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正文內(nèi)容

封裝工藝流程(ppt122頁(yè))(文件)

 

【正文】 通過(guò)掩模上的開(kāi)孔圖形而漏印到基板上,于是在基板上便得到該漿料印出的所需圖形。印好的厚膜漿料只有經(jīng)過(guò)燒結(jié)工序后,才具有一定的電性能,才能成為所需要的厚膜元件。 微調(diào)的原因是:因?yàn)楹衲る娮杌螂娙菰跓Y(jié)后其阻值和容量通常還不能完全達(dá)到所要求的數(shù)值精度,所以還需要進(jìn)行調(diào)整。 封裝是把制成的厚膜電路或組合件保護(hù)在一定的外殼中或采取其它防護(hù)措施,如印刷一層保護(hù)層,以達(dá)到防潮、防輻射和防止周圍環(huán)境氣氛等影響。 這種氧化鋁陶瓷板要在 1700℃ 以上高溫下燒成,因而成本比較高。多層化的方法有三種: 厚膜多層法 — 用燒成的 Al2O3板 印刷多層法 — 用未燒成(生)的基板 生板(片)疊層法 — 用生板(帶有通孔) 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜多層法 厚膜多層法是在燒成的氧化鋁基板上交替地印刷和燒結(jié)厚膜導(dǎo)體(如 Au、 AgPd等)與介質(zhì)漿料而制成,導(dǎo)體層之間的連接是在介質(zhì)層上開(kāi)孔并填入導(dǎo)體漿料,燒結(jié)后而相互連接起來(lái)??梢栽诳諝庵袩Y(jié),溫度在 1000℃ 以下。 缺點(diǎn): 制造很細(xì)的線(微細(xì)線)困難。 容易實(shí)現(xiàn)多層化,進(jìn)行高密度布線。 缺點(diǎn): 設(shè)計(jì)和制造靈活性差,生產(chǎn)周期長(zhǎng) 燒結(jié)溫度高,要在還原性氣氛中燒結(jié)等。這是由于 Ag與玻璃層間形成 AgO鍵,以及與焊料擴(kuò)散成分生成 Ag3Sn所致。 AgOH不穩(wěn)定,容易被氧化而析出 Ag,從而引起 Ag的遷移。 為了提高 AgPd導(dǎo)體的焊接浸潤(rùn)性,以及導(dǎo)體與基板間的接合強(qiáng)度,需要添加 Bi2O3。測(cè)量導(dǎo)體膜上焊料液滴的展寬直徑。在導(dǎo)體膜焊接引線,沿垂直于膜面方向拉伸,測(cè)量拉斷時(shí)的強(qiáng)度,確定破斷位置,分析斷面形貌結(jié)構(gòu)等。但是,銅在大氣中燒成會(huì)氧化,需要在氮?dú)庵袩?,其中的氧含量?yīng)控制在幾個(gè) ppm(即 106)以下。首先在 N2中摻入( 101000) ppm的 O2在此氣氛下,在 900℃ 燒制 10分鐘,而后在 N2中混入 1%H2的氣氛中,在 250~ 260℃ ,燒制 10分鐘,即告完成。重復(fù)操作若干次,然后在大氣中燒結(jié) 30分鐘排膠,再在約含 10%H2的氣氛中,在 450℃ 還原,接著在非活性氣氛中 1000℃ 燒成。 代替玻璃而加入 TiO CuO、 CdO等,與基板反應(yīng),生成CuAl2O Al2O4Cd等化合物,成為導(dǎo)體膜與基板之間的界面。一般是在 Au、 Ag、 Pd、 Pt等有機(jī)金屬的導(dǎo)電材料中添加 Bi、 Si、 Pb、 B等有機(jī)金屬添加劑,做成液體狀的 Au、 Ag、 Pt、 AuPtPd漿料等市場(chǎng)出售。而制造厚膜電阻用的漿料,在電路中的應(yīng)用僅次于導(dǎo)體漿料。其辦法是使用玻璃粉的顆粒要求比導(dǎo)電顆粒要粗,這樣,在濕的漿料中,每個(gè)玻璃顆粒被許多小的導(dǎo)體顆粒所包圍。 厚膜電阻的結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電機(jī)制 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜材料 厚膜電阻器電特性的主要參數(shù): 方電阻 電阻溫度系數(shù) 非線性 噪聲和穩(wěn)定性 厚膜電阻的主要參數(shù)及基本性能 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜材料 方電阻 簡(jiǎn)稱方阻,也稱膜電阻。