【正文】 500 1000 1500 2023 Si befor cycle 500 1000 1500 SiSi stretching LB303 LB303+FEC LB303+BNS 1 SiOSi bending in Li2Si2O5 1 Lithiation at SiO stretching vibration Si Intensity (a.u.) Intensity (.) Intensity (.) Raman shift (cm ) Raman shift (cm ) Raman shift (cm ) 500 1000 1500 2023 SiC LB303 LB303+FEC LB303+BNS SiOSi bending Lithiation at SiO stretching vibration in Li2Si2O5 1 500 1000 1500 2023 SiC Delithiation at LB303 LB303+FEC LB303+BNS G band D band 1 BNS作為添加劑在 SiC表面 形成含有 SiOSi的 SEI膜 由于有包覆碳層的存在，以 FEC和 BNS作為添加劑時產(chǎn)生的 SEI膜都較穩(wěn) Ref: [1]Adv. Mater. 2023, 25, 4498–4503 [2] J. NonCryst. Solids 2023 , 352 , 4101 . 500 1000 1500 2023 SiC anode before cycle 1 Anode Si SiC Electrolyte Lithiation Delithiation Lithiation Delithiation LB303 % % % % LB303+FEC % % % % LB303+BNS % % % % Intensity (.) Intensity (.) LB303+BNS(Lithiation) LB303+BNS(Delithiation) LB303(Delithiation) Kev O C LB303(Lithiation) F Si Si anode LB303+BNS(Delithiation) LB303+BNS(Lithiation) LB303(Delithiation) LB303(Lithiation) SiC anode Si F O C Kev Si 元素含量分析 LB303和 LB303+FEC: Si電極在循環(huán)后表面硅含量猛增， SEI膜的破壞硅的裸露 BNS作為添加劑時產(chǎn)生的 SEI膜中 Si含量高于 LB303形成的，證明 Si成分參與成膜 在 SiC中碳層的存在對三種電解液來說都有利形成更加穩(wěn)定的 SEI膜 Transmission (.) Transmission (.) Transmission (.) 500 2500 Delithiation 1000 1500 2023 Wavenumber (cm1) Lithiation LB303+FEC Si anode 500 2500 Delithiation Lithiation LB303 Si anode 1000 1500 2023 Wavenumber (cm1) * (LB303) 870： LiPF6峰的相對強度明顯減小，說明 經(jīng)過脫鋰后 SEI的分解 （ Ref: J. Phy. Chem. C 2023, 28, 965976） (LB303+FEC) 870： LiPF6 1640, 1450,1090, 1810: 為 FEC分解產(chǎn)物 （ Ref: Langmuir 2023, 28, 965976） 500 1000 1500 2023 2500 * Si anode LB303+BNS Delithiation Lithiation Wavenumber (cm1) (LB303+BNS) 870： LiPF6峰的相對強度減小不明顯，說 明經(jīng)過生成的 SEI較為穩(wěn)定，對比三種電解液， 1060處的 SiOSi 鍵明顯增強，證實了 SEI膜中的 SiOSi成分，脫鋰 后任然能夠穩(wěn)定存在 Transmission (.) Transmission (a.u.) Transmission (a.u.) SiC anode 500 2500 LB303+FEC Lithiation Delithiation SiC anode 1000 1500 2023 Wavenumber (cm1) 500 1000 1500 2023 2500 Delithiation Lithiation Wavenumber (cm1) 500 1000 1500 2023 2500 SiC anode LB303 Delithiation Lithiation Wavenumber (cm1) LB303+BNS SEI結(jié)構(gòu)分析參考 Si anode 與 Si電極不同，由于 C的存在，形成 的 SEI膜更加穩(wěn)定 (870： LiPF6峰的相對 強度在脫鋰后變化沒有 Si電極那么明顯） Si anode (Electrolyte:LB303) 發(fā)生膨脹 Lithiation at 發(fā)生收縮開裂 Delithiation at 生成的 SEI膜 生成的 SEI膜碎裂 Si anode (Electrolyte: LB303+ 10% BNS) 較小膨脹 Lithiation at 并未發(fā)生收縮開裂 Delithiation at 生成的 SEI膜 生成的 SEI膜穩(wěn)定存在 SiC anode (Electrolyte:LB303) 發(fā)生一定的膨脹 Lithiation at 發(fā)生收縮 Delithiation at 生成的 SEI膜 生成的 SEI膜有些消失但是跟裸 硅電極相比還是更加穩(wěn)定的，由 于有碳層的存在 SiC anode (Electrolyte: LB303+ 10% BNS) 較小的膨脹 Lithiation at 發(fā)生一定的收縮 Delithiation at 生成的 SEI膜 生成的穩(wěn)定的 SEI膜 Z 39。 (?) Z 39。 (?) LB303+BNS Si anode(berfore cycle ) Si anode (after Delithiation) Si anode (after Lithiation) 0 100 200 300 400 500 600 100 0 200 300 500 400 LB303+FEC Si anode(berfore cycle ) Si anode(after Lithiation) Si anode(after Delithiation ) Z 39。 (?) Z 39。 (?) 0 30 60 90 120 150 180 LB303+BNS after Delithiation after Lithiation berfore cycle Z 39。 , March 12, 2023 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 :25:1912:25:19March 12, 2023 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 2023年 3月 12日星期日 12時 25分 19秒 12:25:1912 March 2023 1做前，能夠環(huán)視四周；做時，你只能或者最好沿著以腳為起點的射線向前。 :25:1912:25Mar2312Mar23 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 。 , March 12, 2023 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。勝人者有力，自勝者強。 2023年 3月 12日星期日 12時 25分 19秒 12:25:1912 March 2023 1一個人即使已登上頂峰，也仍要自強不息。 2023年 3月 12日星期日 下午 12時 25分 19秒 12:25: 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。 :25:1912:25Mar2312Mar23 1越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯兒。 2023年 3月 12日星期日 12時 25分 19秒 12:25:1912 March 2023 1空山新雨后，天氣晚來秋。 :25:1912:25:19March 12, 2023 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 , March 12, 2023 很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒有。 。 :25:1912:25Mar2312Mar23 1故人江海別，幾度隔山川。 (?) 0 100 SiC anode 500 0 200 100 400 300 500 after Delithiation berfore cycle after Lithiation LB303 SiC anode 200 300 400 Z 39。 (?) Z 39。 Z 39。 (?) 0 50 100 150 200 250 300 300 250 200 150 100 50 0 Z 39。 (?) Z