數(shù)字邏輯電路教程ppt第6章半導體存儲器(文件)
【正文】 浮柵隧道氧化層的 MOS管，簡稱 Flotox管。這種現(xiàn)象稱為隧道效應。 ? 根據(jù)浮置柵上是否充有負電荷來區(qū)分單元的 1或 0狀態(tài)。 ? 圖 68是快閃存儲器采用的疊柵 M0S管的結構示意圖及及符號。 ? 快閃存儲器的存儲單元就是用這樣一只單管組成的，如圖 68(b)所示。 ? 解：因為自變量 x的取值范圍為 0~15的正整數(shù) ,所以應用4位二進制正整數(shù) ,用 B=B3B2B1B0表示 ,而 y的最大值是225,可以用 8位二進制數(shù) Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。 ?在計算機中， RAM用作內存儲器和高速緩沖存儲器。 圖 610 一、靜態(tài) RAM ? 讀出： 字線為 +3V，導通管發(fā)射極電流從位線流出。 靜態(tài) MOS型 RAM ? 雙極型 RAM的優(yōu)點是速度快，但功耗大，集成度不高，大容量 RAM一般都是 MOS型的。 靜態(tài) MOS型 RAM ?T T8是門控管，由列譯碼器輸出控制其導通或截止，每一列的位線接若干個存儲單元，通過門控管 T T8和數(shù)據(jù)線相連。用電容上是否存儲電荷表示存 1或存 0。 ?T2為存儲管， T3為讀門控管， T1為寫門控管，T4為同一列公用的預充電管。若 C上沒電荷， T2止， CD無放電回路，讀數(shù)據(jù)線為 1，相當反碼輸出。 三管動態(tài)存儲單元 ? 圖 613是單管動態(tài) MOS存儲單元電路，由門控管 T和 CS構成。 三管動態(tài)存儲單元 ? 單管電路的結構簡單，但需要使用較靈敏的讀出放大器，而且每次讀出后必須刷新，因而外圍控制電路比較復雜。不作詳細介紹。 當一片 RAM不能滿足存儲容量需要時 ， 就需要將若干片 RAM組合起來 ， 構成滿足存儲容量要求的存儲器 。 只要將若干片 RAM并接起來 ， 所有芯片的位線加起來作為擴展后的位線 ， 便可以實現(xiàn)位擴展。 四 、 RAM的擴展 ?⒉ 字擴展 ?在 RAM的數(shù)據(jù)位的位數(shù)足夠 ， 而字數(shù)達不到要求時 ， 需要進行字擴展 。 四 、 RAM的擴展 ?③ 多個單片 RAM的地址端對應接到一起 ， 作為 RAM的低位地址輸入端 。 CS?地址線 A1 A10接譯碼器輸入端，譯碼器的每一條輸出線對應接到二片 1024 4位 RAM的 端。 ?或陣列的輸出 （ 數(shù)據(jù)輸出 ） 為最小項之和 。 習題 ?P160題 65 ?解： ⑴ 512 2位： 512=29， 故有 9個地址輸入端 。 ?⑸ 256 4位： 256=28， 故有 8個地址輸入端 。 81256 12 0 4 8 ????⑵ 256 8位為位擴展，需要 8片 256 1位 RAM。 習題 ?P160題 66解：將 256 1位擴展為 （ 只給出所需芯片個數(shù) ， 邏輯圖略 ） ?⑴ 2084 1位為字擴展 ， 需要 2048=211=11個地址輸入 ， 需要片 256 1位 RAM， 一個 38譯碼器 。 ?⑶ 2K 1位： 2K=2048=211， 故有 11個地址輸入端。 習題 ?P160題 62解：四位二進制數(shù) 0101， 1010，0010， 0100的結點圖如圖所示 。 四 、 RAM的擴展 圖 617 習題 ?P160題 61解： ROM的存儲矩陣由與陣列和或陣列組成 。 ?④ 多個單片 RAM的 端接到一起，作為RAM的讀 /寫控制端 (RAM的讀寫控制端 只能有一個 )； WR/WR/CS?多出的地址線經輸出低有效的譯碼器譯碼，接至各片 RAM的 端； 四 、 RAM的擴展 ? 例 [61]試用 1024 4位 RAM實現(xiàn) 4096 8位存儲器 。 如 256 8位 RAM的地址線數(shù)為 8條 ， 而 1024 8位 RAM的地址線數(shù)為10條 。 如兩片四位 RAM的 I/O端并行輸出 ， 得八位 RAM； ?③ 多個單片 RAM的地址端對應接到一起，作為 RAM的地址輸入端。 ? ⒈ 位擴展 ?如果一片 RAM的字數(shù)滿足要求 ， 而位數(shù)不夠時 ， 應采用位擴展 。 CS WR/?當 =0且 =1時，實現(xiàn)讀出操作 CS WR/?當 =0且 =0時執(zhí)行寫操作。但不如靜態(tài)存儲器使用方便，速度也比靜態(tài)存儲器慢得多。 ? 讀出信息時，字線仍為高電平， T導通 CS上信號電壓 VS經過 T對 C0提供電荷， CS上的電荷將在 CS、 C0上重新分配，讀出電壓 VR為： SSSR VCCCV?? 0 因為 C0CS，所以讀出電壓比 VS小得多，而且每讀一次， CS上電荷要少很多，造成破壞性讀出。 ? 寫入數(shù)據(jù)： 令寫選擇線為高電平， T1導通，當寫入 1時，數(shù)
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