【材料課件】第一章微電子技術(shù)中圖形加工的方法(文件)
【正文】 其次，由于存在表面張力的作用，溶劑刻蝕越來(lái)越難以適應(yīng)高分辨率圖形的加工，而干法刻蝕正好彌補(bǔ)了這些不足。 這一概念已被用于三維結(jié)構(gòu)的有源或無(wú)源器件的加工以及表面器件的加工 。這一特性已被用于制造膜厚在 1— 10um之間的不同結(jié)構(gòu)的器件。 ? 摻雜方法可分為合金法、擴(kuò)散法和離子注人法。前者稱為 預(yù)沉積 ，后者稱為 再分布 。這些雜質(zhì)原子不是代替硅原子的位置就是處在晶體的間隙中 ， 因此擴(kuò)散也就有替位式擴(kuò)散 和 間隙式擴(kuò)散 兩種方式 ， 如圖 2— 17所示 。 由于空位的平衡濃度相當(dāng)?shù)?，故可認(rèn)為替位式擴(kuò)散比間隙式擴(kuò)散慢得多 。 間隙式擴(kuò)散要求雜質(zhì)從一個(gè)間隙位置跳到相鄰的另一個(gè)間隙位置 ， 而且雜質(zhì)原子只有處于間隙位置時(shí)才能以顯著的速率在晶體中移動(dòng) 。分析磁體 )消除了不需要的某些離子 ， 經(jīng)偏轉(zhuǎn)與聚焦后 ， 離子束瞄準(zhǔn)半導(dǎo)體靶 ， 使高能離子滲透到半導(dǎo)體表面 。 因此 ， 通過(guò)調(diào)節(jié)加速電壓來(lái)控制雜質(zhì)分布就可能優(yōu)于高溫?cái)U(kuò)散 。 三、中子嬗變摻雜技術(shù) (NTD) ? 中子嬗變摻雜 技術(shù)是另一種非常吸引人的摻雜方法 ， 最普通的是用它進(jìn)行磷摻雜而形成均勻的 n型材料 。當(dāng)然， 32P的劑量主要取決于31P 產(chǎn)生的劑量，它在一定程度上取決于中子流和硅中磷的最初劑量。 第七節(jié) 連線材料和工藝 硅基片上的分立元件被加工出來(lái)后 ， 必須將元件連接起來(lái)構(gòu)成集成電路 (IC)。表 2— 5匯集了金屬化薄膜中最常用的金屬 二、鋁及其他金屬布線工藝 ? 鋁的金屬化工藝對(duì)集成電路的元件尺寸有明顯影響 。 然而 ， 金作為過(guò)渡層 ， 與其他薄膜一起改善了接觸的附著力 。 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH 。 雖然鉬和鎢的硅化物在室溫下的電阻率比鋁高 10— 30倍 ， 但仍受到重視 。 ? 在大電流密度下 ， 鋁容易產(chǎn)生金屬離子的電遷移 ， 使某些鋁引線形成空洞甚至斷開(kāi) ， 而在鋁層的另一些區(qū)域則生長(zhǎng)晶須 ， 導(dǎo)致了電極短路 ，故大電流密度 (＞ 1 105A/cm2)的使用需要采用另外一些不易產(chǎn)生電遷移現(xiàn)象的金屬 ， 如金 。 在金屬布線工藝中 ， 金屬膜 (0． 5— 2um)被沉積在硅基片上 ， 然后成圖形 ， 把晶體管 、 二極管 、 電容和電阻連接起來(lái) 。 由于通過(guò)核反應(yīng)加工而引進(jìn)了輻射損傷 ， 所以還必須進(jìn)行適當(dāng)?shù)耐嘶?(一般用 500— 900176。 這一過(guò)程的摻雜核反應(yīng)式為： 30Si+n 31Si 31Si 31P+β 31P+n 32P 32P 32S+ β ? 由此看到， 31P 也可以捕獲一個(gè)中子而引起 32P的發(fā)射。當(dāng)位移原子的能量足夠大時(shí)還可使其他靶原子發(fā)生位移，從而形成一個(gè)碰撞與位移的級(jí)鏈，造成晶體損傷。 離子注入的優(yōu)點(diǎn)及其問(wèn)題 離子注入的優(yōu)點(diǎn)是它具有很好的可控性和重復(fù)性 。 離子注入多用于淺結(jié)高精度摻雜 。 ?間隙式擴(kuò)散 。 雜質(zhì)原子通過(guò)從一個(gè)格點(diǎn)位置跳到下一個(gè)格點(diǎn)位置 ， 替代了原來(lái)的晶格原子而達(dá)到在晶格中移動(dòng) 。 替位式擴(kuò)散和間隙式擴(kuò)散 ? 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)是微觀粒子 (原子或分子 )熱運(yùn)動(dòng)的統(tǒng)計(jì)結(jié)果 。 一、擴(kuò)散 ? 擴(kuò)散 過(guò)程包括兩個(gè)步驟，首先是通過(guò)氣相沉積或涂覆的方法，在基片表面上覆蓋一層所希望的摻雜劑，使基片表面上合有一定量的雜質(zhì)；然后進(jìn)行驅(qū)動(dòng)擴(kuò)散，使雜質(zhì)原子向晶體內(nèi)運(yùn)動(dòng)。 利用摻雜技術(shù)可以制備pn結(jié) 、 電阻器 、 歐姆接觸和互連線等 。當(dāng)雜質(zhì)濃度 NA達(dá)到 1019／ cm3時(shí)，專用液中的硅急劇下降；當(dāng) NA＞ 7 1019／ cm3時(shí)，刻蝕速率達(dá)到零。 圖 2— 14為硅的金剛石立方結(jié)構(gòu)和它的兩個(gè)面的密勒指數(shù) 。 一、化學(xué)
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