20xx年醫(yī)學(xué)專題—第6章-脈沖波形的產(chǎn)生與整形(文件)
【正文】 ,v+,v,第二十五頁(yè)，共四十七頁(yè)。ng)的施密特觸發(fā)器,1.電路(di224。)原理,4 施密特觸發(fā)器,5腳經(jīng)過(guò)0.01181。)原理,4 施密特觸發(fā)器,(1)上升過(guò)程： ① 時(shí)，uO＝1； ② 時(shí)，uO保持不變； ③ 時(shí)，輸出翻轉(zhuǎn)uO＝0。,第二十九頁(yè)，共四十七頁(yè)。ngy242。)緩慢的周期性信號(hào)變換成邊沿陡峭的矩形脈沖信號(hào)。若適當(dāng)增大回差電壓，可提高電路的抗干擾能力。nɡ xi224。)鑒別,同向輸出(shūchū)施密特觸發(fā)器,第三十三頁(yè)，共四十七頁(yè)。電容C又經(jīng)R進(jìn)行放電，當(dāng)放電至uI＝U時(shí)，輸出翻轉(zhuǎn)uO＝1。)特性：,① 無(wú)穩(wěn)態(tài)，具有兩個(gè)(liǎnɡ ɡ232。uch233。ng)的多諧振蕩器,1.電路(di224。)原理,接通電源后，電容C來(lái)不及充電，uc＝0，則uO＝1(第一個(gè)暫穩(wěn)態(tài))，VT截止。)的估算,①電容充電(chōng di224。,④電路振蕩(zh232。,⑤輸出(shūchū)波形占空比D：,5 多諧振蕩器,若R2R1，則D≈1/2，即輸出為對(duì)稱方波。l237。,第四十一頁(yè)，共四十七頁(yè)。當(dāng)uo1為高電平時(shí)振蕩器B振蕩，當(dāng)uo1為低電平時(shí)555定時(shí)器復(fù)位，振蕩器B停止振蕩。,第四十二頁(yè)，共四十七頁(yè)。,為了提高(t237。 ②缺點(diǎn)：振蕩頻率不能太高，一般不超過(guò)幾百千赫； 受電源波動(dòng)、溫度變化等影響，頻率穩(wěn)定性較差。,5 多諧振蕩器,石英(sh237。ng)； ③C2的作用：抑制高次諧波。,第四十四頁(yè)，共四十七頁(yè)。o)； ②經(jīng)T′觸發(fā)器構(gòu)成的15級(jí)異步計(jì)數(shù)器分頻后，便可得到穩(wěn)定度極高的秒脈沖信號(hào)。),1.熟練掌握555定時(shí)器的工作原理(yu225。ir243。n)信號(hào)都是脈沖信號(hào)。脈沖產(chǎn)生電路——多諧振蕩器。,。③ 電路的時(shí)間常數(shù)τ=RC，τ決定了暫態(tài)時(shí)間的長(zhǎng)短。①脈沖產(chǎn)生電路直接產(chǎn)生。廣義講，各種非正弦(zh232。,第四十六頁(yè)，共四十七頁(yè)。,第四十五頁(yè)，共四十七頁(yè)。ichōng)發(fā)生器,①CMOS石英晶體多諧振蕩器產(chǎn)生f=32768Hz的基準(zhǔn)信號(hào)(x236。nl249。對(duì)TTL反相器，常取R＝0.7kΩ～2kΩ，而對(duì)于CMOS門，則常取R＝10MΩ； ②C1是耦合電容(di224。 －－輸出頻率穩(wěn)態(tài)性很高。,5 多諧振蕩器,三、石英(sh237。yīng)晶體的等效阻抗最小，信號(hào)最容易通過(guò)，而其它頻率信號(hào)均被衰減掉。y224。ngy242。,①電容充電(chōng di224。,5 多諧振蕩器,4.改進(jìn)(gǎij236。ng)頻率f：,通過(guò)(tōnggu242。nr243。,第三十八頁(yè)，共四十七頁(yè)。)結(jié)構(gòu),第三十七頁(yè)，共四十七頁(yè)。,5 多諧振蕩器,二、555定時(shí)器構(gòu)成(g242。,自動(dòng)觸發(fā),自動(dòng)返回,第三十五頁(yè)，共四十七頁(yè)。,5 多諧振蕩器,多諧振蕩器是一種(yī zhǒnɡ)常用的脈沖信號(hào)產(chǎn)生電路。uch233。,4 施密特觸發(fā)器,3.幅度(f,第三十二頁(yè)，共四十七頁(yè)。,4 施密特觸發(fā)器,2.波形(bō x237。nɡ)變換,施密特觸發(fā)器可以將邊沿變化(bi224。)原理,4 施密特觸
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1