 —— PD的分類 ?3. 肖特基二極管 ?以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管稱為肖特基勢壘二極管 （ Schottky Barrier Diode—— SBD） ， 簡稱為肖特基二極管 ?20世紀(jì) 80年代以來 ， 由于工藝的發(fā)展得以在電力電子電路中廣泛應(yīng)用 ?肖特基二極管的弱點(diǎn) ?當(dāng)反向耐壓提高時(shí)其正向壓降也會高得不能滿足要求 ， 因此多用于 200V以下 ?反向漏電流較大且對溫度敏感 ， 因此反向穩(wěn)態(tài)損耗不能忽略 ， 而且必須更嚴(yán)格地限制其工作溫度
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