freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

材料化學(xué)專業(yè)外文翻譯--合成β-mo2c薄膜(譯文)-全文預(yù)覽

  

【正文】 具有 正交晶體結(jié)構(gòu)( JCPDS 790744),雖然其晶格位置是( JCPDS 350787),它經(jīng)常被這樣 用于 描述催化劑 結(jié)構(gòu) [16, 28]。 將 薄膜樣品 與退火所得的 粉末樣品 相比較 , 表明 多晶硅氧化鉬在 2θ= 176。比較得到氧化物粉末的 XRD 圖譜和 滲碳后的 200 納米的氧化膜(底部)和后(頂部) 的圖譜 。 薄膜保持硅襯底 滲碳后 ,使用下面技術(shù)進(jìn)行了表征。 [21]此外, 由于 薄膜的透明性 ,我們可以檢測(cè)氧化膜的純度 , 由于 MoO3Hx是灰色的 , 可以 利用電致變色的 原理來檢測(cè) 。 由于 自旋 軌道耦合引起的雙峰 膜轉(zhuǎn)變?yōu)?Mo 3d5/2 和 Mo 3d3/2。少量的氟被檢測(cè) 到存在于 沉積薄膜 的表面上。 下面討論的薄膜沉積 中 使用 O2比例: MoF6= 50 和 H2: MoF6= 4。 滲碳 相比之下,速度和質(zhì)量都 決定于 H2: MoF6 比率。可以采取折射率測(cè)量薄膜密度 ,它被證明它與 氫含量相關(guān)。優(yōu)化速度和質(zhì)量的重要價(jià)值 要靠控制 其合作試劑 O2和 H2之間的比率。 樣品分析進(jìn)行 Ar 離子濺射處理 , 濺射時(shí)間為 2 分鐘,這被是消除不定型 碳所需的最小 時(shí)間。 X射線衍射儀 (XRD, Siemens Kristalloflex [810]進(jìn)行的 CuKα射線源確定的使用 3176。氧化膜被轉(zhuǎn)化成鉬硬質(zhì)合金使用 方法 。速度在 1% CH4/H2 混合在總流量400 SCCM,溫度 從 1176。 滲碳 滲碳過程中進(jìn)行的 TPR 在溫度控制 [1, 2]控制空氣留戀煅燒 氧化鉬粉( SigmaAldrich 公司, %) 的過程來 驗(yàn)證的初步研究通過的條件。還提供氧氣過量,以形成 充分的氧化膜。 2 試驗(yàn) 一氧化氮合成 在 MoF6/H2/O2 混合在一個(gè)電容耦合的 PECVD 系統(tǒng)中使 氧化鉬薄膜沉積。 用 PECVD 參數(shù)來描述氧化物的增長(zhǎng)速度和質(zhì)量 。 本實(shí)驗(yàn)是合成純相的 β Mo2C 未來研究模型催化劑層薄膜。因?yàn)?Mo2C 的摩爾體積比 MoO3的摩爾體積小,微孔 狀 的氧化物轉(zhuǎn)換成碳化物。 [14 16],相純度的控制一直是 個(gè)難題 , CVD 和 PVD 兩種方法 的制備中,薄膜通常包含混合 富含碳的 產(chǎn)物 , 它是 一個(gè)復(fù)雜的依賴具體操作條件 選測(cè)的過程 。 [89]最近的研究都集中 在 碳化鉬的光電特性范圍 內(nèi)的 應(yīng)用,包括鏡子, [10]滲透膜 , [11]互 連, [12]和電子場(chǎng)發(fā) 射 [13]我們 目的 是 用價(jià)格低廉的材料替代鉑族金屬來表面 氫分離。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的催化劑 。 用 顯微鏡觀察發(fā)現(xiàn), 沉積的氧化膜 是沒有什么特征的 ,而碳化物的薄膜 是 一個(gè)復(fù)雜的納米結(jié)構(gòu)。 用 X射線衍射 線測(cè)得 , 在 20%的甲烷和氫氣的混條件下,當(dāng)加熱到 700176。 2020 American Chemical Society 摘 要 使用兩步合成工藝制備 化學(xué)計(jì)量比 的 βMo2C 薄膜 。 interfaces, 2020, 3(2): 517521. 合成 βMo2C 薄膜 Colin A. Wolden*?, Anna Pickerell?, Trupti Gawai?, Sterling Parks?, Jesse Hensley?, and J. Douglas Way? ? Department of Chemical Engineering, Colorado School of Mines, Golden, Colorado 80401, United States ? National Renewable Energy Laboratory, 1617 Cole Boulevard, Golden, Colorado 80401, United States ACS Appl. Mater. Interfaces, 2020, 3 (2), pp 517–521 DOI: Publication Date (Web): January 20, 2020 Copyright 169。氧化膜厚度 是 100500 納米, 在 H2 和 CH4氣氛中,采用程序升溫反應(yīng) 后 生 成鉬硬質(zhì)合金。 用 X射線光電子能譜檢測(cè) 薄膜無雜質(zhì), Mo此時(shí)是 一個(gè)單一的氧化狀態(tài)。氧化物 。 [17]制作
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
畢業(yè)設(shè)計(jì)相關(guān)推薦
文庫(kù)吧 www.dybbs8.com
備案圖鄂ICP備17016276號(hào)-1