freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內容

[工學]單片機原理及應用-全文預覽

2025-02-06 05:15 上一頁面

下一頁面
  

【正文】 P1 P2 state 6 P1 P2 state 1 P1 P2 state 2 P1 P2 CLK ALE PSEN P0 P2 PCL DPL PCL DPH PCH PCH 數(shù)據(jù) 指令 取指令階段 寫外部數(shù)據(jù)存儲器或端口 MOVX DPTR, A state 4 P1 P2 state 5 P1 P2 state 6 P1 P2 state 1 P1 P2 state 2 P1 P2 state 3 P1 P2 state 4 P1 P2 state 5 P1 P2 CLK ALE WR P0 P2 DPH 數(shù)據(jù) 寫外部數(shù)據(jù)存儲器或端口 MOVX DPTR, A 執(zhí)行階段 DPL 擴展存儲器時 , 通常使用多個存儲器芯片 。第 7章 單片機的系統(tǒng)擴展 學習目標 ?掌握 51單片機擴展總線的結構及組成 ?掌握并行總線的邏輯與時序 ?掌握并行總線擴展的地址譯碼方法 ?掌握 51單片機擴展存儲器的方法 ?掌握 51單片機擴展 I/O接口的方法 51單片機擴展總線基礎 單片機集成了 CPU、 I/O接口 、 存儲器 、 定時器和中斷系統(tǒng)等計算機的基本部件 , 外加電源 、 復位和時鐘等輔助電路即構成一個能夠正常工作的 最小系統(tǒng) 。 為減少引腳數(shù)量,擴展總線中的數(shù)據(jù)總線和地址總線低 8位采用了 分時復用 技術,即 P0口分時傳送地址總線信號的低 8位( A0A7)和數(shù)據(jù)總線信號( D0D7) . 單片機擴展總線的結構和組成 從 P0口中分離出地址總線低 8位地址信號: 外接一個鎖存器。 FFFFH 第 4頁 存儲器芯片 4 第 3頁 存儲器芯片 3 第 2頁 存儲器芯片 2 每 1頁 存儲器芯片 1 0000H FFFFH … C000H BFFFH … 8000H 7FFFH … 4000H 3FFFH … 0000H 地址空間分配 就是把 64KB的尋址空間通過 地址譯碼 的方法分成若干個 頁面 , 不同的存儲器芯片占用不同的頁面 。 擴展端口地址 .doc 地址譯碼的方法通常有三種 : 全地址譯碼 部分地址譯碼 線選譯碼 。 2. 部分地址譯碼 只有部分地址參與譯碼 , 一個存儲單元或端口與多個地址對應 。 ? 地址空間分配 ? 總線驅動能力 ? 電平的匹配 ? 控制時序和邏輯的匹配 ? 速度的協(xié)調 ? 狀態(tài)信號的處理 擴展時應該考慮的問題 51系列單片機采用總線擴展方式可以實現(xiàn): ? 存儲器擴展; ? 輸入 /輸出端口擴展; ? 功能部件(如定時器、計數(shù)器、鍵盤、顯示器等)的擴展; ? A/D和的 D/A擴展; 51單片機存儲器的擴展 存儲器基礎知識 程序存儲器的擴展 數(shù)據(jù)存儲器的擴展 存儲器綜合擴展舉例 隨 機 存 取 存 儲 器( R A M )只 讀 存 儲 器( R O M )靜 態(tài) R A M ( S R A M )動 態(tài) R A M ( D R A M )非 易 失 性 R A M ( N V R A M )掩 膜 式 R O M可 編 程 R O M ( P R O M )可 擦 除 可 編 程 R O M ( E P R O M )電 可 編 程 可 擦 除 R O M閃 速 存 儲 器 ( f l a s h m e m o r y ))( 2 PR OME半 導 體 存 儲 器 半導體 存儲器 隨機存取存儲器 ( RAM) 只 讀 存儲器 ( ROM) 靜態(tài) RAM( SRAM) 動態(tài) RAM( DRAM) 非易失性 RAM( NVRAM) 掩膜式 ROM 可編程 ROM( PROM) 可擦除可編程 ROM( EPROM) 電可擦除可編程 ROM( E2PROM) 閃速存儲器( Flash Memory) EPROM介紹 EPROM的電路結構主要包括 : 地址譯碼器 、 存儲矩陣和輸出緩沖器 。 P 2 . 6P 2 . 0 P 2 . 4A L EP 0A 8 A 1 2A 0 A 7D 0 D 72 7 6 48 0 3 1EAP SENCEOEE地址鎖存 器GP 2 . 7A 1A 07 4 L S 1 3 9P 2 . 5A 8 A 1 2A 0 A 7D 0 D 72 7 6 4CEOE A 8 A 1 2A 0 A 7D 0 D 72 7 6 4CEOEA 8 A 1 2A 0 A 7D 0 D 72 7 6 4CEOEU 1 U 2 U 3 U 40Y 12Y 3S擴展存儲器地址范圍 .doc 擴展外部數(shù)據(jù)存儲器與擴展外部程序存儲器的設計方法基本一樣 , 但所用的控制信號不同 , 片外數(shù)據(jù)存儲器的讀 /寫由單片機的 RD ()和 WR ()信號控制 , 而讀片外程序存儲器的信號為 PSEN. 數(shù)據(jù)存儲器的擴展 例 74 若單片機為 8031,試采用 SRAM芯片把外部數(shù)據(jù)存儲器擴展為 32KB。 方案三: 6264的存儲容量為 8KB,可以用 4片 6264來設計。因此方案一和方案二是比較合理的設計方案。 存儲器綜合擴展 P 2 . 0 P 2 . 6A L EP 08 0 3 1EAP SENE地址鎖存 器GP 2 . 7A 8 A 1 2A 0 A 7D 0 D 72 7 6 4CEOE+ 5 VWRRD WEG N D8 E P R O MA 8 A 1 4A 0 A 7D 0 D 76 2 2 5 6CEOER A MG N D+ 5 V8 8 8 8 75擴展存儲器地址范圍 ? P 2 . 0 P 2 . 6A L EP 08 0 3 1EAP SENE地址鎖存 器GP 2 . 7A 8 A 1 2A 0 A 7D 0 D 72 7 6 4CEOE+ 5 V
點擊復制文檔內容
教學課件相關推薦
文庫吧 www.dybbs8.com
備案圖鄂ICP備17016276號-1