《模擬電子技術(shù)》ppt課件-全文預(yù)覽
【正文】 由電子濃度 : n=5 1016/cm3 典型數(shù)據(jù)如下 : 半導(dǎo)體中的電流 (Currents in Semiconductor) 空穴 自由電子 N型半導(dǎo)體 電場方向 漂移電流 自由電子濃度分布 空穴濃度分布 擴(kuò)散電流 PN結(jié) (The PN Junction) 形成 實質(zhì) 電容效應(yīng) 單向?qū)щ娦? 形成 兩種載流子的 兩種運動 動態(tài)平衡時 形成 PN結(jié) 兩種運動： 擴(kuò)散 Diffusion 漂移 Drift （濃度差） （電場力） 濃度差 ? 多子擴(kuò)散 ? 空間電荷區(qū) (雜質(zhì)離子 ) ? 內(nèi)電場 ? ? 促少子 阻多子 漂移 擴(kuò)散 ? ? 動態(tài)平衡時 PN結(jié)形成過程 ： 實質(zhì) PN結(jié) =空間電荷區(qū) (Space charge region ) =耗盡層 (Depletion layer) =內(nèi)電場 (builtin potential barrier) (barrier:勢壘） =非線性電阻 不對稱 PN結(jié) 單向?qū)щ娦? 單向?qū)щ娦?： PN結(jié) 正偏 時導(dǎo)通（大電流）， PN結(jié) 反偏 時截止（小電流）。 制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到%， 常稱為 “ 九個 9”。 例：德國工程師制成 黃蜂大小 的能升空的直升飛機 應(yīng)用：軍事 （ 小型間諜飛機 ） 單芯片系統(tǒng) (system on chip) 一片單芯片系統(tǒng) ＝ 一顆衛(wèi)星 微型計算機 （ 嵌入衣服 、 皮包中 ） 微型手機 （ 耳機大小 ， 一年充電一次 ） 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識 半導(dǎo)體（ Semiconductor） 定義 特點 :導(dǎo)電能力可控 （受控于光、熱、 雜質(zhì) 等） 典型半導(dǎo)體材料 :硅 Si和 鍺 Ge以及 砷化鎵 GaAs等 Ge二極管 GaAsAlGaAs 諧振腔發(fā)光二極管 本征半導(dǎo)體 (Intrinsic Semiconductor) intrinsic: (指價值 、 性質(zhì) )固有的 , 內(nèi)在的 , 本質(zhì)的 ——純凈無摻雜的半導(dǎo)體 。 (2） P型半導(dǎo)體（ 空穴 型半導(dǎo)體） 受主雜質(zhì) (Acceptor impurities) 負(fù)離子 多子 ：空穴 （ 主要由 雜質(zhì)原子提供） 少子 ：電子 （ 由熱激發(fā)形成） (3) 雜質(zhì)對半導(dǎo)體 導(dǎo)電性的影響 ——載流子數(shù)目劇增！ T=300 K室溫下 ,本征 硅的 電子和空穴濃度 : n = p = 1010/cm3 1 本征硅的原子濃度 : 1022/cm3 3 以上三個濃度基本上依次相差 106/cm3 。 這是一個今后常用的參數(shù)。 類型： 點接觸型、面接觸型 和 平面型 (1) 點接觸型 — (a)點接觸型 一、結(jié)構(gòu)類型 (c)平面型 (3) 平面型 — (2) 面接觸型 — (b)面接觸型 二、符號 舊符號 新符號 陽極 (Anode) 陰極 (Cathode) 標(biāo)記 D1 D2 Diode
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