天津市實(shí)驗(yàn)中學(xué)20xx屆高三上學(xué)期第二次段考物理試題（含答案）(文件)
【正文】 ③ (2)粒子進(jìn)入磁場后做勻速圓周運(yùn)動，運(yùn)用幾何關(guān)系做出圓心 O’， 圓半徑為 r，設(shè)第一次碰撞點(diǎn)為 A，由于粒子與圓筒發(fā)生兩次碰撞又從 S 孔射出，因此 SA 弧所對圓心角 3AOS ????。 ω ＝ 0，此時刻線圈所在的平面與磁場方向垂直，穿過 線圈的磁通量最大，磁通量變化率為零， A、 B、 D錯誤；產(chǎn)生的感應(yīng)電流為零，所以安培力為零， C正確． 6． AC [解析 ] v＝ λT ＝ 24 m/s＝ m/s， A正確． x＝ m處的質(zhì)點(diǎn)在 t＝ 2 s時正在向下振動，根據(jù)“上坡下”法可判斷機(jī)械波向左傳播， B錯誤； 0～ 2 s是半個周期， P點(diǎn)運(yùn)動的路程為 2 4 cm＝ 8 cm， C正確 ， D錯誤； 7． AC [解析 ]根據(jù)光電效應(yīng)實(shí)驗(yàn)得出的結(jié)論：保持入射光的頻率不變，入射光的光強(qiáng)變大，飽和光電流變大；入射光的頻率高，飽和光電流不變，故 A正確， B錯誤；根據(jù)愛因斯坦光電效應(yīng)方程得：入射光的頻率變高，光電子的最大初動能變大，故 C正確；遏止電壓的大小與入射光的頻率有關(guān)，與入射光的光強(qiáng)無關(guān)，保持入射光的光強(qiáng)不變，不斷減小入射光的頻率，若低于截止頻率，則沒有光電流產(chǎn)生，故 D錯誤 8． ABD [解析 ] 對球 B受力分析，如圖甲所示，當(dāng)球 B 上升時，用圖解法分析 B球所受各力的變化，其中角 θ 增大，故 FAB和 FOB 均減小， A、 B 正確．對斜面體進(jìn)行受力分析，如圖乙所示，由牛頓第三定律知 FAB＝ FBA，因?yàn)?FAB減小，故 FBA也減小，則推力 F 減小，水平地面對斜面體的彈力 FN也減小， C錯誤， D正確． 9．（ 1） 電子 新核 垂直于紙面向里 [解析 ] 帶電粒子 在磁場中只受洛倫茲力做勻速圓周運(yùn)動，洛倫茲力充當(dāng)向心力，即 qvB＝ mv2R，則半徑 R＝mv，而 eq 新 ，則 ReR 新 ，所以軌跡 1為電子的軌跡，軌跡 2是新核的軌跡．又由左手定則可以判斷， 磁場方向垂直 于紙面向里． （ 2） ①電路最小總電阻約為 Rmin＝ Ω＝ 180 Ω，為保護(hù)電路安全，保護(hù)電阻應(yīng)選 C. ②在閉合電路中，電源電動勢為 E2＝ U＋ Ir2＝ U＋ UR0＋ Rr2，則 1U＝ r2E2 N板帶等量負(fù)電荷。已知彈簧的勁度系數(shù)為 k，彈簧的中心軸線與導(dǎo)軌平行。 (1)求小球在圓弧面上能上升的最大高度； (2)若 1m=40㎏ , 2=2㎏小孩將球推出后還能再接到小球 ,試求曲面質(zhì)量 3m應(yīng)滿足的條 件 . ，固定的光滑金屬導(dǎo)軌間距為 L，導(dǎo)軌電阻不計，上端 a、 b間接有阻值為 R的電阻，導(dǎo)軌平面與水平面的夾角為θ，且處在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為 B、方向垂直于導(dǎo)軌平面向上的勻強(qiáng)磁場中。若選擇開關(guān)處于 “ 10V”擋，其讀數(shù)為 V；若選用開關(guān)處于“ 10”擋，其讀數(shù) 200Ω（選填：“大于”，“等于”或“小于”）。 ①電路中 0R為保護(hù)電阻。軌跡 1為 的軌跡，軌跡 2為 的軌跡，磁場方向?yàn)? 。在 PQ和一個斜面體A之間卡著一個表面光滑的重球 B。電源電動勢為 6V，內(nèi)電阻為 ，電阻 R=，當(dāng)電動機(jī)以 （不計一切摩擦阻力，2m/s10?g），標(biāo)有“ 3
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