對(duì)于下圖所示的任意一塊厚膜,其電阻值 R可用下式來(lái)表示: ρ 為電阻膜的體積電阻率( ??cm); l為膜的長(zhǎng)度; s為膜的橫截面積; w和 t分別為膜的寬度和厚度。 對(duì)于一種厚膜電阻材料,例如 RuO2電阻材料,希望它的方阻范圍越寬越好,這樣可以滿足電路中各種阻值的要求。 +25℃ ~ +125℃ 范圍測(cè)量的 TCR稱為正溫 TCR,而在 +25℃ ~55℃ 范圍測(cè)得的 TCR為負(fù)溫 TCR。TCR的大小與多種因素有關(guān),主要有: ①厚膜材料的種類、性質(zhì); ②制造工藝; ③測(cè)量溫度范圍; ④基板的熱膨脹系數(shù)等有關(guān)。 跟蹤溫度系數(shù)的大小反映了電路中各個(gè)電阻器的阻值隨溫度變化的一致性是否良好。 電壓 U與電流 I的比值 不是常數(shù)(不符合歐姆定律),這時(shí)電阻的阻值 與外加電壓有關(guān),在厚膜電阻器中, R通常隨外加電壓的增加而減小。 厚膜電阻的非線性 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜材料 )/(%1 0 0)(12112 VVVRRRVc ????(式 ) RPU ?? 電阻器的噪聲是一種電噪聲,它是產(chǎn)生在電阻器中的一種不規(guī)則的微小電壓起伏。這種噪聲是因?yàn)殡娮拥臒徇\(yùn)動(dòng)引起的,故稱熱噪聲。這是因?yàn)閷?dǎo)電顆粒之間的玻璃薄層在厚膜電阻器的燒成過(guò)程中存在大量缺陷,因而大量電阻陷阱,能夠不斷地俘獲和釋放電子,在外電場(chǎng)存在而產(chǎn)生電流時(shí),這種起伏便構(gòu)成了電流噪聲或 1/f噪聲。 原因: 電阻器的熱噪聲和 1/f噪聲稱為正常噪聲,突發(fā)噪聲主要跟厚膜電阻材料和電阻器制造工藝有關(guān),它通過(guò)混合和分散均勻可以減小和消除。它在低場(chǎng)強(qiáng)下顯示出很高的電阻,而在高場(chǎng)強(qiáng)下,這種電阻就大大減小,呈現(xiàn)出較大的非線性。 Ag粉的加入有二個(gè)作用: 善電阻器的性能(可減小 TCR和噪聲); 阻。 Pt族電阻材料主要是指用 Pt、 Ir(銥)、 Rh(銠)等貴金屬作電阻的材料。 Pt族電阻材料 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜材料 為了降低成本,還出現(xiàn)了釕酸鹽材料,如釕酸鉍、釕酸鉛等 RuO2電阻材料 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜材料 RuO2電阻材料特點(diǎn) 1 性能穩(wěn)定性高,加熱到 1000℃ 也不會(huì)發(fā)生化學(xué)變化 2 RuO2本身具有金屬導(dǎo)電性,且電阻率低(室溫時(shí)為 5 105??cm), TCR為正值,因此可以不加其它金屬材料,而直接與玻璃混合起來(lái)制成不同的方阻材料,方阻范圍很寬( 10?/方~ 10M?/方), TCR又很小(約 100ppm/℃ ,加入 CuO或 MnO2控制) 3 對(duì)工藝條件不敏感,受燒結(jié)條件影響較小,阻值再現(xiàn)性好,燒成后電性能優(yōu)良,具有很高的穩(wěn)定性 以賤金屬作厚膜電阻的材料種類較多,主要有各種賤金屬氧化物, MoO SnO2等、氮化物,如 TaNTa、 TiNTi等,硅化物,如 MoSi TaSi2等,碳化物,如 WCW等。 賤金屬厚膜電阻材料 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜材料 聚合物電阻材料 是非金屬碳為導(dǎo)電相,樹(shù)脂為粘結(jié)劑的一種電阻材料。不同方阻除了改變碳黑和石墨及樹(shù)脂含量外,還應(yīng)選用不同種類的碳黑材料。 厚膜介質(zhì)材料 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜材料 3)組成 厚膜介質(zhì)漿料是由陶瓷粉、玻璃粉和有機(jī)載體等組成。