《真空蒸鍍技術(shù)介紹》ppt課件-全文預(yù)覽
【正文】 A, and Sirelated EL is intense in sample B. FeSi2 ?不同溫度下 ?FeSi2/Si薄膜器件的 IV 曲線Highquality Si pn junction in sample B improves the electron injection into ?FeSi2 (higher turnon voltage), and thus significant EL enhancement will be obtained.第二講 小結(jié)n薄膜材料可使用在高真空環(huán)境下進(jìn)行的熱蒸發(fā)薄膜材料可使用在高真空環(huán)境下進(jìn)行的熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)等多種不同的蒸發(fā)法制備，其最主、電子束蒸發(fā)等多種不同的蒸發(fā)法制備，其最主要的優(yōu)點是可以保持薄膜的高純度和高的沉積速要的優(yōu)點是可以保持薄膜的高純度和高的沉積速率率n蒸發(fā)法在沉積化合物以及合金薄膜時會遇到成蒸發(fā)法在沉積化合物以及合金薄膜時會遇到成分不易控制的問題分不易控制的問題n薄膜沉積的均勻性是蒸發(fā)法必須考慮的一個問薄膜沉積的均勻性是蒸發(fā)法必須考慮的一個問題題n在利用蒸發(fā)法制備薄膜時，其粒子的能量相對在利用蒸發(fā)法制備薄膜時，其粒子的能量相對較低較低基本概念復(fù)習(xí)u掌握物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積技術(shù)各自的特點。薄膜沉積的陰影效應(yīng)和選擇性沉積薄膜沉積的陰影效應(yīng) (a)以及利用掩膜進(jìn)行薄膜的選擇性沉積 (b)在蒸發(fā)沉積的情況下，薄膜的純度取決于：在蒸發(fā)沉積的情況下，薄膜的純度取決于：n 蒸發(fā)源物質(zhì)的純度蒸發(fā)源物質(zhì)的純度n 加熱裝置、坩堝等可能造成的污染加熱裝置、坩堝等可能造成的污染n 真空系統(tǒng)中殘留的雜質(zhì)氣體真空系統(tǒng)中殘留的雜質(zhì)氣體前面兩個因素的影響可以依靠使用高純物質(zhì)前面兩個因素的影響可以依靠使用高純物質(zhì)作為蒸發(fā)源、改善蒸發(fā)裝置的設(shè)計而得以避作為蒸發(fā)源、改善蒸發(fā)裝置的設(shè)計而得以避免，而后一個因素則需要從改善設(shè)備的真空免，而后一個因素則需要從改善設(shè)備的真空條件入手來加以解決。不能沉積到襯底上。無關(guān)。此時。坩堝蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率、蒸發(fā)束流的方向性示。但其蒸發(fā)束流的方向性較好。在坩堝內(nèi)，物質(zhì)的蒸氣壓近似等于其平衡蒸氣壓；而在坩堝外，仍保持著較壓近似等于其平衡蒸氣壓；而在坩堝外，仍保持著較高的真空度。實際面源情況下薄膜沉積速率隨角度 ? 的變化 呈 cosn?函數(shù)型， n1，表明蒸發(fā)源發(fā)出的物質(zhì)具有明顯的方向性 在蒸發(fā)沉積方法中常使用的克努森盒在蒸發(fā)沉積方法中常使用的克努森盒 (Knudsen cell)，相當(dāng)于一個面蒸發(fā)源。 當(dāng)當(dāng) ?=0、 r 較小時，沉積速率較大較小時，沉積速率較大薄膜沉積的均勻性面蒸發(fā)源的示意圖 物質(zhì)蒸發(fā)源的另一種極端情況是面蒸發(fā)源物質(zhì)蒸發(fā)源的另一種極端情況是面蒸發(fā)源面蒸發(fā)源時，襯底面積元面蒸發(fā)源時，襯底面積元dAe上沉積的物質(zhì)量為上沉積的物質(zhì)量為面蒸發(fā)源時薄膜沉積的均勻性其中，其中， Me是面源的物質(zhì)蒸發(fā)總量。 在上述的蒸發(fā)總量中，只有那些運動方向處于襯底在上述的蒸發(fā)總量中，只有那些運動方向處于襯底所在空間角內(nèi)的蒸發(fā)原子才會落在襯底上。此時，可設(shè)想被蒸發(fā)出的物質(zhì)是由表面積為設(shè)想被蒸發(fā)出的物質(zhì)是由表面積為 Ae的小球面上均勻的小球面上均勻地發(fā)射出來的，蒸發(fā)出來的物質(zhì)總量地發(fā)射出來的，蒸發(fā)出來的物質(zhì)總量 Me等于等于 Me= = ? Ae t 其中其中 ? 是物質(zhì)的質(zhì)量蒸發(fā)速度，是物質(zhì)的質(zhì)量蒸發(fā)速度， dAe為蒸發(fā)源的表面為蒸發(fā)源的表面積元，積元， t 為蒸發(fā)時間。 物質(zhì)的蒸發(fā)源可以有不同的形態(tài)。解決這一問題的辦法解決這一問題的辦法合金中各元素的熱蒸發(fā)n 使用較多的物質(zhì)作為蒸發(fā)源，即盡量減小組元成分的相使用較多的物質(zhì)作為蒸發(fā)源，即盡量減小組元成分的相 對變化對變化n 采用向蒸發(fā)容器中不斷地、但每次僅加入少量被蒸發(fā)物質(zhì)采用向蒸發(fā)容器中不斷地、但每次僅加入少量被蒸發(fā)物質(zhì)的方法，即使得少量蒸發(fā)物質(zhì)的不同組元能夠?qū)崿F(xiàn)瞬間的的方法，即使得少量蒸發(fā)物質(zhì)的不同組元能夠?qū)崿F(xiàn)瞬間的同步蒸發(fā)同步蒸發(fā)n 利用加熱至不同溫度的雙蒸發(fā)源或多蒸發(fā)源的方法，分別利用加熱至不同溫度的雙蒸發(fā)源或多蒸發(fā)源的方法，分別控制和調(diào)節(jié)每個組元的蒸發(fā)速率控制和調(diào)節(jié)每個組元的蒸發(fā)速率 (所謂所謂 三溫度法三溫度法 )MBE growth for the process A+B2=AB2合金中各元素的熱蒸發(fā) 在物質(zhì)蒸發(fā)的過程中，在物質(zhì)蒸發(fā)的過程中， 被蒸發(fā)原子的運動具有明被蒸發(fā)原子的運動具有明顯的方向性顯的方向性 。但當(dāng)組元差別很大時，這一方法就失去了可行性。 當(dāng)需要制備的薄膜成分已知時，由上式可以確當(dāng)需要制備的薄膜成分已知時，由上式可以確定所需要使用的合金蒸發(fā)源的成分。 合金中各元素的熱蒸發(fā) 例如，當(dāng)例如，當(dāng) AB二元合金組成理想溶液時二元合金組成理想溶液時 , 由拉烏爾由拉烏爾(Raoult)定律，合金中組元定律，合金中組元 B的平衡蒸氣壓的平衡蒸氣壓 pB將正比于純將正比于純
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