晶硅太陽(yáng)能電池常規(guī)工藝簡(jiǎn)介(文件)
【正文】 21Tuesday, February 02, 2023? 閱讀一切好書(shū)如同和過(guò)去最杰出的人談話。勝人者有力，自勝者強(qiáng)。 2023/2/2 16:34:1216:34:1202 February 2023? 1一個(gè)人即使已登上頂峰，也仍要自強(qiáng)不息。 02 二月 20234:34:12 下午 16:34:12二月 21? 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過(guò)于提升自我。 二月 2116:34:1216:34Feb2102Feb21? 1越是無(wú)能的人，越喜歡挑剔別人的錯(cuò)兒。 2023/2/2 16:34:1216:34:1202 February 2023? 1空山新雨后，天氣晚來(lái)秋。 二月 21二月 2116:34:1216:34:12February 02, 2023? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 二月 21二月 21Tuesday, February 02, 2023? 很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒(méi)有。 。 二月 2116:34:1216:34Feb2102Feb21? 1故人江海別，幾度隔山川。電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過(guò)程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，能顯著降低薄膜沉積的溫度范圍。 我國(guó)修訂后的 “潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范 GB500732023”，已經(jīng)在 2023年開(kāi)始實(shí)行，其中，關(guān)于潔凈室潔凈等級(jí)，等效采用“ISO146441”潔凈室等級(jí)的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)了與國(guó)際接軌。? 最大功率 Pmax: 電池在光照下輸出的最大功率值；? 填充因子 FF： 最大功率 /(最大電壓 *最大電流 ) = Pmax / (Isc*Uoc)? 轉(zhuǎn)換效率： 電池輸出功率與太陽(yáng) 光入射功率的比值測(cè)試分選設(shè)備 (臺(tái)達(dá)）? 電池片的包裝入庫(kù)潔凈室標(biāo)準(zhǔn)? 目前世界各國(guó)雖有自訂規(guī)格，但普遍還是采用美國(guó)聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn) 209 為多，今就 209D 及 209E 和世界上其他各國(guó)之所訂標(biāo)準(zhǔn)再做更進(jìn)一步之介紹與相互比較。v 固體顆粒具有很大的比表面積，具有極不規(guī)則的復(fù)雜表面狀態(tài)以及在顆粒的制造 、細(xì)化處理等加工過(guò)程中，受到的機(jī)械、化學(xué)、熱作用所造成的嚴(yán)重結(jié)晶缺陷等，系統(tǒng)具有很高自由能 .燒結(jié)時(shí)，顆粒由接觸到結(jié)合，自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會(huì)使系統(tǒng)的自由能降低，系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài)。網(wǎng) 框 印 刷 網(wǎng) 粘著劑 刮 刀印 墨版 膜 印 刷基 材絲網(wǎng)印刷流程P型襯底背電極印刷 烘干背電場(chǎng)印刷 烘干正電極印刷烘干 +燒結(jié)測(cè)試分選電池的正背面電極圖形柵線（銀漿）背電場(chǎng)：鋁漿背電極：鋁漿或銀鋁漿電池片正面電池片反面絲網(wǎng)印刷的設(shè)備 (Baccini)絲網(wǎng)印刷檢測(cè)內(nèi)容? 副柵線寬度、高度（晶相顯微鏡）? 印刷濕重（電子天平）? 印刷圖形完整性（目測(cè)）燒結(jié)的目的? 燃盡金屬漿料中的有機(jī)成分；? 燒穿絕緣的氮化硅膜，使?jié){料中的金屬和硅熔融合金，形成歐姆接觸；? 對(duì)經(jīng)過(guò)等離子轟擊的硅片退火，激活摻雜的原子，消除晶格損傷；? 激活氮化硅膜 ( )中的氫離子，使之鈍化硅片內(nèi)部晶格缺陷。絲網(wǎng)印刷方法制作電極圖形成本低，產(chǎn)量高，是目前規(guī)?；a(chǎn)中普遍采用的一種制備電極的方法。間接式 — 基片不接觸激發(fā)電極（如 45GHz微波激發(fā)等離子 ),在微波激 發(fā)等離子的設(shè)備里，等離子產(chǎn)生在反應(yīng)腔之外，然后由石英管 導(dǎo)入反應(yīng)腔中。PECVD原理 PECVD技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。PECVD鍍膜 工藝目的P型襯底氮化硅減反層n+ 發(fā)射極? 在擴(kuò)散后的硅片上形成一層致密的氮化硅（ SiNx）層，進(jìn)一步降低反射率。它的 優(yōu)勢(shì)在于快速的刻蝕速率同時(shí)可獲得良
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