從而成本增加。 這種玻璃加熱到高于軟化點(diǎn)溫度時(shí),氧化物添加劑使玻璃成為不透明的。用于交叉和多層布線介質(zhì)大多是結(jié)晶玻璃或者玻璃 陶瓷介質(zhì)。載體的作用與其它相同。 聚合物厚膜電阻材料 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜材料 1)用途 厚膜介質(zhì)主要用來(lái)作:①厚膜電容介質(zhì);②多層布線和交叉布線介質(zhì)(即隔離介質(zhì));③電路中的保護(hù)層和包封介質(zhì)等。漿料低溫聚合固化,工藝簡(jiǎn)單,可用各種基板,成本很低并使用于自動(dòng)化生產(chǎn),目前不僅在民用產(chǎn)品中獲得廣泛應(yīng)用,而且也應(yīng)用到軍用產(chǎn)品中??傮w來(lái)講能夠?qū)嵱眯缘倪€不多。在各方面都比 PdAg電阻好。 PdAg電阻材料 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜材料 特點(diǎn) 1 在貴金屬材料中成本比較低 2 電性能和工藝性能較好 3 對(duì)燒成條件(最高燒結(jié)溫度和保溫時(shí)間等)非常敏感,因?yàn)橛绊?PgO的生成 4 對(duì)還原氣氛敏感,在電路的使用過(guò)程中如遇到還原氣氛時(shí),阻值會(huì)發(fā)生變化。 厚膜電阻材料可分為 貴金屬 賤金屬 聚合物 厚膜電阻材料 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜材料 最早的一種玻璃釉電阻材料 組成: Pd粉、 Ag粉和硼硅酸玻璃粉混合制成。故稱為臨界導(dǎo)電玻璃層或臨界導(dǎo)電絕緣層。 厚膜電阻的噪聲 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜材料 ③突發(fā)噪聲 厚膜電阻器中除了熱噪聲和 1/f噪聲外,還有一種突發(fā)噪聲。這種噪聲也稱電流噪聲或接觸噪聲,因?yàn)樗陬w粒狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體或存在接觸電阻的情況下,并且只有在通過(guò)電流時(shí)才產(chǎn)生。 電阻器的種類不同,產(chǎn)生的噪聲也不同,即 熱噪聲 、 1/f噪聲 和 突發(fā)噪聲 。厚膜電阻的非線性可用三次諧波衰減和電壓系數(shù)來(lái)衡量。 為了使電路中的電阻間的跟蹤溫度系數(shù)小,應(yīng)盡量采用阻值 溫度特性相一致的漿料。 所謂 溫度系數(shù)跟蹤 ,或跟蹤溫度系數(shù),是指在電路的工作溫度范圍內(nèi),電路中各電阻器間 TCR之差。 電阻溫度系數(shù) 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜材料 )攝氏度11()( 12112TTRRRT C R??? (式 ) 希望材料或電阻器的 TCR絕對(duì)值愈小愈好,最好接近于零。電阻溫度系數(shù)通常用 TCR來(lái)表示,它表示溫度每變化 1℃ Rs時(shí),電阻值的相對(duì)變化,即: 式中, R R2分別為溫度 T1和 T2時(shí)的阻值。引入方阻后, : 式中: N是電阻膜的長(zhǎng)寬比,稱為方數(shù)。用 Rs表示,單位為 ?/方或 ?/□。低阻值厚膜電阻體中的 RuO2在燒結(jié)過(guò)程中相互連接,形成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),構(gòu)成導(dǎo)電通路。 厚膜電阻與材料 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜材料 電阻漿料的性能要求 電阻漿料的性能要求 電阻范圍寬 與導(dǎo)體材料相容性好 TCR和 TCR跟蹤小 不同方阻漿料間的混合性能好 非線性和噪聲小 適合絲網(wǎng)印刷 穩(wěn)定性高 燒成溫度范圍寬 功耗(功率密度)大 再現(xiàn)性好、成本低 結(jié)構(gòu) 厚膜電阻的結(jié)構(gòu)是不均勻的相結(jié)構(gòu),因?yàn)榫鶆虻姆稚⑾啵瑒t導(dǎo)電顆粒被絕緣顆粒隔開(kāi),就沒(méi)有電導(dǎo),如果導(dǎo)電相濃度上升,相互連接的電導(dǎo)將大大地上升,出現(xiàn)突變。