5篇一：可控硅的工作原理(文件)
【正文】 仍處于阻抗很高的關(guān)閉狀態(tài)。可控硅一旦導(dǎo)通，控制極便失去其控制作用。無控制極信號時，可控硅正向?qū)妷簽檎蜣D(zhuǎn)折電壓（ ub0）；當(dāng)有控制極信號時，正向轉(zhuǎn)折電壓會下降（即可以在較低正向電壓下導(dǎo)通），轉(zhuǎn)折電壓隨控制極電流的增大而減小。若陽極電壓減小 （或負(fù)載電阻增加），致使陽極電流小于維持電流 ih時，可控硅從導(dǎo)通狀態(tài)立即轉(zhuǎn)為正向阻斷狀態(tài)，回到曲線 i 狀態(tài)。正常工作時，外加電壓要小于反向擊穿電壓才能保證器件安全可靠地工作。 二、可控硅的主要技術(shù)參數(shù) （ vpfu） 是指在控制極開路及正向阻斷條件下，可以重復(fù)加在器件上的正向電壓的峰值。 第 11 頁 共 17 頁 （ if） 在環(huán)境溫度為 +40c 時，器件導(dǎo)通（標(biāo)準(zhǔn)散熱條件 ）可連續(xù)通過工頻（即指供電網(wǎng)供給的電源頻率 .一般為 50hz 或 60hz，我國規(guī)定為 50hz）正弦半波電流的平均值。 （ ug） 是 指從阻斷轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時控制極上所加的最小直流電壓。這種可控 第 12 頁 共 17 頁 硅可以工作在較高的頻率下，用于大功率直流開關(guān)、電脈沖加工電源、激光電源和雷達(dá)調(diào)制器等電路中。 ③ 逆導(dǎo)可控硅。利用這種特性可以做成無觸點(diǎn)開關(guān)或用于直流調(diào)壓、電視機(jī)中行掃描電路及高壓脈沖發(fā)生器電路等。整流電壓經(jīng)電阻 r1 降壓后加在 a、 b 兩點(diǎn)?？煽毓鑼?dǎo)通后其正向壓降很低，所以張弛振蕩器即停止工作，電源電壓過零時（由于無濾波電容，故為單向脈動電壓）可控硅就自動關(guān)斷。 圖 332 是一種利用可控硅做成的感應(yīng)（接近）開關(guān)。此時，如果從控制極 g 輸入一個正向觸發(fā)信號， bg2便有基流 ib2流過，經(jīng) bg2 放大，其集電極電流 ic2=β2ib2 。 由于 bg1和 bg2所構(gòu)成的正反饋作用，所以一旦可控硅導(dǎo)通后，即使控制極 g的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。進(jìn)入 n1 區(qū)的電子與由 p1 區(qū)通過 j1 結(jié)注入 n1 區(qū)的空穴復(fù)合，同樣，進(jìn)入 p2區(qū)的空穴與由 n2區(qū)通過 j3結(jié)注入 p2區(qū)的電子復(fù)合，雪崩擊穿，進(jìn)入 n1 區(qū)的電子與進(jìn)入 p2 區(qū)的空穴各自不能全部復(fù)合掉，這樣，在 n1 區(qū)就有電子積累，在 p2區(qū)就有空穴積累， 結(jié)果使 p2區(qū)的電位升高， n1區(qū)的電位下降， j2結(jié)變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現(xiàn)所謂負(fù)阻特性，見圖 3的虛線 ab段。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。 可 控硅的弱點(diǎn)。 可控硅元件的結(jié)構(gòu) 不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由 p型硅和 n 型硅組成的四層 p1n1p2n2 結(jié)構(gòu)。 二、晶閘管又叫可控硅。 三、 二、晶閘管的主要工作特性 為了能夠直觀地認(rèn)識晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板（圖 3）。今天大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個 pn結(jié)，對外有三個電極〔圖 2（ a）〕：第一層 p 型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極 a，第三層 p型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極 g，第四層 n型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極 k。它有三個 pn 結(jié)（ j jj3），從 j1結(jié)構(gòu)的 p1層引出陽極 a，從 n2層引出陰級 k，從 p2層引出控制極 g，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。 可控硅從外形上分類主要有。 可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如。又由于晶閘管最初應(yīng)用 于可控整 第 16 頁 共 17 頁 流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅 scr。此時只能流過很小的反向飽和電流，當(dāng)電壓進(jìn)一步提高到 j1結(jié)的雪崩擊穿電壓后，接差 j3結(jié)也擊穿，電流迅速增加，圖 3 的特性開始彎曲，如特性 or 段所示，彎曲處的電壓 uro 叫 “ 反向轉(zhuǎn)折電壓 ” 。此時，電流 ic2再經(jīng) bg1 放大，于是 bg1 的集電極電流 ic1=β1ib1=β1β2ib2 。也可在電路里串接繼電器，帶動其他電器裝置的開啟或關(guān)閉。因而串聯(lián)于整流電 路的負(fù)載 rl 上就得到～個受控的脈沖電壓。迅速放電，其放電電流在 r。 圖 331是采用雙基極管的可控硅調(diào)壓電路， d1～ d2組成全波橋式整流電路。 ④ 可關(guān)斷可控硅。它的特點(diǎn)是可以使用正的或負(fù)的控制極脈沖，控制兩個方 向電流的導(dǎo)通。 表 310普通小功率可控硅參數(shù) *正向阻斷峰值電壓及反向阻斷峰值電壓在
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