【摘要】NewGenerationofHigh–PowerSemiconductorClosingSwitchesforPulsedPowerApplicationsI.IntroductionSolidstatesemiconductorswitchesareveryinvitingtouseatpulsedpowersystemsbeca
2025-06-29 04:43
【摘要】半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展簡史?半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢?半導(dǎo)體材料的分類什么是半導(dǎo)體?按照不同的標(biāo)準(zhǔn),有不同的分類方式。按固體的導(dǎo)電能力區(qū)分,可以區(qū)分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的電阻率范圍材料導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體電阻率(歐姆)﹤10-310-3109﹥10
2025-01-14 10:05
【摘要】半導(dǎo)體直流穩(wěn)壓電源的設(shè)計和測試計劃書(一)設(shè)計目的1、學(xué)習(xí)直流穩(wěn)壓電源的設(shè)計方法;2、研究直流穩(wěn)壓電源的設(shè)計方案;3、掌握直流穩(wěn)壓電源的穩(wěn)壓系數(shù)和內(nèi)阻測試方法;(二)設(shè)計要求和技術(shù)指標(biāo)1、技術(shù)指標(biāo):要求電源輸出電壓為±12V(或±9V/±5V)等,輸入電壓為交流220V,最大輸出電流為Iomax=500mA,紋波電壓△VOP-P≤5
2025-08-03 01:30
【摘要】通信與電子工程學(xué)院第三章第三章硅的硅的氧化氧化v緒論vSiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)vSiO2的掩蔽作用v硅的熱氧化生長動力學(xué)v決定氧化速度常數(shù)和影響氧化速率的各種因素v熱氧化過程中的雜質(zhì)再分布v初始氧化階段以及薄氧化層的生長vSi-SiO2界面特性下一頁通信與電子工程學(xué)院二氧化硅是上帝賜給二氧化硅是上帝賜給IC的材料。的材料。通信與電
2025-03-01 04:27
【摘要】第三章晶閘管§普通晶閘管Thyristor硅可控整流器,可控硅,SCR。一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件符號正向阻斷:A—K接正電壓,J2反偏,漏電流很小。反向阻斷:A—K接負電壓,J1,J3反偏,漏電流很小。等效電路:由PN
2025-04-30 01:43
【摘要】第六章可關(guān)斷晶閘管(GTO)特點:是SCR的一種派生器件;具有SCR的全部優(yōu)點,耐壓高、電流大、耐浪涌能力強,造價便宜;為全控型器件,工作頻率高,控制功率小,線路簡單,使用方便?!霨TO結(jié)構(gòu)及工作原理GateTurn-offThyristor——GTO一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件;特點:①
2025-05-01 06:14
【摘要】半導(dǎo)體光電子學(xué)的新進展RecentProgressonSemiconductorBasedOpto-electronicDevices羅毅YiLUO集成光電子國家重點實驗室清華大學(xué)電子工程系StateKeyLabonIntegratedOptoelectronics
2025-01-01 06:44
【摘要】第九章半導(dǎo)體光電子材料n電子器件和光電子器件應(yīng)用是半導(dǎo)體材料最重要的兩大應(yīng)用領(lǐng)域n半導(dǎo)體材料Si,GaAs和GaN,InP等既是重要的電子材料,也是重要的光電子材料半導(dǎo)體激光材料n1962年,GaAs激光二極管的問世,作為半導(dǎo)體光電子學(xué)的開端。n激光的激射波長取決于材料的帶隙,且只有具有直接帶隙的材料才能產(chǎn)生光輻射,它使注入的電
2025-01-05 09:59
【摘要】第四章電力晶體管§GTR結(jié)構(gòu)雙極型大功率、高反壓晶體管——GTR(巨型晶體管)GiantTransistor三層半導(dǎo)體材料,兩個PN結(jié)(NPN型、PNP型)。一、工藝特點三重擴散;叉指型基極和發(fā)射極;特點:發(fā)射區(qū)高濃度摻雜基區(qū)很?。◣譽m—幾十um)N-摻雜
【摘要】半導(dǎo)體的光學(xué)特性第一章OpticalPropertiesofSemiconductor?半導(dǎo)體光電子器件工作的本質(zhì)就是?光子與半導(dǎo)體中電子的相互作用,因此,了解這種作用是掌握光電子器件的關(guān)鍵。?光子與半導(dǎo)體電子的作用可以用散射理論來描述?在光子的散射作用下,電子從一個狀態(tài)進入另一種狀態(tài)。?這里電子的狀態(tài)用電子波矢k來表
2025-01-14 10:03
【摘要】年產(chǎn)8億米高密度集成電路封裝材料鋁硅鍵合線項目資金申請報告年產(chǎn)8億米高密度集成電路封裝材料鋁硅鍵合線項目資金申請報告目錄第一章總論.........................................2第一節(jié)概述............................................
2025-06-27 17:07
【摘要】半導(dǎo)體材料的分類及應(yīng)用 能源、材料與信息被認為是當(dāng)今正在興起的新技術(shù)革命的三大支柱。材料方面,電子材料的進展尤其引人注目。以大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路為核心的電腦的問世極大地推動了現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)各個方面的發(fā)展,一個又一個劃時代意義的半導(dǎo)體生產(chǎn)新工藝、新材料和新儀器不斷涌現(xiàn),并迅速變成生產(chǎn)力和生產(chǎn)工具,極大地推動了集成電路工業(yè)的高速發(fā)展。半導(dǎo)體數(shù)字集成電路、模擬集成電路、存儲器、專用集成電路
2025-08-03 01:41
【摘要】 實驗十七 半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)霍爾效應(yīng)是磁電效應(yīng)的一種,這一現(xiàn)象是霍爾(,1855—1938)于1879年在研究金屬的導(dǎo)電機構(gòu)時發(fā)現(xiàn)的。后來發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體、導(dǎo)電流體等也有這種效應(yīng)。這一效應(yīng)對金屬來說并不顯著,但對半導(dǎo)體非常顯著。利用這一效應(yīng)制成的各種霍爾元件,廣泛地應(yīng)用于工業(yè)自動化技術(shù)、檢測技術(shù)及信息處理等方面。霍爾效應(yīng)是研究半導(dǎo)體材料性能的基本方法。通過霍爾效應(yīng)實驗?zāi)軠y定半導(dǎo)體材料的
2025-08-03 06:23
【摘要】多晶硅錠定向多晶硅錠定向凝固生長方法凝固生長方法實現(xiàn)多晶硅定向凝固生長的四種方法:p布里曼法p熱交換法p電磁鑄錠法p澆鑄法鑄錠澆注法p鑄錠澆注法于1975年由Wacker公司首創(chuàng),其過程是將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化,而后利用翻轉(zhuǎn)機械將其注入預(yù)先準(zhǔn)備好的模具內(nèi)進行結(jié)晶凝固,從而得到等軸多晶硅。p近年來,為了提高多晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率,也
2025-03-01 12:21
【摘要】第4章對半導(dǎo)體材料的技術(shù)要求材料學(xué)院徐桂英半導(dǎo)體材料第4章對半導(dǎo)體材料的技術(shù)要求?半導(dǎo)體材料的實際應(yīng)用是以其作出的器件來實現(xiàn)的。?器件對材料的要求總的說來有兩個方面:?一方面是根據(jù)器件的功能來選擇能滿足其性能的材料,這包括材料的能帶結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)、遷移率、光學(xué)性質(zhì)等;?另一方面,在材料選定后,要使材料具有
2025-05-06 12:45