MO 漿料) 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜材料 金屬有機(jī)化合物漿料 ( metalloanic paste。 Au 金導(dǎo)體 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜材料 通稱樹(shù)脂漿料,由這種有機(jī)金屬化合物漿料可最終制取金屬膜層。 玻璃粘結(jié)劑將 Au與玻璃粉末分散于有機(jī)溶劑中制成的。 Cu 銅導(dǎo)體 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜材料 燒成法 也適用于多層化,并已用于 MCM基板的制作。 二步燒成法: 即先在氧化氣氛中,后在還原氣氛中對(duì)銅漿料進(jìn)行燒成。焊接后,在 150℃ 下放置 48小時(shí),測(cè)量導(dǎo)線的結(jié)合強(qiáng)度等。在導(dǎo)體圖形間滴上水滴,并施加一定電壓測(cè)量達(dá)到短路今后經(jīng)過(guò)的時(shí)間。Al ) 2O3 AgPd 銀 鈀導(dǎo)體 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜材料 隨 Bi含量增加,膜的結(jié)合強(qiáng)度增大。 Ag 銀導(dǎo)體 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜材料 Ag中添加 Pd,當(dāng) Pd/(Pd+Ag)> ,但當(dāng) Pd的添加量較多時(shí),在 300760℃ 范圍內(nèi)發(fā)生氧化反應(yīng)而生成 PdO,這不僅使焊接性能變差,而且造成導(dǎo)體電阻增加。 Ag導(dǎo)體的最大缺點(diǎn)是容易發(fā)生遷移。 Ag漿料的最大特點(diǎn)是電導(dǎo)率高,但其與基板的附著強(qiáng)度、焊接特性等存在問(wèn)題。 導(dǎo)體和絕緣介質(zhì)燒成整體,密封性好,可靠性高。 可焊性、密封性和散熱性沒(méi)其它二種好。 基板內(nèi)部可以制作電阻、電容等厚膜元件。 第三章 厚薄膜技術(shù) 生板(片)疊層法 它是在沖好通孔的氧化鋁生片上印刷 Mo、 W等導(dǎo)體,然后將這種印好導(dǎo)體圖形的生片合疊到所需層數(shù),在一定的壓力和溫度下壓緊,再放到 15001700℃ 的還原氣氛中燒結(jié)成一個(gè)堅(jiān)固的整體。 第三章 厚薄膜技術(shù) 多層陶瓷基板 所謂多層陶瓷基板,就是呈多層結(jié)構(gòu),它是用來(lái)作多層布線用的。 陶瓷基板包括: 氧化鋁陶瓷基板、氧化鈹陶瓷基板、特種陶瓷基板(高介電系數(shù)的鈦酸鹽、鋯酸鹽,和具有鐵磁性的鐵氧體陶瓷等,主要作傳感器和磁阻電路用)、氮化鋁基板和碳化硅陶瓷基板。使阻值或容量發(fā)生變化,從而達(dá)到預(yù)定的標(biāo)稱值和所需的精度。 厚膜元件的質(zhì)量與燒結(jié)條件(包括升、降溫速率,最高燒結(jié)溫度和保溫時(shí)間 — 統(tǒng)稱燒成曲線等有密切的關(guān)系,所以要嚴(yán)格進(jìn)行控制。主要是使絲網(wǎng)篩孔的痕跡消失,某些易揮發(fā)的溶劑在室溫下?lián)]發(fā)。厚膜中最常用的印刷是絲網(wǎng)印刷。 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜技術(shù)的主要工序 漿料 ,也稱涂料,它是由金屬或金屬氧化物粉末和玻璃粉分散在有機(jī)載體中而制成的可以印刷的漿狀物或糊狀物。厚膜是通過(guò)絲網(wǎng)印刷(或噴涂)
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