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多晶硅生產工藝培訓課件(文件)

2025-01-20 11:19 上一頁面

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【正文】 l3氫還原反應可以看出 , 過高的 H2濃度不利于抑制 B、 P的析出 , 影響產品的質量 。 ? 增大氣體流量后 , 使爐內氣體湍動程度隨之增加 。 三氯氫硅氫還原的影響因素 5. 還原反應時間 ? 盡可能延長反應時間 , 也就是盡可能使硅棒長粗 , 對提高產品質量與產量都是有益的 。 ? 作為沉積硅的載體材料 , 要求材料的熔點高 、 純度高 、 在硅中擴散系數小 , 要避免在高溫時對多晶硅生產沾污 , 又應有利于沉積硅與載體的分離 , 因此 , 采用硅芯作為載體 。 ? 石墨卡座 :光譜純、稠密質、內部結構均勻、無孔洞。 經常檢查 還原底盤 、 電極 ,檢查冷卻水 是否通暢 , 水溫 、 水壓 及 操作系統壓力是否正常 。 在光線下能看到五顏六色的光澤 。 它是一種疏松 、粗糙的夾層 , 中間常常有許多氣泡和雜質 。 多晶硅下游產品簡介 ? 太陽能電池的原理 ? 太陽光照在半導體 pn結上,形成新的空穴 電子對,在 pn結電場的作用下,空穴由 n區(qū)流向p區(qū),電子由 p區(qū)流向 n區(qū),接通電路后就形成電流。 ? 光 — 電直接轉換方式該方式是利用光電效應,將太陽輻射能直接轉換成電能,光 — 電轉換的基本裝置就是太陽能電池。產品的高質量和高壽命是贏得可客戶滿意的關鍵,所以組件板的封裝質量非常重要。焊接用的熱源為一個紅外燈(利用紅外線的熱效應)。玻璃事先涂一層試劑( primer)以增加玻璃和 EVA的粘接強度。層壓工藝是組件生產的關鍵一步,層壓溫度層壓時間根據 EVA的性質決定。 ? 裝框: 類似與給玻璃裝一個鏡框;給玻璃組件裝鋁框,增加組件的強度,進一步的密封電池組件,延長電池的使用壽命。 ? 高壓測試: 高壓測試是指在組件邊框和電極引線間施加一定的電壓,測試組件的耐壓性和絕緣強度,以保證組件在惡劣的自然條件(雷擊等)下不被損壞。 03:49:0103:49:0103:491/24/2023 3:49:01 AM ? 1以我獨沈久,愧君相見頻。 2023年 1月 24日星期二 上午 3時 49分 1秒 03:49: ? 1比不了得就不比,得不到的就不要。 上午 3時 49分 1秒 上午 3時 49分 03:49: ? 沒有失敗,只有暫時停止成功!。 03:49:0103:49:0103:49Tuesday, January 24, 2023 ? 1不知香積寺,數里入云峰。 2023年 1月 上午 3時 49分 :49January 24, 2023 ? 1少年十五二十時,步行奪得胡馬騎。 03:49:0103:49:0103:491/24/2023 3:49:01 AM ? 1越是沒有本領的就越加自命不凡。 :49:0103:49:01January 24, 2023 ? 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 上午 3時 49分 1秒 上午 3時 49分 03:49: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感 謝 您 的 下 載 觀 看 專家告訴 。 2023年 1月 上午 3時 49分 :49January 24, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義,不要越軌。 03:49:0103:49:0103:49Tuesday, January 24, 2023 ? 1知人者智,自知者明。 上午 3時 49分 1秒 上午 3時 49分 03:49: ? 楊柳散和風,青山澹吾慮。 2023年 1月 24日星期二 上午 3時 49分 1秒 03:49: ? 1楚塞三湘接,荊門九派通。 03:49:0103:49:0103:491/24/2023 3:49:01 AM ? 1成功就是日復一日那一點點小小努力的積累。 2023年 1月 上午 3時 49分 :49January 24, 2023 ? 1行動出成果,工作出財富。 03:49:0103:49:0103:49Tuesday, January 24, 2023 ? 1乍見翻疑夢,相悲各問年。 謝謝! ? 靜夜四無鄰,荒居舊業(yè)貧。各邊框間用角鍵連接。固化溫度為 150℃ 。(敷設層次:由下向上:玻璃、EVA、電池、 EVA、玻璃纖維、背板)。多出的焊帶在背面焊接時與后面的電池片的背面電極相連 ? 背面串接 :背面焊接是將 36片電池串接在一起形成一個組件串,我們目前采用的工藝是手動的,電池的定位主要靠一個膜具板,上面有 36個放置電池片的凹槽,槽的大小和電池的大小相對應,槽的位置已經設計好,不同規(guī)格的組件使用不同的模板,操作者使用電烙鐵和焊錫絲將“前面電池”的正面電極(負極)焊接到“后面電池”的背面電極(正極)上,這樣依次將 36片串接在一起并在組件串的正負極焊接出引線。以提高電池的利用率,做出質量合格的電池組件。 太陽能電池(組件)生產工藝 ? 組件線又叫封裝線,封裝是太陽能電池生產中的關鍵步驟,沒有良好的封裝工藝,多好的電池也生產不出好的組件板。 ? 太陽能發(fā)電方式太陽能發(fā)電有兩種方式,一種是光 — 熱 — 電轉換方式,另一種是光 — 電直接轉換方式。 ? 應注意 :啟動完成進料時 , 要保持反應溫度 , 緩慢通入混合氣 , 在正常反應過程中緩慢升電流 , 使反應溫度穩(wěn)定 , 不能忽高忽低 。 ? 應注意保證進入還原爐內氫氣的純度 , 使 氧含量 和 水分 降至規(guī)定值以下 , 開爐前一定要對設備進行認真的檢查 , 防止有漏水現象 。 多晶硅夾層一般分為氧化夾層和溫度夾層 ( 也叫無定形硅夾層 ) 兩種 。 三氯氫硅氫還原開爐過程中應注意的事項 ? 在開爐過程中 , 應按供料表要求改條件 , 并緩慢均勻 升硅棒電流 , 保持硅棒的溫度在1080℃ ~ 1100℃ 。 ? 氫氣 :需要控制露點,氧含量,碳含量等。 而單位體積內載體擴散入硅中的雜質量相對減少 , 這對提高硅的質量有益 。 4. 沉積表面積與沉積速度 、 實收率關系 ? 硅棒的沉積表面積決定于硅棒的長度與直徑 , 在一定長度下表面積隨硅的沉積量而增大 , 沉積表面積增大 , 則沉積速度與實收率也越高 。 三氯氫硅氫還原的影響因素 3. 反應氣體流量 ? 在保證達到一定沉積速率的條件下 , 流量越大 , 爐產量越高 。 但是 , H2和 SiHCl3的摩爾配比也不能太大 ,因為: a) 配比太大 , H2得不到充分利用 , 造成浪費 。 ?過高的溫度 , 會發(fā)生硅的逆腐蝕反應 。 ? 化學方程式: SiHCl3 + H2 Si + 3HCl (主 ) ? 同時還發(fā)生 SiHCl3熱分解和 SiCl4的還原反應: 4SiHCl3 Si + 3SiCl4 +2H2 SiCl4+ 2H2 Si + 4HCl ? 以及雜質的還原反應,例如: 2BCl3 + 3H2 → 2B + 6HCl 2PCl3 + 3H2 → 2P + 6
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